笔记本内存

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笔记本内存 – – CT16G48C40S5
Crucial - DDR5 - module - 16 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT16G48C40S5
笔记本内存 – – CT16G48C40S5 Crucial - DDR5 - module - 16 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT16G48C40S5
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TDCH4   1052 五 2/21 59.28
笔记本内存 – – V7213008GBS-SR
V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7213008GBS-SR
笔记本内存 – – V7213008GBS-SR V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7213008GBS-SR
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IMCH3   462 五 2/14 22.16
DE168   462 二 2/18 45.65
笔记本内存 – – V7128008GBS-LV
V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128008GBS-LV
笔记本内存 – – V7128008GBS-LV V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128008GBS-LV
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IMCH3   277 五 2/14 17.46
DE168   276 二 2/18 39.86
笔记本内存 – – CT32G48C40S5
Crucial - DDR5 - module - 32 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT32G48C40S5
笔记本内存 – – CT32G48C40S5 Crucial - DDR5 - module - 32 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT32G48C40S5
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TDCH4   235 五 2/21 101.30
笔记本内存 – – KVR32S22S8/16
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
代码：
KVR32S22S8/16
笔记本内存 – – KVR32S22S8/16 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
代码：
KVR32S22S8/16
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IMCH3   194 五 2/14 37.85
CH040   41 四 2/13 39.90
ALSCH   10 三 2/19 53.15
DE168   193 二 2/18 63.56
笔记本内存 – – KVR56S46BD8-32
Kingston ValueRAM - DDR5 - module - 32 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz - CL46 - 1.1 V - unbuffered - on-die ECC
代码：
KVR56S46BD8-32
笔记本内存 – – KVR56S46BD8-32 Kingston ValueRAM - DDR5 - module - 32 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz - CL46 - 1.1 V - unbuffered - on-die ECC
代码：
KVR56S46BD8-32
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IMCH3   159 五 2/14 85.30
DE168   159 二 2/18 153.28
笔记本内存 – – V72130016GBS
V7 - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V72130016GBS
笔记本内存 – – V72130016GBS V7 - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V72130016GBS
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IMCH3   143 五 2/14 35.78
DE168   143 二 2/18 62.42
笔记本内存 – – CT2K8G56C46S5
Crucial - DDR5 - kit - 16 GB: 2 x 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - on-die ECC - black
代码：
CT2K8G56C46S5
笔记本内存 – – CT2K8G56C46S5 Crucial - DDR5 - kit - 16 GB: 2 x 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - on-die ECC - black
代码：
CT2K8G56C46S5
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TDCH4   141 五 2/21 65.13
笔记本内存 – – V7149008GBS-LV
V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1866 MHz / PC3-14900 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7149008GBS-LV
笔记本内存 – – V7149008GBS-LV V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1866 MHz / PC3-14900 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7149008GBS-LV
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IMCH3   134 五 2/14 18.60
DE168   134 二 2/18 41.25
笔记本内存 – – 5M30V06796
Lenovo - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - FRU - for IdeaCentre Mini 5 01IMH05; ThinkCentre M70; M75q Gen 2; M80; M90; ThinkStation P340
代码：
5M30V06796
笔记本内存 – – 5M30V06796 Lenovo - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - FRU - for IdeaCentre Mini 5 01IMH05; ThinkCentre M70; M75q Gen 2; M80; M90; ThinkStation P340
代码：
5M30V06796
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DK773   128 二 2/18 222.21
笔记本内存 – – 5M30V06803
Lenovo - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - unbuffered - non-ECC - FRU - for ThinkCentre M60; M90; ThinkPad E15 Gen 2; P14s Gen 1; ThinkStation P340; V50a-24IMB AIO
代码：
5M30V06803
笔记本内存 – – 5M30V06803 Lenovo - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - unbuffered - non-ECC - FRU - for ThinkCentre M60; M90; ThinkPad E15 Gen 2; P14s Gen 1; ThinkStation P340; V50a-24IMB AIO
