DRAM

Parametry produktu

W magazynie (76)
Wszystkie (102)
Dostarczone na
Dostarczone na wtorek 15.10 (0)środa 16.10 (0)czwartek 17.10 (0)piątek 18.10 (59)poniedziałek 21.10 (63)
Marka
Kingston (1223)Crucial (239)Patriot Memory (235)G.Skill (957)Lexar (116)Lenovo (490)Wilk Elektronik (78)Samsung (102)HP Inc. (962)Dell (307)Corsair Microsystems (610)
Pojemność pamięci
 - 
Cena
 - 
  CZK
Zastosuj
Szukaj
Wyczyść
DRAM – – M393A1G40EB2-CTD
Samsung - DDR4 - moduł - 8 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - rejestrowana - ECC
Kod
M393A1G40EB2-CTD
DRAM – – M393A1G40EB2-CTD Samsung - DDR4 - moduł - 8 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - rejestrowana - ECC
Kod
M393A1G40EB2-CTD
Towar Ilość Data dostawy Cena
ANFCZ   0 ~ 4 tygodnie 56,82
DRAM – – M471A5244CB0-CWE
Samsung - DDR4 - moduł - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC - dla Intel Next Unit of Computing 11, 12; Wortmann TERRA Mobile 1516A, 1716A
Kod
M471A5244CB0-CWE
DRAM – – M471A5244CB0-CWE Samsung - DDR4 - moduł - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC - dla Intel Next Unit of Computing 11, 12; Wortmann TERRA Mobile 1516A, 1716A
Kod
M471A5244CB0-CWE
Towar Ilość Data dostawy Cena
DE501   79 pią 18.10 600,45
DE712   79 pią 25.10 1 370,17
DCSCZ   0 ~ 4 tygodnie 812,98
DK773   79  czw 31.10 900,39
DRAM – – M378A5244CB0-CWE
Samsung - DDR4 - moduł - 4 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
M378A5244CB0-CWE
DRAM – – M378A5244CB0-CWE Samsung - DDR4 - moduł - 4 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
M378A5244CB0-CWE
Towar Ilość Data dostawy Cena
DE501   100 pią 18.10 600,45
DE712   100 pią 25.10 1 372,80
DCSCZ   0 ~ 4 tygodnie 812,98
DRAM – – M378A5244GB0-CWE
Samsung - DDR4 - moduł - 4 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - niebuforowana
Kod
M378A5244GB0-CWE
DRAM – – M378A5244GB0-CWE Samsung - DDR4 - moduł - 4 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - niebuforowana
Kod
M378A5244GB0-CWE
Towar Ilość Data dostawy Cena
DE501   100 pią 18.10 629,69
DE712   100 pią 25.10 1 115,84
DCSCZ   0 ~ 4 tygodnie 828,76
DRAM – – M378A1K43EB2-CWE
Samsung - DDR4 - moduł - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
M378A1K43EB2-CWE
DRAM – – M378A1K43EB2-CWE Samsung - DDR4 - moduł - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
M378A1K43EB2-CWE
Towar Ilość Data dostawy Cena
DE501   100 pią 18.10 822,63
DK773   8 pon 21.10 1 221,95
DE712   100 pią 25.10 1 413,72
DCSCZ   0 ~ 4 tygodnie 997,15
DK773   227  pią 25.10 1 221,95
DRAM – – M471A1K43EB1-CWED0
Samsung - DDR4 - moduł - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC - dla Wortmann TERRA Mobile 1516, 1551P
Kod
M471A1K43EB1-CWED0
DRAM – – M471A1K43EB1-CWED0 Samsung - DDR4 - moduł - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC - dla Wortmann TERRA Mobile 1516, 1551P
Kod
M471A1K43EB1-CWED0
Towar Ilość Data dostawy Cena
DE501   100 pią 18.10 848,94
