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DRAM – – V7128008GBD
V7 - DDR3 - module - 8 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128008GBD
DRAM – – V7128008GBD V7 - DDR3 - module - 8 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128008GBD
库存 数量 预计配送 价格
DE168   864 一 7/29 49.08
DE712   864 一 8/12 86.98
DRAM – – V7128008GBS-LV
V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128008GBS-LV
DRAM – – V7128008GBS-LV V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128008GBS-LV
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DE168   720 一 7/29 48.58
DE712   723 一 8/12 70.89
DRAM – – TLZGD416G3200HC16F01
T-Force Vulcan Z - DDR4 - module - 16 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL16 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC - grey
代码：
TLZGD416G3200HC16F01
DRAM – – TLZGD416G3200HC16F01 T-Force Vulcan Z - DDR4 - module - 16 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL16 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC - grey
代码：
TLZGD416G3200HC16F01
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DE712   500 一 8/12 146.07
DRAM – – V764002GBD
V7 - DDR2 - module - 2 GB - DIMM 240-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
代码：
V764002GBD
DRAM – – V764002GBD V7 - DDR2 - module - 2 GB - DIMM 240-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
代码：
V764002GBD
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DE168   357 一 7/29 45.13
DE712   357 一 8/12 70.18
DRAM – – CT16G48C40U5
Crucial - DDR5 - module - 16 GB - DIMM 288-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT16G48C40U5
DRAM – – CT16G48C40U5 Crucial - DDR5 - module - 16 GB - DIMM 288-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT16G48C40U5
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DE181   300 一 7/29 130.07
DE712   100 一 8/12 153.99
CZ016   5 一 7/29 161.29
DRAM – – V7128004GBD
V7 - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128004GBD
DRAM – – V7128004GBD V7 - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128004GBD
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DE168   293 一 7/29 44.47
DE712   293 一 8/12 69.27
DRAM – – M471A1K43EB1-CWE
Samsung - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
M471A1K43EB1-CWE
DRAM – – M471A1K43EB1-CWE Samsung - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
M471A1K43EB1-CWE
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PL591   277 四 7/25 89.28
DE181   63 一 7/29 94.03
APIDE   9 一 7/29 98.77
DE712   50 一 8/12 115.65
DRAM – – F5-6000J3238F16GX2-FX5
G.Skill Flare X5 - DDR5 - kit - 32 GB: 2 x 16 GB - DIMM 288-pin low profile - 6000 MHz / PC5-48000 - CL32 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC - matte black
代码：
F5-6000J3238F16GX2-FX5
DRAM – – F5-6000J3238F16GX2-FX5 G.Skill Flare X5 - DDR5 - kit - 32 GB: 2 x 16 GB - DIMM 288-pin low profile - 6000 MHz / PC5-48000 - CL32 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC - matte black
代码：
F5-6000J3238F16GX2-FX5
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APIDE   273 一 7/29 288.52
DE712   83 一 8/12 334.83
DRAM – – V7170008GBS
V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7170008GBS
DRAM – – V7170008GBS V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7170008GBS
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DE168   249 一 7/29 61.40
DE712   249 一 8/12 100.66
DRAM – – KVR16LS11/4
Kingston ValueRAM - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR16LS11/4
DRAM – – KVR16LS11/4 Kingston ValueRAM - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR16LS11/4
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DE168   225 一 7/29 67.77
CZ017   100 一 7/29 79.65
ALSDE-2   25 一 7/29 82.73
DE181   44 一 7/29 84.21
APIDE   83 一 7/29 87.58
CZ148   9 一 7/29 103.44
DE712   225 一 8/12 105.59
CZ016   5 一 7/29 106.93
DRAM – – P18450-B21