代码：
5M30V06803
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DK773   128 二 2/18 220.84
笔记本内存 – – 5M30V06970
Samsung - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600
代码：
5M30V06970
笔记本内存 – – 5M30V06970 Samsung - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600
代码：
5M30V06970
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DK773   128 二 2/18 242.10
笔记本内存 – – 5M30Z71647
Lenovo - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - FRU
代码：
5M30Z71647
笔记本内存 – – 5M30Z71647 Lenovo - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - FRU
代码：
5M30Z71647
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DK773   128 二 2/18 240.72
笔记本内存 – – 5M30Z71713
Lenovo - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - FRU - for IdeaCentre Mini 01; ThinkBook 14 G5 IRL; ThinkCentre neo 30a 27 Gen 4; 50q Gen 4
代码：
5M30Z71713
笔记本内存 – – 5M30Z71713 Lenovo - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - FRU - for IdeaCentre Mini 01; ThinkBook 14 G5 IRL; ThinkCentre neo 30a 27 Gen 4; 50q Gen 4
代码：
5M30Z71713
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DK773   128 二 2/18 240.72
笔记本内存 – – KVR32S22S6/8
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
代码：
KVR32S22S6/8
笔记本内存 – – KVR32S22S6/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
代码：
KVR32S22S6/8
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IMCH3   125 五 2/14 24.54
CH040   24 四 2/13 26.34
ALSCH   3 三 2/19 38.51
DE168   127 二 2/18 47.83
笔记本内存 – – KVR16LS11/8
Kingston ValueRAM - DDR3L - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 / 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR16LS11/8
笔记本内存 – – KVR16LS11/8 Kingston ValueRAM - DDR3L - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 / 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR16LS11/8
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IMCH3   113 五 2/14 45.02
CH040   12 四 2/13 47.36
DE168   112 二 2/18 105.66
笔记本内存 – – KF548S38IB-16
Kingston FURY Impact - DDR5 - module - 16 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL38 - 1.1 V - unbuffered - on-die ECC - for Intel Next Unit of Computing 13 Extreme Kit - NUC13RNGi9
代码：
KF548S38IB-16
笔记本内存 – – KF548S38IB-16 Kingston FURY Impact - DDR5 - module - 16 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL38 - 1.1 V - unbuffered - on-die ECC - for Intel Next Unit of Computing 13 Extreme Kit - NUC13RNGi9
代码：
KF548S38IB-16
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TDCH4   104 五 2/21 63.49
笔记本内存 – – M471A5244CB0-CWE
Samsung - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12; Wortmann TERRA Mobile 1516A, 1716A
代码：
M471A5244CB0-CWE
笔记本内存 – – M471A5244CB0-CWE Samsung - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12; Wortmann TERRA Mobile 1516A, 1716A
代码：
M471A5244CB0-CWE
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WODE   100 三 2/19 49.89
笔记本内存 – – M471A2K43EB1-CWED0
Samsung - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
M471A2K43EB1-CWED0
笔记本内存 – – M471A2K43EB1-CWED0 Samsung - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
M471A2K43EB1-CWED0
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WODE   100 三 2/19 124.67
笔记本内存 – – M425R1GB4PB0-CWM
Samsung - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz - CL40 - 1.1 V - unbuffered
代码：
M425R1GB4PB0-CWM
笔记本内存 – – M425R1GB4PB0-CWM Samsung - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz - CL40 - 1.1 V - unbuffered
代码：
M425R1GB4PB0-CWM
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WODE   100 三 2/19 58.30
WODE   100 三 2/19 71.01
笔记本内存 – – M471A2G43AB2-CWE
Samsung - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
M471A2G43AB2-CWE
笔记本内存 – – M471A2G43AB2-CWE Samsung - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
M471A2G43AB2-CWE
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WODE   100 三 2/19 63.96
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