ANFCZ   103 pią 18.10 1 038,64
DE712   100 pią 25.10 1 540,89
DCSCZ   0 ~ 4 tygodnie 1 032,52
DRAM – – M378A1G44AB0-CWE
Samsung - DDR4 - moduł - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
M378A1G44AB0-CWE
DRAM – – M378A1G44AB0-CWE Samsung - DDR4 - moduł - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
M378A1G44AB0-CWE
Towar Ilość Data dostawy Cena
DK773   1 pon 21.10 1 031,94
DE712   21 pią 25.10 1 475,11
DRAM – – M425R1GB4PB0-CWM
Samsung - DDR5 - moduł - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz - CL40 - 1.1 V - niebuforowana
Kod
M425R1GB4PB0-CWM
DRAM – – M425R1GB4PB0-CWM Samsung - DDR5 - moduł - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz - CL40 - 1.1 V - niebuforowana
Kod
M425R1GB4PB0-CWM
Towar Ilość Data dostawy Cena
DE501   100 pią 18.10 1 079,88
DCSCZ   0 ~ 4 tygodnie 1 322,22
DRAM – – M323R1GB4PB0-CWMOL
RAM DDR5 8GB / PC5600 / UB / 1Rx16 / Samsung CL46-45-45
Kod
M323R1GB4PB0-CWMOL
DRAM – – M323R1GB4PB0-CWMOL RAM DDR5 8GB / PC5600 / UB / 1Rx16 / Samsung CL46-45-45
Kod
M323R1GB4PB0-CWMOL
Towar Ilość Data dostawy Cena
DE501   100 pią 18.10 1 170,50
DCSCZ   0 ~ 4 tygodnie 1 349,70
DRAM – – M323R1GB4DB0
RAM DDR5 8GB / PC5600 / UB / 1Rx16 / Samsung CL46-45-45
Kod
M323R1GB4DB0
DRAM – – M323R1GB4DB0 RAM DDR5 8GB / PC5600 / UB / 1Rx16 / Samsung CL46-45-45
Kod
M323R1GB4DB0
Towar Ilość Data dostawy Cena
DE501   49 pią 18.10 1 170,50
DCSCZ   0 ~ 4 tygodnie 1 349,70
DRAM – – M395T2953EZ4-CE66
Samsung - DDR2 - moduł - 1 GB - FB-DIMM 240-pin - 667 MHz / PC2-5300 - CL5 - 1.8 V - pełne buforowanie - ECC
Kod
M395T2953EZ4-CE66
DRAM – – M395T2953EZ4-CE66 Samsung - DDR2 - moduł - 1 GB - FB-DIMM 240-pin - 667 MHz / PC2-5300 - CL5 - 1.8 V - pełne buforowanie - ECC
Kod
M395T2953EZ4-CE66
Towar Ilość Data dostawy Cena
DE712   0 ~ 4 tygodnie 1 174,30
DRAM – – M391B5773CH0-CH9
Samsung - DDR3 - moduł - 2 GB - DIMM 240-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - niebuforowana - ECC
Kod
M391B5773CH0-CH9
DRAM – – M391B5773CH0-CH9 Samsung - DDR3 - moduł - 2 GB - DIMM 240-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - niebuforowana - ECC
Kod
M391B5773CH0-CH9
Towar Ilość Data dostawy Cena
DK773   0 ~ 4 tygodnie 1 207,34
DRAM – – M391A1K43DB2-CWE
Samsung - DDR4 - moduł - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - niebuforowana - ECC
Kod
M391A1K43DB2-CWE
DRAM – – M391A1K43DB2-CWE Samsung - DDR4 - moduł - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - niebuforowana - ECC
Kod
M391A1K43DB2-CWE
Towar Ilość Data dostawy Cena
DE501   100 pią 18.10 1 258,20
ANFCZ   190 pią 18.10 1 589,77
DE712   5 pią 25.10 1 691,15
DCSCZ   0 ~ 4 tygodnie 1 361,40
DK773   105  czw 31.10 2 362,05
DRAM – – M393A4K40CB2-CTD
Samsung - DDR4 - moduł - 32 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - rejestrowana - ECC
Kod
M393A4K40CB2-CTD
DRAM – – M393A4K40CB2-CTD Samsung - DDR4 - moduł - 32 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - rejestrowana - ECC
