筆記本記憶體

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筆記本記憶體 – – F5-4800S4039A16GX1-RS
G.Skill Ripjaws - DDR5 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V
代碼：
F5-4800S4039A16GX1-RS
筆記本記憶體 – – F5-4800S4039A16GX1-RS G.Skill Ripjaws - DDR5 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V
代碼：
F5-4800S4039A16GX1-RS
庫存 數量 預計配送 價格
PL111   1 一 7/10 135.58
APIDE   4 一 7/10 150.13
DE712   4 三 16/10 173.43
筆記本記憶體 – – KVR48S40BS8-16
Kingston ValueRAM - DDR5 - module - 16 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - on-die ECC - for Intel Next Unit of Computing 13 Extreme Kit - NUC13RNGi9
代碼：
KVR48S40BS8-16
筆記本記憶體 – – KVR48S40BS8-16 Kingston ValueRAM - DDR5 - module - 16 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - on-die ECC - for Intel Next Unit of Computing 13 Extreme Kit - NUC13RNGi9
代碼：
KVR48S40BS8-16
庫存 數量 預計配送 價格
CZ017   4 三 9/10 135.65
APIDE   10 一 7/10 144.68
CZ148   12 三 9/10 154.54
DE712   224 三 16/10 159.60
CZ016   12 三 9/10 160.80
筆記本記憶體 – – OWC5300DDR2S4GP
Other World Computing - DDR2 - kit - 4 GB: 2 x 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - CL5 - unbuffered - non-ECC
代碼：
OWC5300DDR2S4GP
筆記本記憶體 – – OWC5300DDR2S4GP Other World Computing - DDR2 - kit - 4 GB: 2 x 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - CL5 - unbuffered - non-ECC
代碼：
OWC5300DDR2S4GP
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DE712   2 三 16/10 136.46
筆記本記憶體 – – MMG2426/4GB
CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC - for Acer Aspire V3, V5
代碼：
MMG2426/4GB
筆記本記憶體 – – MMG2426/4GB CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC - for Acer Aspire V3, V5
代碼：
MMG2426/4GB
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DK773   1 一 7/10 136.58
筆記本記憶體 – – MMKN027-8GB
CoreParts - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
MMKN027-8GB
筆記本記憶體 – – MMKN027-8GB CoreParts - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
MMKN027-8GB
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DK773   15 一 7/10 136.58
DE712   15 三 16/10 208.44
筆記本記憶體 – – 01AG823
SK Hynix - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for ThinkBook 13; 14; ThinkCentre M625; M715q (2nd Gen); M720; M920; M920z AIO; V14; V15
代碼：
01AG823
筆記本記憶體 – – 01AG823 SK Hynix - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for ThinkBook 13; 14; ThinkCentre M625; M715q (2nd Gen); M720; M920; M920z AIO; V14; V15
代碼：
01AG823
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DK773   1 一 7/10 136.58
筆記本記憶體 – – KF426S15IBK2/16
Kingston FURY Impact - DDR4 - kit - 16 GB: 2 x 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代碼：
KF426S15IBK2/16
筆記本記憶體 – – KF426S15IBK2/16 Kingston FURY Impact - DDR4 - kit - 16 GB: 2 x 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代碼：
KF426S15IBK2/16
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CZ016   5 三 9/10 137.16
DE712   7 三 16/10 144.42
筆記本記憶體 – – M471A1K43EB1-CWED0
Samsung - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Wortmann TERRA Mobile 1516, 1551P
代碼：
M471A1K43EB1-CWED0
筆記本記憶體 – – M471A1K43EB1-CWED0 Samsung - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Wortmann TERRA Mobile 1516, 1551P
代碼：
M471A1K43EB1-CWED0
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DE712   100 三 16/10 137.45
筆記本記憶體 – – V74480016GBS
V7 - DDR5 - module - 16 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - unbuffered - on-die ECC
代碼：
V74480016GBS
筆記本記憶體 – – V74480016GBS V7 - DDR5 - module - 16 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - unbuffered - on-die ECC
代碼：
V74480016GBS
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DE168   15 一 7/10 137.66
DE712   15 三 16/10 177.05
筆記本記憶體 – – MMLE084-8GB
CoreParts - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Lenovo Legion Y520-15IKBN 80WK
代碼：
MMLE084-8GB
筆記本記憶體 – – MMLE084-8GB CoreParts - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Lenovo Legion Y520-15IKBN 80WK
代碼：
MMLE084-8GB
