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DRAM –  – M393A1G40EB2-CTD Samsung - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - registrado - ECC
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M393A1G40EB2-CTD
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ANFCZ   0 ~ 4 semanas 56,82
DRAM –  – CT25664BD160B Crucial - DDR3L - módulo - 2 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
CT25664BD160B
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ASBCZ   3 M 05/11 198,86
DRAM –  – MEM5002A 2-Power - DDR3 - módulo - 2 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1066 MHz / PC3-8500 - CL7 - sin búfer - no ECC
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MEM5002A
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CZ148   0 ~ 4 semanas 212,78
DRAM –  – MEM5102A 2-Power - DDR3 - módulo - 2 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
MEM5102A
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CZ148   2 M 05/11 212,78
DRAM –  – MEM1301A 2-Power - DDR2 - módulo - 1 GB - DIMM de 240 contactos - 800 MHz / PC2-6400 - CL6 - sin búfer - no ECC
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MEM1301A
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CZ148   0 ~ 4 semanas 223,12
DRAM –  – 4L41Q84103 LDM-1YR LICENSEKEY PER DEVICE / .
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4L41Q84103
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IMDCZ2   100 J 07/11 225,61
DE168   100 V 08/11 686,17
DRAM –  – V753001GBS V7 - DDR2 - módulo - 1 GB - SO-DIMM de 200 contactos - 667 MHz / PC2-5300 - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
V753001GBS
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IMDCZ2   11 J 07/11 251,72
DE168   7 V 08/11 505,61
DE712   7 J 14/11 911,27
DCSCZ   0 ~ 4 semanas 646,30
DRAM –  – MEM1201A 2-Power - DDR2 - módulo - 1 GB - DIMM de 240 contactos - 667 MHz / PC2-5300 - CL5 - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
MEM1201A
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CZ148   0 ~ 4 semanas 257,62
DRAM –  – V753001GBD V7 - DDR2 - módulo - 1 GB - DIMM de 240 contactos - 667 MHz / PC2-5300 - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
V753001GBD
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IMDCZ2   7 J 07/11 260,32
DE168   4 V 08/11 514,41
DE712   4 J 14/11 718,70
DRAM –  – V764001GBD V7 - DDR2 - módulo - 1 GB - DIMM de 240 contactos - 800 MHz / PC2-6400 - sin búfer - no ECC
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V764001GBD
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IMDCZ2   19 J 07/11 267,22
DE168   16 V 08/11 521,15
DE712   16 J 14/11 706,39
DCSCZ   0 ~ 4 semanas 665,94
DRAM –  – V7128004GBS-LV V7 - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
V7128004GBS-LV
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IMDCZ2   126 J 07/11 275,58
DE168   86 V 08/11 529,35
DE712   86 J 14/11 874,05
DCSCZ   0 ~ 4 semanas 673,56
DRAM –  – V7128004GBD-DR V7 - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
V7128004GBD-DR
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IMDCZ2   35 J 07/11 277,55
DE168   34 V 08/11 531,41
DE712   34 J 14/11 725,74
DCSCZ   0 ~ 4 semanas 673,56
DRAM –  – MEM4201A 2-Power - DDR2 - módulo - 1 GB - SO-DIMM de 200 contactos - 667 MHz / PC2-5300 - CL5 - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
MEM4201A
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CZ148   0 ~ 4 semanas 278,33
DRAM –  – MEM4301A 2-Power - DDR2 - módulo - 1 GB - SO-DIMM de 200 contactos - 800 MHz / PC2-6400 - CL6 - sin búfer - no ECC
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MEM4301A
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CZ148   0 ~ 4 semanas 278,33
DRAM –  – V7106004GBD V7 - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
V7106004GBD
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IMDCZ2   30 J 07/11 280,00
DE168   0 ~ 4 semanas 521,15
DRAM –  – MEM0302A 2-Power - DDR3 - módulo - 2 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
MEM0302A
Existencias Cant. Entr. est. Precio
CZ148   1 M 05/11 284,08
DRAM –  – MEM2102A 2-Power - DDR3 - módulo - 2 GB - DIMM de 240 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
MEM2102A
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CZ148   1 M 05/11 284,08
DRAM –  – 89283 16MB EDO DIMM memory module (089283)
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89283
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DK773   0 ~ 4 semanas 287,25
DRAM –  – V7128004GBS-DR-LV V7 - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
V7128004GBS-DR-LV
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IMDCZ2   140 J 07/11 290,09
DE168   134 V 08/11 543,72
DE712   134 J 14/11 747,72
DCSCZ   0 ~ 4 semanas 685,58
DRAM –  – V785004GBS V7 - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1066 MHz / PC3-8500 - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
V785004GBS
Existencias Cant. Entr. est. Precio
IMDCZ2   33 J 07/11 292,55
DE168   16 V 08/11 546,35
DE712   16 J 14/11 745,37
DCSCZ   0 ~ 4 semanas 689,39