SILICON POWER - DDR4 - moduł - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC

Kategoria DDR4
Kod produktu SP004GBSFU240X02
Gwarancja Nieznany
Zdjęcia tylko dla celów ilustracyjnych!
Produkt czasowo niedostępny
Zapytaj o ofertę
Opis produktu
SILICON POWER - DDR4 - moduł - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - niebuforowana
Typ produktu
Moduł pamięci
Pojemność
4 GB
Typ pamięci
DDR4 SDRAM - SO-DIMM 260-pin
Sposób rozbudowy
Standardowy
Sprawdzenie intgralności danych
Bez ECC
Szybkość
2400 MHz (PC4-19200)
Latency Timings
CL17
Cechy
Niebuforowana
Napięcie
1.2 V
Gwarancja producenta
Ograniczona gwarancja dożywotnia (do 5 lat od wycofania z produkcji/sprzedaży przez producenta)
Pojemność
4 GB
Sposób rozbudowy
Standardowy
Typ
DRAM moduł pamięci
Technologia
DDR4 SDRAM
Rodzaj obudowy
SO-DIMM 260-pin
Szybkość
2400 MHz (PC4-19200)
Latency Timings
CL17
Sprawdzenie intgralności danych
Bez ECC
Charakterystyka
Niebuforowana
Napięcie
1.2 V
Zgodność z normami
FCC, RoHS, WEEE, Green Dot, JEDEC
Obsługa i wsparcie
Ograniczona gwarancja dożywotnia (do 5 lat od wycofania z produkcji/sprzedaży przez producenta)