筆記本記憶體

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筆記本記憶體 –  – TED44G2666C19-S01 Team Elite - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
TED44G2666C19-S01
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EXSI   29 五 12/7 17.32
筆記本記憶體 –  – M471A5244CB0-CTD Samsung - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
M471A5244CB0-CTD
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ASBSI   74 五 12/7 18.10
筆記本記憶體 –  – LD4AS008G-B3200GSST Lexar - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
LD4AS008G-B3200GSST
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EVSSI   313 五 12/7 22.79
ASBSI   187 五 12/7 24.64
PL111   30+ 二 16/7 36.55
DE712   446 五 19/7 72.28
筆記本記憶體 –  – CT4G4SFS824A Crucial - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
CT4G4SFS824A
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EVSSI   17 五 12/7 23.12
EXSI   10 五 12/7 23.28
JARDE2   125 二 16/7 37.77
DCSSID   50 四 18/7 46.14
KOSDES   100 二 16/7 47.10
DE712   27 五 19/7 57.90
筆記本記憶體 –  – KVR32S22S6/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
代碼:
KVR32S22S6/8
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AVTSI   4 五 12/7 23.92
EXSI   22 五 12/7 34.27
ALSDE-2   17 三 17/7 38.42
DE168   177 二 16/7 39.15
PL111   30+ 二 16/7 41.85
CZ017   10 二 16/7 49.24
DE712   178 五 19/7 51.64
JARDE2   598 二 16/7 54.16
HU021   5 三 17/7 58.72
筆記本記憶體 –  – KVR26S19S6/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
KVR26S19S6/8
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AVTSI   2 五 12/7 23.92
ALSDE-2   25 三 17/7 38.42
DE168   9 二 16/7 39.24
CZ148   33 二 16/7 42.25
CZ017   100 二 16/7 46.27
KOSDES   36 二 16/7 51.84
PL591   1 二 16/7 53.77
DE712   15 五 19/7 54.18
筆記本記憶體 –  – KF426S15IB/8 Kingston FURY Impact - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代碼:
KF426S15IB/8
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AVTSI   1 五 12/7 24.40
DE168   25 二 16/7 39.70
PL111   3 二 16/7 42.41
PL591   9 二 16/7 46.54
CZ017   100 二 16/7 46.73
DE712   27 五 19/7 51.97
筆記本記憶體 –  – KVR26S19S6/4 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
KVR26S19S6/4
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PCPSI   2 五 12/7 25.17
EXSI   16 五 12/7 26.56
ALSDE-2   80 三 17/7 36.09
DE168   80 二 16/7 36.82
CZ017   100 二 16/7 42.27
HU028   4 四 18/7 46.31
KOSDES   79 二 16/7 47.42
DE712   80 五 19/7 48.89
HU021   5 三 17/7 53.31
筆記本記憶體 –  – V753001GBS V7 - DDR2 - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代碼:
V753001GBS
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DE168   7 二 16/7 25.18
DE712   7 五 19/7 48.96
筆記本記憶體 –  – TED48G2666C19-S01 Team Elite - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
TED48G2666C19-S01
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EXSI   16 五 12/7 26.33
DE712   100 五 19/7 54.64
筆記本記憶體 –  – CT8G4DFRA32AT Crucial - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered
代碼:
CT8G4DFRA32AT
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ASBSI   12 五 12/7 26.74
筆記本記憶體 –  – V7128004GBS-DR-LV V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
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V7128004GBS-DR-LV
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DE168   162 二 16/7 27.30
DE712   162 五 19/7 39.38
筆記本記憶體 –  – V7128004GBS-LV V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
V7128004GBS-LV
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DE168   19 二 16/7 27.32
DE712   59 五 19/7 51.74
筆記本記憶體 –  – V785004GBS V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - unbuffered - non-ECC
代碼:
V785004GBS
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DE168   104 二 16/7 27.45
DE712   106 五 19/7 42.02
筆記本記憶體 –  – V7106004GBS V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代碼:
V7106004GBS
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DE168   18 二 16/7 27.55
DE712   18 五 19/7 41.61
筆記本記憶體 –  – V753002GBS V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代碼:
V753002GBS
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DE168   94 二 16/7 27.74
DE712   94 五 19/7 48.53
筆記本記憶體 –  – V742002GBS V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 533 MHz / PC2-4200 - unbuffered - non-ECC
代碼:
V742002GBS
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DE168   30 二 16/7 27.77
DE712   30 五 19/7 52.69
筆記本記憶體 –  – V764002GBS V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
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V764002GBS
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DE168   141 二 16/7 27.79
DE712   143 五 19/7 50.18
筆記本記憶體 –  – TED48G3200C22-S01 Team Elite - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
TED48G3200C22-S01
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EXSI   25 五 12/7 27.84
DE712   100 五 19/7 54.88
筆記本記憶體 –  – V7170004GBS V7 - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
V7170004GBS
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DE168   45 二 16/7 28.58
DE712   46 五 19/7 51.03