Kod
M393A4K40CB2-CTD
Towar Ilość Data dostawy Cena
DK773   1 pon 21.10 1 289,19
DE712   50 pią 25.10 2 974,78
ANFCZ   98 pią 18.10 3 204,55
DCSCZ   0 ~ 4 tygodnie 2 697,65
ASBSK   0 ~ 4 tygodnie 4 663,01
DK773   0 ~ 4 tygodnie 4 729,95
DRAM – – M471A1K43EB1-CWE
Samsung - DDR4 - moduł - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
M471A1K43EB1-CWE
DRAM – – M471A1K43EB1-CWE Samsung - DDR4 - moduł - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
M471A1K43EB1-CWE
Towar Ilość Data dostawy Cena
DE712   50 pią 25.10 1 310,53
DCSCZ   0 ~ 4 tygodnie 997,15
DK773   310  śro 30.10 1 105,02
DRAM – – M391B5273CH0-CH9
Samsung - DDR3 - moduł - 4 GB - DIMM 240-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - niebuforowana - ECC
Kod
M391B5273CH0-CH9
DRAM – – M391B5273CH0-CH9 Samsung - DDR3 - moduł - 4 GB - DIMM 240-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - niebuforowana - ECC
Kod
M391B5273CH0-CH9
Towar Ilość Data dostawy Cena
DK773   0 ~ 4 tygodnie 1 411,97
DRAM – – M471A2K43EB1-CWED0
Samsung - DDR4 - moduł - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
M471A2K43EB1-CWED0
DRAM – – M471A2K43EB1-CWED0 Samsung - DDR4 - moduł - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
M471A2K43EB1-CWED0
Towar Ilość Data dostawy Cena
DE501   100 pią 18.10 1 418,98
DE712   100 pią 25.10 1 910,40
DCSCZ   0 ~ 4 tygodnie 1 584,74
DRAM – – M378A2K43EB1-CWE
RAM DDR4 16GB / PC3200 / UB / 2Rx8 / Samsung
Kod
M378A2K43EB1-CWE
DRAM – – M378A2K43EB1-CWE RAM DDR4 16GB / PC3200 / UB / 2Rx8 / Samsung
Kod
M378A2K43EB1-CWE
Towar Ilość Data dostawy Cena
DE501   100 pią 18.10 1 418,98
DE712   100 pią 25.10 1 910,40
DCSCZ   0 ~ 4 tygodnie 1 584,74
DK773   120  czw 31.10 1 908,94
DRAM – – M471A1K43DB1-CWE
Samsung - DDR4 - moduł - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC - dla Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3
Kod
M471A1K43DB1-CWE
DRAM – – M471A1K43DB1-CWE Samsung - DDR4 - moduł - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC - dla Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3
Kod
M471A1K43DB1-CWE
Towar Ilość Data dostawy Cena
DE712   17 pią 25.10 1 440,62
DCSCZ   0 ~ 4 tygodnie 977,56
DK773   0 ~ 4 tygodnie 1 441,20
DRAM – – M393A2K43DB3-CWE
Samsung - DDR4 - moduł - 16 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - rejestrowana - ECC
Kod
M393A2K43DB3-CWE
DRAM – – M393A2K43DB3-CWE Samsung - DDR4 - moduł - 16 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - rejestrowana - ECC
Kod
M393A2K43DB3-CWE
Towar Ilość Data dostawy Cena
ANFCZ   48 pią 18.10 1 454,55
DE712   173 pią 25.10 2 382,81
DK773   4 pon 21.10 2 873,63
ASBSK   0 ~ 4 tygodnie 1 463,13
ASBCZ   0 ~ 4 tygodnie 1 627,27
DCSCZ   0 ~ 4 tygodnie 2 250,96
DK773   12  czw 24.10 2 873,63
Prosimy o wyrażenie zgody na używanie przez nas plików cookie w celu poprawy komfortu przeglądania stron internetowych. Przeczytaj naszą Politykę Plików Cookie.
Akceptuję