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笔记本内存 –  – V7128004GBS-LV V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
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V7128004GBS-LV
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IMSE   2 三 7/17 177.93
DCSSE2   19 一 7/29 226.32
DE168   19 四 7/18 244.98
笔记本内存 –  – F3-12800CL11S-4GBSQ G.Skill SQ Series - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码:
F3-12800CL11S-4GBSQ
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DCSSE2   12 一 7/29 198.37
笔记本内存 –  – TS512MSH64V2D Transcend - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered
代码:
TS512MSH64V2D
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DCSSE2   27 一 7/29 200.11
笔记本内存 –  – V7128008GBS-LV V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码:
V7128008GBS-LV
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IMSE   6 三 7/17 200.97
DCSSE2   50 一 7/29 247.29
DE168   748 四 7/18 266.12
笔记本内存 –  – 992014 Mushkin Essentials - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码:
992014
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DCSSE2   5 一 7/29 201.86
笔记本内存 –  – F3-8500CL7S-4GBSQ G.Skill SQ Series - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - CL7 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码:
F3-8500CL7S-4GBSQ
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DCSSE2   5 一 7/29 203.61
笔记本内存 –  – MMG2491/4GB CoreParts - DDR2 - kit - 4 GB: 2 x 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
代码:
MMG2491/4GB
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EETSE   7 二 7/16 205.45
DK773   6 二 7/16 218.55
DCSSE2   6 一 7/29 229.81
笔记本内存 –  – V753001GBS V7 - DDR2 - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代码:
V753001GBS
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DCSSE2   7 一 7/29 207.09
DE168   7 四 7/18 227.54
笔记本内存 –  – PSD34G16002S Patriot Signature Line - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
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PSD34G16002S
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DCSSE2   29 一 7/29 222.82
笔记本内存 –  – V785004GBS V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - unbuffered - non-ECC
代码:
V785004GBS
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DCSSE2   50 一 7/29 226.32
DE168   104 四 7/18 246.04
笔记本内存 –  – PSD34G160081S Patriot Signature Line - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码:
PSD34G160081S
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DCSSE2   12 一 7/29 226.32
笔记本内存 –  – V7106004GBS V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码:
V7106004GBS
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DCSSE2   18 一 7/29 228.07
DE168   18 四 7/18 246.70
笔记本内存 –  – V753002GBS V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代码:
V753002GBS
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DCSSE2   50 一 7/29 228.07
DE168   94 四 7/18 248.28
笔记本内存 –  – PSD34G1600L2S Patriot Memory for Ultrabook - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码:
PSD34G1600L2S
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DCSSE2   17 一 7/29 228.07
笔记本内存 –  – V742002GBS V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 533 MHz / PC2-4200 - unbuffered - non-ECC
代码:
V742002GBS
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DCSSE2   30 一 7/29 229.81
DE168   30 四 7/18 248.81
笔记本内存 –  – V764002GBS V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
代码:
V764002GBS
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DCSSE2   50 一 7/29 229.81
DE168   141 四 7/18 248.81
笔记本内存 –  – GR1333S364L9S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码:
GR1333S364L9S/4G
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DCSSE2   30 一 7/29 229.81
笔记本内存 –  – GR1600S3V64L11S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码:
GR1600S3V64L11S/4G
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DCSSE2   34 一 7/29 229.81
笔记本内存 –  – KVR16LS11S6/2 Kingston ValueRAM - DDR3L - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码:
KVR16LS11S6/2
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DCSSE2   50 一 7/29 235.06
DE168   32 四 7/18 287.26
笔记本内存 –  – V7170004GBS V7 - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
V7170004GBS
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DCSSE2   45 一 7/29 236.81
DE168   45 四 7/18 255.42