笔记本内存

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笔记本内存 – – V7213008GBS-SR
V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7213008GBS-SR
笔记本内存 – – V7213008GBS-SR V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7213008GBS-SR
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HU027   462 三 2/12 7,168
DE168   462 二 2/11 11,384
笔记本内存 – – V7128008GBS-LV
V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128008GBS-LV
笔记本内存 – – V7128008GBS-LV V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128008GBS-LV
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HU027   336 三 2/12 5,048
DE168   336 二 2/11 9,321
笔记本内存 – – MES4S320NF16G
Mushkin Essentials - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MES4S320NF16G
笔记本内存 – – MES4S320NF16G Mushkin Essentials - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MES4S320NF16G
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APIDE   212 一 2/24 18,159
笔记本内存 – – KVR56S46BD8-32
Kingston ValueRAM - DDR5 - module - 32 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz - CL46 - 1.1 V - unbuffered - on-die ECC
代码：
KVR56S46BD8-32
笔记本内存 – – KVR56S46BD8-32 Kingston ValueRAM - DDR5 - module - 32 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz - CL46 - 1.1 V - unbuffered - on-die ECC
代码：
KVR56S46BD8-32
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HU027   163 三 2/12 34,860
DE168   163 二 2/11 37,986
PL111   30+ 三 2/12 38,437
HU028   7 一 2/10 38,440
CZ017   10 五 2/14 43,322
CZ016   17 五 2/14 47,962
笔记本内存 – – V72130016GBS
V7 - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V72130016GBS
笔记本内存 – – V72130016GBS V7 - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V72130016GBS
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HU027   144 三 2/12 13,323
DE168   144 二 2/11 17,360
笔记本内存 – – 5M30V06796
Lenovo - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - FRU - for IdeaCentre Mini 5 01IMH05; ThinkCentre M70; M75q Gen 2; M80; M90; ThinkStation P340
代码：
5M30V06796
笔记本内存 – – 5M30V06796 Lenovo - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - FRU - for IdeaCentre Mini 5 01IMH05; ThinkCentre M70; M75q Gen 2; M80; M90; ThinkStation P340
代码：
5M30V06796
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DK773   144 四 2/13 57,280
笔记本内存 – – 5M30V06803
Lenovo - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - unbuffered - non-ECC - FRU - for ThinkCentre M60; M90; ThinkPad E15 Gen 2; P14s Gen 1; ThinkStation P340; V50a-24IMB AIO
代码：
5M30V06803
笔记本内存 – – 5M30V06803 Lenovo - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - unbuffered - non-ECC - FRU - for ThinkCentre M60; M90; ThinkPad E15 Gen 2; P14s Gen 1; ThinkStation P340; V50a-24IMB AIO
代码：
5M30V06803
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DK773   144 四 2/13 56,786
笔记本内存 – – 5M30V06970
Samsung - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600
代码：
5M30V06970
笔记本内存 – – 5M30V06970 Samsung - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600
代码：
5M30V06970
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DK773   144 四 2/13 64,188
笔记本内存 – – 5M30Z71647
Lenovo - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - FRU
代码：
5M30Z71647
笔记本内存 – – 5M30Z71647 Lenovo - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - FRU
代码：
5M30Z71647
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DK773   144 四 2/13 63,941
笔记本内存 – – 5M30Z71713
Lenovo - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - FRU - for IdeaCentre Mini 01; ThinkBook 14 G5 IRL; ThinkCentre neo 30a 27 Gen 4; 50q Gen 4
代码：
5M30Z71713
笔记本内存 – – 5M30Z71713 Lenovo - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - FRU - for IdeaCentre Mini 01; ThinkBook 14 G5 IRL; ThinkCentre neo 30a 27 Gen 4; 50q Gen 4
代码：
5M30Z71713
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DK773   144 四 2/13 63,941
笔记本内存 – – V7149008GBS-LV
