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DRAM –  – M393A1G40EB2-CTD Samsung - DDR4 - module - 8 Go - DIMM 288 broches - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - mémoire enregistré - ECC
Code
M393A1G40EB2-CTD
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DRAM –  – CT25664BD160B Crucial - DDR3L - module - 2 Go - DIMM 240 broches - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - mémoire sans tampon - non ECC
Code
CT25664BD160B
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DRAM –  – MEM1301A 2-Power - DDR2 - module - 1 Go - DIMM 240 broches - 800 MHz / PC2-6400 - CL6 - mémoire sans tampon - non ECC
Code
MEM1301A
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CZ148   0 délai inconnu 223,12
DRAM –  – V753001GBS V7 - DDR2 - module - 1 Go - SO DIMM 200 broches - 667 MHz / PC2-5300 - mémoire sans tampon - non ECC
Code
V753001GBS
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DE168   5 lu 12/08 502,95
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DRAM –  – MEM1201A 2-Power - DDR2 - module - 1 Go - DIMM 240 broches - 667 MHz / PC2-5300 - CL5 - mémoire sans tampon - non ECC
Code
MEM1201A
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CZ148   0 délai inconnu 254,18
DRAM –  – CT4G4SFS824A Crucial - DDR4 - module - 4 Go - SO DIMM 260 broches - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - mémoire sans tampon - non ECC
Code
CT4G4SFS824A
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2ATCZ   5 je 08/08 462,65
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ASBCZ   0 délai inconnu 263,64
DRAM –  – CT4G4DFS824A Crucial - DDR4 - module - 4 Go - DIMM 288 broches - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - mémoire sans tampon - non ECC
Code
CT4G4DFS824A
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CZ015   1 me 07/08 258,76
ASBCZ   0 délai inconnu 264,77
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DRAM –  – CT4G4DFS8266 Crucial - DDR4 - module - 4 Go - DIMM 288 broches - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - mémoire sans tampon - non ECC
Code
CT4G4DFS8266
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ASBCZ   2 me 07/08 264,77
CZ015   101 me 07/08 268,89
2ATCZ   8 je 08/08 442,01
DE712   309 ve 16/08 1 013,51
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DRAM –  – V753001GBD V7 - DDR2 - module - 1 Go - DIMM 240 broches - 667 MHz / PC2-5300 - mémoire sans tampon - non ECC
Code
V753001GBD
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DRAM –  – V764001GBD V7 - DDR2 - module - 1 Go - DIMM 240 broches - 800 MHz / PC2-6400 - mémoire sans tampon - non ECC
Code
V764001GBD
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DE168   22 lu 12/08 519,06
DE712   22 ve 16/08 701,26
DCSCZ   0 délai inconnu 661,42
DRAM –  – MEM4201A 2-Power - DDR2 - module - 1 Go - SO DIMM 200 broches - 667 MHz / PC2-5300 - CL5 - mémoire sans tampon - non ECC
Code
MEM4201A
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CZ148   0 délai inconnu 273,73
DRAM –  – MEM4301A 2-Power - DDR2 - module - 1 Go - SO DIMM 200 broches - 800 MHz / PC2-6400 - CL6 - mémoire sans tampon - non ECC
Code
MEM4301A
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CZ148   0 délai inconnu 273,73
DRAM –  – V7128004GBD-DR V7 - DDR3 - module - 4 Go - DIMM 240 broches - 1600 MHz / PC3-12800 - mémoire sans tampon - non ECC
Code
V7128004GBD-DR
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IMDCZ2   50 ve 09/08 279,84
DE168   40 lu 12/08 531,07
DE712   40 ve 16/08 740,80
DCSCZ   0 délai inconnu 673,14
DRAM –  – MEM0302A 2-Power - DDR3 - module - 2 Go - DIMM 240 broches - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - mémoire sans tampon - non ECC
Code
MEM0302A
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CZ148   1 me 07/08 281,78
DRAM –  – MEM2102A 2-Power - DDR3 - module - 2 Go - DIMM 240 broches - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - mémoire sans tampon - non ECC
Code
MEM2102A
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CZ148   1 me 07/08 281,78
DRAM –  – MEM5002A 2-Power - DDR3 - module - 2 Go - SO DIMM 204 broches - 1066 MHz / PC3-8500 - CL7 - mémoire sans tampon - non ECC
Code
MEM5002A
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CZ148   0 délai inconnu 281,78
DRAM –  – MEM5102A 2-Power - DDR3 - module - 2 Go - SO DIMM 204 broches - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - mémoire sans tampon - non ECC
Code
MEM5102A
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CZ148   3 me 07/08 281,78
DRAM –  – V7106004GBD V7 - DDR3 - module - 4 Go - DIMM 240 broches - 1333 MHz / PC3-10600 - mémoire sans tampon - non ECC
Code
V7106004GBD
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IMDCZ2   257 ve 09/08 285,26
DE168   257 lu 12/08 535,76
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DRAM –  – V7128004GBS-DR-LV V7 - DDR3 - module - 4 Go - SO DIMM 204 broches - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - mémoire sans tampon - non ECC
Code
V7128004GBS-DR-LV
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IMDCZ2   152 ve 09/08 290,44
DE168   152 lu 12/08 541,03
DE712   152 ve 16/08 735,82
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DRAM –  – V7128004GBS-LV V7 - DDR3 - module - 4 Go - SO DIMM 204 broches - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - mémoire sans tampon - non ECC
Code
V7128004GBS-LV
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IMDCZ2   12 ve 09/08 290,69
DE168   12 lu 12/08 541,32
DE712   12 ve 16/08 954,05
DCSCZ   0 délai inconnu 685,15