DRAM

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DRAM – – F3-12800CL11S-4GBSQ
G.Skill SQ Series - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F3-12800CL11S-4GBSQ
DRAM – – F3-12800CL11S-4GBSQ G.Skill SQ Series - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F3-12800CL11S-4GBSQ
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APIDE   6 五 11/8 17.46
DRAM – – HMA851U6CJR6N-VKN0
SK Hynix - DDR4 - module - 4 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
HMA851U6CJR6N-VKN0
DRAM – – HMA851U6CJR6N-VKN0 SK Hynix - DDR4 - module - 4 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
HMA851U6CJR6N-VKN0
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WODE   100 五 11/8 18.60
DRAM – – JM3200HSH-4G
Transcend JetRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM3200HSH-4G
DRAM – – JM3200HSH-4G Transcend JetRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM3200HSH-4G
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APIDE   12 五 11/8 18.69
DRAM – – JM2666HSH-4G
Transcend JetRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM2666HSH-4G
DRAM – – JM2666HSH-4G Transcend JetRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM2666HSH-4G
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APIDE   1 五 11/8 19.50
DRAM – – LD4AU008G-B3200GSST
Lexar - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
LD4AU008G-B3200GSST
DRAM – – LD4AU008G-B3200GSST Lexar - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
LD4AU008G-B3200GSST
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APIDE   94 五 11/8 19.72
DRAM – – F4-2666C19S-8GIS
G.Skill AEGIS - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F4-2666C19S-8GIS
DRAM – – F4-2666C19S-8GIS G.Skill AEGIS - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F4-2666C19S-8GIS
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APIDE   18 五 11/8 20.11
DRAM – – F4-3200C16S-8GIS
G.Skill AEGIS - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL16 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F4-3200C16S-8GIS
DRAM – – F4-3200C16S-8GIS G.Skill AEGIS - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL16 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F4-3200C16S-8GIS
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APIDE   136 五 11/8 20.64
DRAM – – F4-3200C22S-8GRS
G.Skill Ripjaws - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F4-3200C22S-8GRS
DRAM – – F4-3200C22S-8GRS G.Skill Ripjaws - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F4-3200C22S-8GRS
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APIDE   26 五 11/8 20.75
DRAM – – F4-2666C19S-8GRS
G.Skill Ripjaws - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F4-2666C19S-8GRS
DRAM – – F4-2666C19S-8GRS G.Skill Ripjaws - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F4-2666C19S-8GRS
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APIDE   11 五 11/8 20.86
DRAM – – MES4U320NF8G
Mushkin Essentials - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MES4U320NF8G
DRAM – – MES4U320NF8G Mushkin Essentials - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MES4U320NF8G
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APIDE   40 五 11/8 20.93
DRAM – – LD4AS008G-B3200GSST
Lexar - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
LD4AS008G-B3200GSST
DRAM – – LD4AS008G-B3200GSST Lexar - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
LD4AS008G-B3200GSST
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APIDE   86 五 11/8 20.96
DRAM – – SP008GBLFU266X02
SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP008GBLFU266X02
DRAM – – SP008GBLFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP008GBLFU266X02
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APIDE   18 五 11/8 21.11
DRAM – – SP008GBSFU266X02
SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP008GBSFU266X02
DRAM – – SP008GBSFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP008GBSFU266X02
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APIDE   33 五 11/8 21.31
DRAM – – M471A5244CB0-CWE
Samsung - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12; Wortmann TERRA Mobile 1516A, 1716A
代码：
M471A5244CB0-CWE
DRAM – – M471A5244CB0-CWE Samsung - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12; Wortmann TERRA Mobile 1516A, 1716A
代码：
M471A5244CB0-CWE
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WODE   100 五 11/8 21.37
DRAM – – M378A5244CB0-CWE
Samsung - DDR4 - module - 4 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
M378A5244CB0-CWE
DRAM – – M378A5244CB0-CWE Samsung - DDR4 - module - 4 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
M378A5244CB0-CWE
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WODE   100 五 11/8 21.37
DRAM – – SP008GBLFU320X02
SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP008GBLFU320X02
DRAM – – SP008GBLFU320X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP008GBLFU320X02
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APIDE   31 五 11/8 21.45
DRAM – – SP008GBSFU320X02
SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP008GBSFU320X02
DRAM – – SP008GBSFU320X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP008GBSFU320X02
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APIDE   17 五 11/8 21.45
DRAM – – MES4S320NF8G
Mushkin Essentials - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MES4S320NF8G
DRAM – – MES4S320NF8G Mushkin Essentials - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MES4S320NF8G
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APIDE   139 五 11/8 21.62
DRAM – – M378A5244GB0-CWE
Samsung - DDR4 - module - 4 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered
代码：
M378A5244GB0-CWE
DRAM – – M378A5244GB0-CWE Samsung - DDR4 - module - 4 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered
代码：
M378A5244GB0-CWE
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WODE   100 五 11/8 21.97
DRAM – – CT8G4DFS824A
Crucial - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT8G4DFS824A
DRAM – – CT8G4DFS824A Crucial - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT8G4DFS824A
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APIDE   100 五 11/8 22.17
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