HPE FIO Kit - DDR4 - module - 32 GB - DIMM 288-pin - 2933 MHz / PC4-23400 - CL21 - 1.2 V - registered - ECC
代码：
P18450-B21
DRAM – – P18450-B21 HPE FIO Kit - DDR4 - module - 32 GB - DIMM 288-pin - 2933 MHz / PC4-23400 - CL21 - 1.2 V - registered - ECC
代码：
P18450-B21
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DK773   206 一 7/29 530.97
DRAM – – P03052-091
HPE SmartMemory - DDR4 - module - 32 GB - DIMM 288-pin - 2933 MHz / PC4-23400 - CL21 - 1.2 V - registered - ECC
代码：
P03052-091
DRAM – – P03052-091 HPE SmartMemory - DDR4 - module - 32 GB - DIMM 288-pin - 2933 MHz / PC4-23400 - CL21 - 1.2 V - registered - ECC
代码：
P03052-091
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DK773   206 一 7/29 424.84
MKDE   11 五 7/26 428.53
DE712   206 一 8/12 619.26
DRAM – – P28225-B21
HPE Synergy Smart Memory - DDR4 - module - 32 GB - DIMM 288-pin - 2933 MHz / PC4-23400 - CL21 - 1.2 V - registered - ECC - for Synergy 480 Gen10, 660 Gen10
代码：
P28225-B21
DRAM – – P28225-B21 HPE Synergy Smart Memory - DDR4 - module - 32 GB - DIMM 288-pin - 2933 MHz / PC4-23400 - CL21 - 1.2 V - registered - ECC - for Synergy 480 Gen10, 660 Gen10
代码：
P28225-B21
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DK773   206 一 7/29 398.63
DE712   206 一 8/12 525.45
DRAM – – CT16G4SFD824A
Crucial - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT16G4SFD824A
DRAM – – CT16G4SFD824A Crucial - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT16G4SFD824A
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DE181   200 一 7/29 111.33
DE712   340 一 8/12 128.88
DRAM – – SP008GBSFU266X02
SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP008GBSFU266X02
DRAM – – SP008GBSFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP008GBSFU266X02
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DE712   200 一 8/12 105.74
DRAM – – F4-3600C16D-32GTZNC
G.Skill TridentZ Neo Series - DDR4 - kit - 32 GB: 2 x 16 GB - DIMM 288-pin - 3600 MHz / PC4-28800 - CL16 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC - brushed black, brushed aluminium black, powder coated silver
代码：
F4-3600C16D-32GTZNC
DRAM – – F4-3600C16D-32GTZNC G.Skill TridentZ Neo Series - DDR4 - kit - 32 GB: 2 x 16 GB - DIMM 288-pin - 3600 MHz / PC4-28800 - CL16 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC - brushed black, brushed aluminium black, powder coated silver
代码：
F4-3600C16D-32GTZNC
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DE712   192 一 8/12 260.07
PL111   5 一 7/29 265.42
DRAM – – V7170008GBD
V7 - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7170008GBD
DRAM – – V7170008GBD V7 - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7170008GBD
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DE168   177 一 7/29 62.53
DE712   172 一 8/12 86.22
DRAM – – V7106008GBD
V7 - DDR3 - module - 8 GB - DIMM 240-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106008GBD
DRAM – – V7106008GBD V7 - DDR3 - module - 8 GB - DIMM 240-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106008GBD
库存 数量 预计配送 价格
DE168   172 一 7/29 49.37
DE712   172 一 8/12 93.22
DRAM – – 850880-001
HPE - DDR4 - module - 16 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - registered - ECC
代码：
850880-001
DRAM – – 850880-001 HPE - DDR4 - module - 16 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - registered - ECC
代码：
850880-001
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DK773   172 一 7/29 312.16
MKDE   7 五 7/26 334.20
DE712   7 一 8/12 407.71
DRAM – – 840757-091
HPE SmartMemory - DDR4 - module - 16 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - registered - ECC
代码：
840757-091
DRAM – – 840757-091 HPE SmartMemory - DDR4 - module - 16 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - registered - ECC
代码：
840757-091
库存 数量 预计配送 价格
DK773   172 一 7/29 322.64
MKDE   7 五 7/26 342.06
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