V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1866 MHz / PC3-14900 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7149008GBS-LV
笔记本内存 – – V7149008GBS-LV V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1866 MHz / PC3-14900 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7149008GBS-LV
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HU027   135 三 2/12 5,562
DE168   135 二 2/11 9,820
笔记本内存 – – KVR16LS11/8
Kingston ValueRAM - DDR3L - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 / 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR16LS11/8
笔记本内存 – – KVR16LS11/8 Kingston ValueRAM - DDR3L - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 / 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR16LS11/8
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HU027   120 三 2/12 17,152
DE168   120 二 2/11 20,908
CZ017   10 五 2/14 22,649
APIDE   10 一 2/24 24,416
CZ016   20 五 2/14 26,444
CZ148   4 五 2/14 26,630
笔记本内存 – – CT4G4SFS824A
Crucial - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT4G4SFS824A
笔记本内存 – – CT4G4SFS824A Crucial - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT4G4SFS824A
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APIDE   100 一 2/24 12,341
EVSSI   14 三 2/12 14,044
JARDEH   96 三 2/12 14,078
笔记本内存 – – M471A5244CB0-CWE
Samsung - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12; Wortmann TERRA Mobile 1516A, 1716A
代码：
M471A5244CB0-CWE
笔记本内存 – – M471A5244CB0-CWE Samsung - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12; Wortmann TERRA Mobile 1516A, 1716A
代码：
M471A5244CB0-CWE
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DE501   100 五 2/14 13,373
笔记本内存 – – 4X71D09532
Lenovo - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - unbuffered - non-ECC - Campus - for K14 Gen 1; ThinkBook 14 G5 IRL; ThinkCentre neo 50q Gen 4; ThinkPad E14 Gen 3; E14 Gen 5
代码：
4X71D09532
笔记本内存 – – 4X71D09532 Lenovo - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - unbuffered - non-ECC - Campus - for K14 Gen 1; ThinkBook 14 G5 IRL; ThinkCentre neo 50q Gen 4; ThinkPad E14 Gen 3; E14 Gen 5
代码：
4X71D09532
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IKDE2   100 五 2/21 18,587
DK773   50 四 2/13 34,334
PL111   5 三 2/12 41,227
APIDE   110 一 2/24 41,810
笔记本内存 – – AD4S32008G22-SGN
ADATA Premier Series - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - green
代码：
AD4S32008G22-SGN
笔记本内存 – – AD4S32008G22-SGN ADATA Premier Series - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - green
代码：
AD4S32008G22-SGN
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HU028   100 一 2/10 6,833
PL111   30+ 三 2/12 10,176
CZ016   40 五 2/14 16,658
笔记本内存 – – M471A2K43EB1-CWED0
Samsung - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
M471A2K43EB1-CWED0
笔记本内存 – – M471A2K43EB1-CWED0 Samsung - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
M471A2K43EB1-CWED0
库存 数量 预计配送 价格
DE501   100 五 2/14 27,683
笔记本内存 – – M425R1GB4PB0-CWM
Samsung - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz - CL40 - 1.1 V - unbuffered
代码：
M425R1GB4PB0-CWM
笔记本内存 – – M425R1GB4PB0-CWM Samsung - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz - CL40 - 1.1 V - unbuffered
代码：
M425R1GB4PB0-CWM
库存 数量 预计配送 价格
DE501   100 五 2/14 16,333
DE501   9 五 2/14 20,972
笔记本内存 – – M471A2G43AB2-CWE
Samsung - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
M471A2G43AB2-CWE
笔记本内存 – – M471A2G43AB2-CWE Samsung - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
M471A2G43AB2-CWE
库存 数量 预计配送 价格
DE501   100 五 2/14 18,356
笔记本内存 – – V7128004GBS-DR-LV
V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128004GBS-DR-LV
笔记本内存 – – V7128004GBS-DR-LV V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128004GBS-DR-LV
库存 数量 预计配送 价格
HU027   99 三 2/12 4,758
DE168   99 二 2/11 9,040
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