笔记本内存

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交付日期： 星期三 31/07 (19)星期四 01/08 (29)星期五 02/08 (75)星期一 05/08 (92)星期二 06/08 (622)
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笔记本内存 – – V7106008GBS
V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106008GBS
笔记本内存 – – V7106008GBS V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106008GBS
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DE168   139 二 8/6 49.48
笔记本内存 – – V7149008GBS-LV
V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1866 MHz / PC3-14900 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7149008GBS-LV
笔记本内存 – – V7149008GBS-LV V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1866 MHz / PC3-14900 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7149008GBS-LV
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DE168   47 二 8/6 52.20
笔记本内存 – – AD4S26664G19-SGN
ADATA Premier Series - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
AD4S26664G19-SGN
笔记本内存 – – AD4S26664G19-SGN ADATA Premier Series - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
AD4S26664G19-SGN
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ELKRO   10 五 8/2 52.57
CZ016   17 二 8/6 86.22
笔记本内存 – – JM3200HSH-4G
Transcend JetRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM3200HSH-4G
笔记本内存 – – JM3200HSH-4G Transcend JetRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM3200HSH-4G
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DE168   1 二 8/6 53.46
APIDE   14 二 8/6 69.16
笔记本内存 – – KVR48S40BS6-8
Kingston ValueRAM - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - on-die ECC - for Intel Next Unit of Computing 13 Extreme Kit - NUC13RNGi9
代码：
KVR48S40BS6-8
笔记本内存 – – KVR48S40BS6-8 Kingston ValueRAM - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - on-die ECC - for Intel Next Unit of Computing 13 Extreme Kit - NUC13RNGi9
代码：
KVR48S40BS6-8
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ASBBG   1+ 五 8/2 54.75
ALSBG   16 三 7/31 60.57
APIDE   14 二 8/6 101.28
CZ016   2 二 8/6 120.10
笔记本内存 – – MMKN007-4GB
CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN007-4GB
笔记本内存 – – MMKN007-4GB CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN007-4GB
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DK773   27 二 8/6 55.35
笔记本内存 – – KVR26S19S6/4
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR26S19S6/4
笔记本内存 – – KVR26S19S6/4 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR26S19S6/4
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DE168   65 二 8/6 57.81
CZ017   99 二 8/6 71.20
ALSDE-2   79 二 8/6 72.04
DE181   74 二 8/6 75.38
APIDE   31 二 8/6 79.17
HU021   4 四 8/1 84.84
CZ016   77 二 8/6 97.38
笔记本内存 – – KVR32S22S6/4
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码：
KVR32S22S6/4
笔记本内存 – – KVR32S22S6/4 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码：
KVR32S22S6/4
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DE168   24 二 8/6 57.81
CZ017   19 二 8/6 73.06
APIDE   59 二 8/6 79.72
CZ016   14 二 8/6 99.13
FI896   10 二 8/6 142.29
笔记本内存 – – F3-12800CL11S-4GBSQ
G.Skill SQ Series - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F3-12800CL11S-4GBSQ
笔记本内存 – – F3-12800CL11S-4GBSQ G.Skill SQ Series - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F3-12800CL11S-4GBSQ
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PL111   10 二 8/6 57.88
笔记本内存 – – GR1600S3V64L11S/4G
GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S3V64L11S/4G
笔记本内存 – – GR1600S3V64L11S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S3V64L11S/4G
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PL111   8 二 8/6 60.08
CZ017   5 二 8/6 62.32
笔记本内存 – – GR1333S364L9S/4G
GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1333S364L9S/4G
笔记本内存 – – GR1333S364L9S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1333S364L9S/4G
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PL111   1 二 8/6 60.08
笔记本内存 – – V7213008GBS-SR
V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7213008GBS-SR
笔记本内存 – – V7213008GBS-SR V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7213008GBS-SR
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DE168   272 二 8/6 60.27
笔记本内存 – – MMD2608/2GB
CoreParts - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC - for Dell Inspiron 15 N5030, 15 N5050; Latitude E5420, E5520, E6420, E6430; XPS 14, 15, 17
代码：
MMD2608/2GB
笔记本内存 – – MMD2608/2GB CoreParts - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC - for Dell Inspiron 15 N5030, 15 N5050; Latitude E5420, E5520, E6420, E6430; XPS 14, 15, 17
代码：
MMD2608/2GB
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DK773   1 二 8/6 60.59
笔记本内存 – – MMH9657/2048
CoreParts - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC - for HP Pavilion Laptop dv3, dv3508, dv3539, dv3540, dv3560, dv3640, dv3650, dv3660, dv4
代码：
MMH9657/2048
笔记本内存 – – MMH9657/2048 CoreParts - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC - for HP Pavilion Laptop dv3, dv3508, dv3539, dv3540, dv3560, dv3640, dv3650, dv3660, dv4
代码：
MMH9657/2048
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DK773   5 二 8/6 60.59
笔记本内存 – – MMG2494/4GB
CoreParts - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMG2494/4GB
笔记本内存 – – MMG2494/4GB CoreParts - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMG2494/4GB
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DK773   27 二 8/6 60.59
笔记本内存 – – V727001GBS
V7 - DDR - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 333 MHz / PC2700 - unbuffered - non-ECC
代码：
V727001GBS
笔记本内存 – – V727001GBS V7 - DDR - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 333 MHz / PC2700 - unbuffered - non-ECC
代码：
V727001GBS
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DE168   21 二 8/6 60.66
笔记本内存 – – V732001GBS
V7 - DDR - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 400 MHz / PC3200 - unbuffered - non-ECC
代码：
V732001GBS
笔记本内存 – – V732001GBS V7 - DDR - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 400 MHz / PC3200 - unbuffered - non-ECC
代码：
V732001GBS
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DE168   4 二 8/6 60.77
笔记本内存 – – PSD44G240081S
Patriot Signature Line - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD44G240081S
笔记本内存 – – PSD44G240081S Patriot Signature Line - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD44G240081S
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PL111   21 二 8/6 61.00
CZ016   14 二 8/6 86.22
笔记本内存 – – KF426S15IB/8
Kingston FURY Impact - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代码：
KF426S15IB/8
笔记本内存 – – KF426S15IB/8 Kingston FURY Impact - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代码：
KF426S15IB/8
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DE168   25 二 8/6 61.74
PL591   6 五 8/2 75.10
CZ017   99 二 8/6 78.33
CZ016   2 二 8/6 105.12
笔记本内存 – – V7170008GBS
V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7170008GBS
笔记本内存 – – V7170008GBS V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7170008GBS
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DE168   246 二 8/6 61.77
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