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DRAM –  – M393A1G40EB2-CTD Samsung - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - registrado - ECC
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M393A1G40EB2-CTD
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ANFCZ   0 ~ 4 semanas 56,82
DRAM –  – CT25664BD160B Crucial - DDR3L - módulo - 2 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
CT25664BD160B
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ASBCZ   3 J 07/11 197,73
DRAM –  – MEM5102A 2-Power - DDR3 - módulo - 2 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - sin búfer - no ECC
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MEM5102A
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CZ148   2 J 07/11 206,90
DRAM –  – MEM5002A 2-Power - DDR3 - módulo - 2 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1066 MHz / PC3-8500 - CL7 - sin búfer - no ECC
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MEM5002A
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CZ148   0 ~ 4 semanas 212,78
DRAM –  – MEM1301A 2-Power - DDR2 - módulo - 1 GB - DIMM de 240 contactos - 800 MHz / PC2-6400 - CL6 - sin búfer - no ECC
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MEM1301A
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CZ148   0 ~ 4 semanas 223,12
DRAM –  – 4L41Q84103 LDM-1YR LICENSEKEY PER DEVICE / .
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4L41Q84103
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IMDCZ2   100 L 11/11 225,70
DE168   100 X 13/11 686,45
DRAM –  – V753001GBS V7 - DDR2 - módulo - 1 GB - SO-DIMM de 200 contactos - 667 MHz / PC2-5300 - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
V753001GBS
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IMDCZ2   15 L 11/11 251,53
DE168   7 X 13/11 504,37
DE712   7 L 18/11 911,71
DCSCZ   0 ~ 4 semanas 646,59
DRAM –  – MEM1201A 2-Power - DDR2 - módulo - 1 GB - DIMM de 240 contactos - 667 MHz / PC2-5300 - CL5 - sin búfer - no ECC
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MEM1201A
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CZ148   0 ~ 4 semanas 257,62
DRAM –  – V753001GBD V7 - DDR2 - módulo - 1 GB - DIMM de 240 contactos - 667 MHz / PC2-5300 - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
V753001GBD
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IMDCZ2   7 L 11/11 260,14
DE168   4 X 13/11 513,16
DE712   4 L 18/11 719,04
DRAM –  – V764001GBD V7 - DDR2 - módulo - 1 GB - DIMM de 240 contactos - 800 MHz / PC2-6400 - sin búfer - no ECC
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V764001GBD
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IMDCZ2   19 L 11/11 267,02
DE168   16 X 13/11 519,91
DE712   16 L 18/11 706,72
DCSCZ   0 ~ 4 semanas 666,24
DRAM –  – MEM2102A 2-Power - DDR3 - módulo - 2 GB - DIMM de 240 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
MEM2102A
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CZ148   1 J 07/11 273,94
DRAM –  – V7128004GBS-LV V7 - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
V7128004GBS-LV
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IMDCZ2   154 L 11/11 275,38
DE168   76 X 13/11 528,12
DE712   76 L 18/11 874,47
DCSCZ   0 ~ 4 semanas 673,86
DRAM –  – V7128004GBD-DR V7 - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
V7128004GBD-DR
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IMDCZ2   53 L 11/11 277,34
DE168   32 X 13/11 529,59
DE712   32 L 18/11 724,32
DCSCZ   0 ~ 4 semanas 673,86
DRAM –  – MEM4201A 2-Power - DDR2 - módulo - 1 GB - SO-DIMM de 200 contactos - 667 MHz / PC2-5300 - CL5 - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
MEM4201A
Existencias Cant. Entr. est. Precio
CZ148   0 ~ 4 semanas 278,33
DRAM –  – MEM4301A 2-Power - DDR2 - módulo - 1 GB - SO-DIMM de 200 contactos - 800 MHz / PC2-6400 - CL6 - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
MEM4301A
Existencias Cant. Entr. est. Precio
CZ148   0 ~ 4 semanas 278,33
DRAM –  – LD4AU008G-B3200GSST Lexar - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
LD4AU008G-B3200GSST
Existencias Cant. Entr. est. Precio
ASBCZ   34 J 07/11 278,41
PL111   30+ V 08/11 488,53
ACMLT   50 L 11/11 792,09
DE712   94 L 18/11 930,77
DCSCZ   0 ~ 4 semanas 744,83
DK773   80  L 02/12 844,55
DRAM –  – V7106004GBD V7 - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - sin búfer - no ECC
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V7106004GBD
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IMDCZ2   25 L 11/11 279,80
DE168   0 ~ 4 semanas 519,91
DRAM –  – MEM0302A 2-Power - DDR3 - módulo - 2 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - sin búfer - no ECC
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MEM0302A
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CZ148   1 J 07/11 284,08
DRAM –  – 89283 16MB EDO DIMM memory module (089283)
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89283
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DK773   0 ~ 4 semanas 287,36
DRAM –  – V7128004GBS-DR-LV V7 - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
V7128004GBS-DR-LV
Existencias Cant. Entr. est. Precio
IMDCZ2   140 L 11/11 289,88
DE168   134 X 13/11 542,20
DE712   134 L 18/11 747,19
DCSCZ   0 ~ 4 semanas 685,89