DRAM

Paràmetres del producte

En estoc (15420)
Tot (16259)
Lliurament per
Lliurament per data: dijous 08/08 (27)divendres 09/08 (312)dilluns 12/08 (1344)dimarts 13/08 (2974)dimecres 14/08 (3090)
Marca
Kingston (673)Crucial (139)Patriot Memory (166)Lexar (54)G.Skill (311)Wilk Elektronik (72)Lenovo (154)Samsung (72)HP Inc. (130)Hewlett Packard Enterprise (122)Dell (107)
Capacitat de la RAM
 - 
Preu
 - 
  EUR
Sol·licitar
Cerca
Restabliment
DRAM – – M471A5244CB0-CTD
Samsung - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
M471A5244CB0-CTD
DRAM – – M471A5244CB0-CTD Samsung - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
M471A5244CB0-CTD
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
ASBSI   64 dv. 9/8 11,69
DRAM – – TED44G2666C19-S01
Team Elite - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
TED44G2666C19-S01
DRAM – – TED44G2666C19-S01 Team Elite - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
TED44G2666C19-S01
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
EXSI   24 dv. 9/8 17,32
DRAM – – TED34G1600C1101
Team Elite - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CODI:
TED34G1600C1101
DRAM – – TED34G1600C1101 Team Elite - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CODI:
TED34G1600C1101
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
EXSI   50 dv. 9/8 18,08
DE712   46 dl. 19/8 63,68
DRAM – – TED3L4G1600C1101
Team Elite - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CODI:
TED3L4G1600C1101
DRAM – – TED3L4G1600C1101 Team Elite - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CODI:
TED3L4G1600C1101
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
EXSI   11 dv. 9/8 18,08
DRAM – – TED44G2666C1901
Team Elite - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
TED44G2666C1901
DRAM – – TED44G2666C1901 Team Elite - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
TED44G2666C1901
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
EXSI   22 dv. 9/8 18,08
DRAM – – AU04GFA60CATBGC
Apacer - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CODI:
AU04GFA60CATBGC
DRAM – – AU04GFA60CATBGC Apacer - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CODI:
AU04GFA60CATBGC
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
TTTSI   26 dv. 9/8 20,09
DRAM – – KVR26N19S6/8
Kingston ValueRAM - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
KVR26N19S6/8
DRAM – – KVR26N19S6/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
KVR26N19S6/8
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
ALSSI   6 dj. 8/8 21,80
PCPSI   6 dv. 9/8 24,20
EXSI   8 dv. 9/8 34,27
DE168   37 dt. 13/8 37,15
CZ016   100 dl. 12/8 42,00
CZ148   32 dl. 12/8 42,02
CZ017   99 dl. 12/8 43,79
HU028   5 dc. 14/8 46,75
KOSDES   19 dt. 13/8 49,84
DE712   23 dl. 19/8 53,19
DRAM – – KVR26S19S6/8
Kingston ValueRAM - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
KVR26S19S6/8
DRAM – – KVR26S19S6/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
KVR26S19S6/8
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
AVTSI   1 dv. 9/8 22,00
ALSDE-2   38 dc. 14/8 36,20
DE168   41 dt. 13/8 37,15
CZ016   100 dl. 12/8 42,26
CZ148   20 dl. 12/8 42,41
CZ017   55 dl. 12/8 46,19
HU028   3 dc. 14/8 46,54
KOSDES   36 dt. 13/8 48,79
DE712   41 dl. 19/8 51,95
PL591   1 dl. 12/8 53,45
DRAM – – KVR32S22S6/8
Kingston ValueRAM - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC - para Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
CODI:
KVR32S22S6/8
DRAM – – KVR32S22S6/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC - para Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
CODI:
KVR32S22S6/8
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
AVTSI   8 dv. 9/8 22,00
EXSI   17 dv. 9/8 34,27
ALSDE-2   29 dc. 14/8 36,20
DE168   127 dt. 13/8 37,15
PL111   7 dt. 13/8 39,54
CZ016   40 dl. 12/8 42,26
HU028   20 dc. 14/8 46,54
DE712   128 dl. 19/8 49,04
CZ017   24 dl. 12/8 49,09
JARDE2   581 dl. 12/8 54,16
HU021   1 dc. 14/8 58,02
DRAM – – F4-3200C16S-8GIS
G.Skill AEGIS - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL16 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-3200C16S-8GIS
DRAM – – F4-3200C16S-8GIS G.Skill AEGIS - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL16 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-3200C16S-8GIS
