DDR4

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DDR4 –  – HMA851U6CJR6N-VKN0 SK Hynix - DDR4 - module - 4 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
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HMA851U6CJR6N-VKN0
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DE501   100 三 2/12 22.30
DDR4 –  – M378A4G43AB2-CWE Samsung - DDR4 - module - 32 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
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M378A4G43AB2-CWE
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DE501   100 三 2/12 104.45
DDR4 –  – M471A5244CB0-CWE Samsung - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12; Wortmann TERRA Mobile 1516A, 1716A
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M471A5244CB0-CWE
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DE501   100 三 2/12 25.48
DDR4 –  – M393A8G40AB2-CWE Samsung - DDR4 - module - 64 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - registered - ECC
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M393A8G40AB2-CWE
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DE501   100 三 2/12 199.91
DK773   1 五 2/14 210.27
DDR4 –  – M378A5244CB0-CWE Samsung - DDR4 - module - 4 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
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M378A5244CB0-CWE
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DE501   100 三 2/12 25.48
DDR4 –  – KF436C17BB/8 Kingston FURY Beast - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 3600 MHz / PC4-28800 - CL17 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC - black
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KF436C17BB/8
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CZ017   100 一 2/17 36.28
CZ016   5 一 2/17 37.67
DDR4 –  – M393A1K43DB2-CWE Samsung - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - registered - ECC
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M393A1K43DB2-CWE
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DE501   100 三 2/12 51.05
DDR4 –  – KSM32ED8/32HC Kingston Server Premier - DDR4 - module - 32 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - ECC
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KSM32ED8/32HC
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CZ017   100 一 2/17 123.93
CZ016   29 一 2/17 124.52
DE168   7 四 2/13 125.70
TDBE   30 三 2/12 126.41
DDR4 –  – M378A1K43EB2-CWE Samsung - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
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M378A1K43EB2-CWE
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DE501   100 三 2/12 34.23
DK773   12 五 2/14 37.55
DDR4 –  – M471A2K43EB1-CWED0 Samsung - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
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M471A2K43EB1-CWED0
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DE501   100 三 2/12 58.43
DDR4 –  – M393A4K40EB3-CWE Samsung - DDR4 - module - 32 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - registered - ECC
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M393A4K40EB3-CWE
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DE501   100 三 2/12 102.18
DK773   12 五 2/14 136.98
DDR4 –  – GR3200D464L22/16G GOODRAM - DDR4 - module - 16 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
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GR3200D464L22/16G
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CZ017   100 一 2/17 41.07
DDR4 –  – M393A2K40EB3-CWE Samsung - DDR4 - module - 16 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - registered - ECC
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M393A2K40EB3-CWE
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DE501   100 三 2/12 65.82
DDR4 –  – F4-3200C16D-16GVKB G.Skill Ripjaws V - DDR4 - kit - 16 GB: 2 x 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL16 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC - classic black
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F4-3200C16D-16GVKB
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DE501   100 三 2/12 37.12
DDR4 –  – F4-3200C16D-32GVK G.Skill Ripjaws V - DDR4 - kit - 32 GB: 2 x 16 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL16 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC - classic black
代码:
F4-3200C16D-32GVK
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DE501   100 三 2/12 57.86
DDR4 –  – F4-3200C16D-16GIS G.Skill AEGIS - DDR4 - kit - 16 GB: 2 x 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL16 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码:
F4-3200C16D-16GIS
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DE501   100 三 2/12 33.15
DDR4 –  – M378A2K43EB1-CWE RAM DDR4 16GB / PC3200 / Samsung AS
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M378A2K43EB1-CWE
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DE501   100 三 2/12 36.95
DE501   38 三 2/12 58.43
DDR4 –  – MTA18ASF2G72PDZ-3G2J3UI-PULL RAM DDR4 REG 16GB / PC3200 / ECC / Micron(GBT / 2Rx8)Pull / Ref.
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MTA18ASF2G72PDZ-3G2J3UI-PULL
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DE501   100 三 2/12 52.18
DDR4 –  – F4-3200C16D-32GIS G.Skill AEGIS - DDR4 - kit - 32 GB: 2 x 16 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL16 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
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F4-3200C16D-32GIS
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DE501   100 三 2/12 53.03
DDR4 –  – M393A8G40BB4-CWE Samsung - DDR4 - module - 64 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - registered - ECC
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M393A8G40BB4-CWE
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DE501   100 三 2/12 206.50