笔记本内存

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笔记本内存 – – AA160D3SL/8G
AddOn 8GB Industry Standard DDR3-1600MHz SODIMM - DDR3L - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
AA160D3SL/8G
笔记本内存 – – AA160D3SL/8G AddOn 8GB Industry Standard DDR3-1600MHz SODIMM - DDR3L - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
AA160D3SL/8G
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IMUS   30 二 2/4 21.50
笔记本内存 – – KVR32S22S6/4
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码：
KVR32S22S6/4
笔记本内存 – – KVR32S22S6/4 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码：
KVR32S22S6/4
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IMUS   6 二 2/4 22.55
SYNUS   383 二 2/4 38.97
笔记本内存 – – KCP426SS6/4
Kingston - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP426SS6/4
笔记本内存 – – KCP426SS6/4 Kingston - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP426SS6/4
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IMUS   2 二 2/4 23.32
SYNUS   21 二 2/4 39.78
笔记本内存 – – KVR26S19S6/8
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR26S19S6/8
笔记本内存 – – KVR26S19S6/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR26S19S6/8
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IMUS   1 二 2/4 24.05
笔记本内存 – – KCP432SS6/8
Kingston - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP432SS6/8
笔记本内存 – – KCP432SS6/8 Kingston - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP432SS6/8
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IMUS   10 二 2/4 24.83
DHUS   52 三 2/5 28.91
SYNUS   2397 二 2/4 41.07
笔记本内存 – – CT8G4SFS824A
Crucial - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT8G4SFS824A
笔记本内存 – – CT8G4SFS824A Crucial - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT8G4SFS824A
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DHUS   67 三 2/5 26.23
BHUS   1+ 四 2/6 29.89
笔记本内存 – – CT8G4SFRA32A
Crucial - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT8G4SFRA32A
笔记本内存 – – CT8G4SFRA32A Crucial - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT8G4SFRA32A
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DHUS   1467 三 2/5 26.23
BHUS   1+ 四 2/6 27.28
ASIUS   476 二 2/4 44.50
笔记本内存 – – AA2400D4SR8S/8G
AddOn - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
AA2400D4SR8S/8G
笔记本内存 – – AA2400D4SR8S/8G AddOn - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
AA2400D4SR8S/8G
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IMUS   3 二 2/4 27.42
SYNUS   7 二 2/4 63.02
笔记本内存 – – AA3200D4SR8S/8G
AddOn - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
AA3200D4SR8S/8G
笔记本内存 – – AA3200D4SR8S/8G AddOn - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
AA3200D4SR8S/8G
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IMUS   79 二 2/4 27.42
SYNUS   60 二 2/4 59.92
笔记本内存 – – KVR32S22S8/8
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码：
KVR32S22S8/8
笔记本内存 – – KVR32S22S8/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码：
KVR32S22S8/8
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DHUS   92 三 2/5 28.38
SYNUS   5081 二 2/4 40.48
ASIUS   24 二 2/4 45.10
笔记本内存 – – KVR32S22S6/8
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
代码：
KVR32S22S6/8
笔记本内存 – – KVR32S22S6/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
代码：
KVR32S22S6/8
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DHUS   25 三 2/5 28.38
SYNUS   1914 二 2/4 40.50
ASIUS   33 二 2/4 44.86
笔记本内存 – – KCP432SS8/8
Kingston - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP432SS8/8
笔记本内存 – – KCP432SS8/8 Kingston - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP432SS8/8
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DHUS   38 三 2/5 28.91
SYNUS   2088 二 2/4 41.10
笔记本内存 – – PE251284
EDGE - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PE251284
笔记本内存 – – PE251284 EDGE - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PE251284
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SYNUS   600 二 2/4 34.11
笔记本内存 – – PE219406
EDGE - DDR3 - module - 1 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - unbuffered - non-ECC
代码：
PE219406
笔记本内存 – – PE219406 EDGE - DDR3 - module - 1 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - unbuffered - non-ECC
代码：
PE219406
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SYNUS   506 二 2/4 34.14
笔记本内存 – – PE229108
EDGE - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
PE229108
笔记本内存 – – PE229108 EDGE - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
PE229108
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SYNUS   600 二 2/4 34.14
笔记本内存 – – PE226459
EDGE - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - unbuffered - non-ECC
代码：
PE226459
笔记本内存 – – PE226459 EDGE - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - unbuffered - non-ECC
代码：
PE226459
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SYNUS   600 二 2/4 34.16
笔记本内存 – – CT8G48C40S5
Crucial - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT8G48C40S5
笔记本内存 – – CT8G48C40S5 Crucial - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT8G48C40S5
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BHUS   1+ 四 2/6 34.44
笔记本内存 – – PE225452
EDGE - DDR3 - module - 1 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
PE225452
笔记本内存 – – PE225452 EDGE - DDR3 - module - 1 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
PE225452
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SYNUS   565 二 2/4 34.72
笔记本内存 – – PE224226
EDGE - DDR2 - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 533 MHz / PC2-4200 - unbuffered - non-ECC - for Toshiba Satellite A100, A110, L20, L30, M100, M50, M60, M70, P100, U200
代码：
PE224226
笔记本内存 – – PE224226 EDGE - DDR2 - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 533 MHz / PC2-4200 - unbuffered - non-ECC - for Toshiba Satellite A100, A110, L20, L30, M100, M50, M60, M70, P100, U200
代码：
PE224226
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SYNUS   250 二 2/4 34.98
笔记本内存 – – CT8G56C46S5
Crucial - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - on-die ECC
代码：
CT8G56C46S5
笔记本内存 – – CT8G56C46S5 Crucial - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - on-die ECC
代码：
CT8G56C46S5
库存 数量 预计配送 价格
BHUS   1+ 四 2/6 35.57
ASIUS   129 二 2/4 51.35
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