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
EVSSI   68 dv. 9/8 22,16
PL111   8 dt. 13/8 39,26
KOSDES   57 dt. 13/8 45,74
DCSSID   14 dv. 16/8 51,08
DE712   229 dl. 19/8 58,74
DRAM – – LD4AS008G-B3200GSST
Lexar - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
LD4AS008G-B3200GSST
DRAM – – LD4AS008G-B3200GSST Lexar - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
LD4AS008G-B3200GSST
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
EVSSI   289 dv. 9/8 22,16
ASBSI   184 dv. 9/8 23,39
PL111   30+ dt. 13/8 35,31
DE712   426 dl. 19/8 71,96
DRAM – – CT4G4SFS824A
Crucial - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
CT4G4SFS824A
DRAM – – CT4G4SFS824A Crucial - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
CT4G4SFS824A
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
EVSSI   17 dv. 9/8 23,12
EXSI   8 dv. 9/8 23,28
JARDE2   123 dl. 12/8 37,77
DCSSID   50 dv. 16/8 44,63
DE712   70 dl. 19/8 46,26
KOSDES   100 dt. 13/8 46,70
DRAM – – F4-3200C22S-8GRS
G.Skill Ripjaws - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-3200C22S-8GRS
DRAM – – F4-3200C22S-8GRS G.Skill Ripjaws - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-3200C22S-8GRS
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
EVSSI   4 dv. 9/8 23,75
PL111   5 dt. 13/8 38,92
DE712   21 dl. 19/8 52,23
DK773   5 dt. 13/8 54,77
DRAM – – F4-2666C19S-8GIS
G.Skill AEGIS - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-2666C19S-8GIS
DRAM – – F4-2666C19S-8GIS G.Skill AEGIS - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-2666C19S-8GIS
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
PCPSI   7 dv. 9/8 24,36
PL111   6 dt. 13/8 38,47
DE712   25 dl. 19/8 52,51
DRAM – – KVR26S19S6/4
Kingston ValueRAM - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
KVR26S19S6/4
DRAM – – KVR26S19S6/4 Kingston ValueRAM - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
KVR26S19S6/4
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
PCPSI   6 dv. 9/8 24,36
EXSI   16 dv. 9/8 26,56
ALSDE-2   77 dc. 14/8 34,86
DE168   99 dt. 13/8 35,23
CZ016   53 dl. 12/8 38,25
CZ017   99 dl. 12/8 41,85
HU028   3 dc. 14/8 44,86
KOSDES   70 dt. 13/8 46,23
DE712   101 dl. 19/8 46,99
HU021   4 dc. 14/8 52,26
DRAM – – KVR32N22S6/8
Kingston ValueRAM - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
KVR32N22S6/8
DRAM – – KVR32N22S6/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
KVR32N22S6/8
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
ASBSI   13 dv. 9/8 24,74
PCPSI   3 dv. 9/8 25,82
CZ016   3 dl. 12/8 42,26
CZ148   92 dl. 12/8 42,80
CZ017   99 dl. 12/8 43,79
HU028   7 dc. 14/8 46,75
KOSDES   25 dt. 13/8 50,15
DE712   16 dl. 19/8 56,06
DRAM – – TED48G2666C1901
Team Elite - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
TED48G2666C1901
DRAM – – TED48G2666C1901 Team Elite - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
TED48G2666C1901
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
EXSI   4 dv. 9/8 24,79
PCPSI   35 dv. 9/8 25,97
DE712   100 dl. 19/8 57,17
DRAM – – CT8G4DFRA32AT
Crucial - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer
CODI:
CT8G4DFRA32AT
DRAM – – CT8G4DFRA32AT Crucial - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer
CODI:
CT8G4DFRA32AT
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
ASBSI   10 dv. 9/8 24,85
DRAM – – V753001GBS
V7 - DDR2 - módulo - 1 GB - SO-DIMM de 200 contactos - 667 MHz / PC2-5300 - sin búfer - no ECC
CODI:
V753001GBS
DRAM – – V753001GBS V7 - DDR2 - módulo - 1 GB - SO-DIMM de 200 contactos - 667 MHz / PC2-5300 - sin búfer - no ECC
CODI:
V753001GBS
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
DE168   5 dt. 13/8 25,10
DE712   5 dl. 19/8 48,78
DRAM – – CT4G4DFS824A
Crucial - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
CT4G4DFS824A
DRAM – – CT4G4DFS824A Crucial - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
CT4G4DFS824A
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
EVSSI   24 dv. 9/8 25,36
KOSDES   5 dt. 13/8 47,75
Please give your consent to allow us to use cookies to make your browsing experience better. Read our Cookie Policy.
I accept