笔记本内存

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笔记本内存 – – V7128008GBS-LV
V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128008GBS-LV
笔记本内存 – – V7128008GBS-LV V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128008GBS-LV
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IMNSE   8 三 2/5 208.19
笔记本内存 – – CMSX8GX4M2A2400C16
CORSAIR Vengeance - DDR4 - kit - 8 GB: 2 x 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL16 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSX8GX4M2A2400C16
笔记本内存 – – CMSX8GX4M2A2400C16 CORSAIR Vengeance - DDR4 - kit - 8 GB: 2 x 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL16 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSX8GX4M2A2400C16
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EXENO   1 三 2/5 243.20
笔记本内存 – – KVR32S22S6/4
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码：
KVR32S22S6/4
笔记本内存 – – KVR32S22S6/4 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码：
KVR32S22S6/4
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ADNO   4 四 2/6 246.73
TDNO   6 三 2/5 301.73
笔记本内存 – – KF432S20IB/8
Kingston FURY Impact - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL20 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代码：
KF432S20IB/8
笔记本内存 – – KF432S20IB/8 Kingston FURY Impact - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL20 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代码：
KF432S20IB/8
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EXENO   10 三 2/5 261.05
IMNSE   24 三 2/5 288.03
TDNO   38 三 2/5 314.61
ITNO   4 三 2/5 356.97
笔记本内存 – – KVR32S22S8/8
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码：
KVR32S22S8/8
笔记本内存 – – KVR32S22S8/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码：
KVR32S22S8/8
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EXENO   19 三 2/5 264.36
IMNSE   23 三 2/5 284.80
TDNO   192 三 2/5 314.27
ITNO   9 三 2/5 326.49
EETNO2   3 四 2/6 370.23
笔记本内存 – – CMSX8GX4M1A2666C18
CORSAIR Vengeance - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL18 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSX8GX4M1A2666C18
笔记本内存 – – CMSX8GX4M1A2666C18 CORSAIR Vengeance - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL18 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSX8GX4M1A2666C18
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EXENO   2 三 2/5 270.99
笔记本内存 – – KCP432SS8/8
Kingston - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP432SS8/8
笔记本内存 – – KCP432SS8/8 Kingston - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP432SS8/8
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ADNO   1 四 2/6 272.81
IMNSE   194 三 2/5 297.26
ALSNO   120 三 2/5 317.42
TDNO   417 三 2/5 329.98
笔记本内存 – – CMSX8GX4M1A3200C22
CORSAIR Vengeance - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSX8GX4M1A3200C22
笔记本内存 – – CMSX8GX4M1A3200C22 CORSAIR Vengeance - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSX8GX4M1A3200C22
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EXENO   10 三 2/5 277.61
笔记本内存 – – KVR32S22S6/8
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
代码：
KVR32S22S6/8
笔记本内存 – – KVR32S22S6/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
代码：
KVR32S22S6/8
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IMNSE   4 三 2/5 284.80
ALSNO   10 三 2/5 302.01
TDNO   205 三 2/5 314.27
JARDEN   263 二 2/11 545.17
笔记本内存 – – MMKN057-8GB
CoreParts - DDR4 - kit - 8 GB: 2 x 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN057-8GB
笔记本内存 – – MMKN057-8GB CoreParts - DDR4 - kit - 8 GB: 2 x 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN057-8GB
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EETNO2   47 四 2/6 285.00
笔记本内存 – – MMKN007-4GB
CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN007-4GB
笔记本内存 – – MMKN007-4GB CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN007-4GB
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EETNO2   30 四 2/6 294.09
笔记本内存 – – KVR26S19S8/8
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR26S19S8/8
笔记本内存 – – KVR26S19S8/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR26S19S8/8
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MRKNOF   4 四 2/6 295.45
ALSNO   16 三 2/5 302.01
TDNO   496 三 2/5 326.67
笔记本内存 – – KCP432SS6/8
Kingston - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP432SS6/8
笔记本内存 – – KCP432SS6/8 Kingston - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP432SS6/8
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IMNSE   8 三 2/5 297.26
TDNO   411 三 2/5 322.11
EETNO2   1 四 2/6 403.18
笔记本内存 – – KVR16LS11/4
Kingston ValueRAM - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR16LS11/4
笔记本内存 – – KVR16LS11/4 Kingston ValueRAM - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR16LS11/4
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EXENO   3 三 2/5 300.81
TDNO   14 三 2/5 369.03
EETNO1   1 三 2/5 441.82
笔记本内存 – – MMH9761/4GB
CoreParts - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMH9761/4GB
笔记本内存 – – MMH9761/4GB CoreParts - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMH9761/4GB
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EETNO2   3 四 2/6 300.91
笔记本内存 – – MMI0029/4GB
CoreParts - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMI0029/4GB
笔记本内存 – – MMI0029/4GB CoreParts - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMI0029/4GB
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EETNO2   2 四 2/6 303.18
笔记本内存 – – MMLE037-4GB
CoreParts - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for S400z; S500z; ThinkCentre M700 (Tiny); M700z; M800z; M900 (Tiny); M900x; M900z; X1; E74
代码：
MMLE037-4GB
笔记本内存 – – MMLE037-4GB CoreParts - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for S400z; S500z; ThinkCentre M700 (Tiny); M700z; M800z; M900 (Tiny); M900x; M900z; X1; E74
代码：
MMLE037-4GB
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EETNO2   2 四 2/6 307.73
笔记本内存 – – KVR26S19S6/4
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR26S19S6/4
笔记本内存 – – KVR26S19S6/4 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR26S19S6/4
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TDNO   14 三 2/5 308.15
笔记本内存 – – CMSA4GX3M1A1333C9
CORSAIR Mac Memory - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10666 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSA4GX3M1A1333C9
笔记本内存 – – CMSA4GX3M1A1333C9 CORSAIR Mac Memory - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10666 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSA4GX3M1A1333C9
库存 数量 预计配送 价格
EXENO   9 三 2/5 311.84
笔记本内存 – – KCP432SS6/4
Kingston - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP432SS6/4
笔记本内存 – – KCP432SS6/4 Kingston - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP432SS6/4
库存 数量 预计配送 价格
TDNO   4 三 2/5 312.24
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