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DK773   2 一 7/10 137.89
筆記本記憶體 – – KCP556SS8-16
Kingston - DDR5 - module - 16 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - unbuffered - on-die ECC
代碼：
KCP556SS8-16
筆記本記憶體 – – KCP556SS8-16 Kingston - DDR5 - module - 16 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - unbuffered - on-die ECC
代碼：
KCP556SS8-16
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DE168   36 一 7/10 138.26
PL111   2 一 7/10 140.05
ALSDE-2   101 一 7/10 147.74
DE712   101 三 16/10 168.01
CZ016   28 三 9/10 169.76
DK231   88 一 7/10 263.32
筆記本記憶體 – – CMSO8GX3M1C1600C11
CORSAIR Value Select - DDR3L - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
CMSO8GX3M1C1600C11
筆記本記憶體 – – CMSO8GX3M1C1600C11 CORSAIR Value Select - DDR3L - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
CMSO8GX3M1C1600C11
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DE712   41 三 16/10 138.74
筆記本記憶體 – – MMKN022-8GB
CoreParts - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC - for Acer Aspire 5950; Sony VAIO E Series SVE14; VAIO S Series SVS13, SVS1511
代碼：
MMKN022-8GB
筆記本記憶體 – – MMKN022-8GB CoreParts - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC - for Acer Aspire 5950; Sony VAIO E Series SVE14; VAIO S Series SVS13, SVS1511
代碼：
MMKN022-8GB
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DK773   3 一 7/10 139.20
筆記本記憶體 – – CMSX16GX4M2A2400C16
CORSAIR Vengeance - DDR4 - kit - 16 GB: 2 x 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL16 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
CMSX16GX4M2A2400C16
筆記本記憶體 – – CMSX16GX4M2A2400C16 CORSAIR Vengeance - DDR4 - kit - 16 GB: 2 x 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL16 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
CMSX16GX4M2A2400C16
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DE712   9 三 16/10 139.97
筆記本記憶體 – – MMG2313/2048
CoreParts - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC - for Fujitsu CELSIUS Mobile H710, H720; LIFEBOOK NH751, P701
代碼：
MMG2313/2048
筆記本記憶體 – – MMG2313/2048 CoreParts - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC - for Fujitsu CELSIUS Mobile H710, H720; LIFEBOOK NH751, P701
代碼：
MMG2313/2048
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DK773   1 一 7/10 140.51
筆記本記憶體 – – MMA8228/8GB
CoreParts - DDR3 - kit - 8 GB: 2 x 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - unbuffered - non-ECC
代碼：
MMA8228/8GB
筆記本記憶體 – – MMA8228/8GB CoreParts - DDR3 - kit - 8 GB: 2 x 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - unbuffered - non-ECC
代碼：
MMA8228/8GB
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DK773   3 一 7/10 140.51
筆記本記憶體 – – MMKN045-8GB
CoreParts - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
MMKN045-8GB
筆記本記憶體 – – MMKN045-8GB CoreParts - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
MMKN045-8GB
庫存 數量 預計配送 價格
DK773   2 一 7/10 140.51
筆記本記憶體 – – JM5600ASE-16G
Transcend JetRAM - DDR5 - module - 16 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - unbuffered - on-die ECC
代碼：
JM5600ASE-16G
筆記本記憶體 – – JM5600ASE-16G Transcend JetRAM - DDR5 - module - 16 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - unbuffered - on-die ECC
代碼：
JM5600ASE-16G
庫存 數量 預計配送 價格
CZ017   50 三 9/10 141.38
CZ148   7 三 9/10 163.92
DE712   50 三 16/10 186.14
筆記本記憶體 – – M471A1K43DB1-CWE
Samsung - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3
代碼：
M471A1K43DB1-CWE
筆記本記憶體 – – M471A1K43DB1-CWE Samsung - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3
代碼：
M471A1K43DB1-CWE
庫存 數量 預計配送 價格
DE712   21 三 16/10 141.65
筆記本記憶體 – – MMG2438/4GB
CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC - for Samsung Series 9 900X4C
代碼：
MMG2438/4GB
筆記本記憶體 – – MMG2438/4GB CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC - for Samsung Series 9 900X4C
代碼：
MMG2438/4GB
庫存 數量 預計配送 價格
DK773   1 一 7/10 141.82
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