DRAM

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Kingston (167)Crucial (4)G.Skill (233)Lexar (14)Lenovo (16)Samsung (41)Dell (7)HP Inc. (19)Corsair Microsystems (104)Hewlett Packard Enterprise (92)Transcend (15)SILICON POWER (24)
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DRAM – – F3-10600CL9S-4GBNT
G.Skill NT Series - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
F3-10600CL9S-4GBNT
DRAM – – F3-10600CL9S-4GBNT G.Skill NT Series - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
F3-10600CL9S-4GBNT
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APIDE   2 四 17/10 15.61
DRAM – – HMA851U6CJR6N-VKN0
SK Hynix - DDR4 - module - 4 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
HMA851U6CJR6N-VKN0
DRAM – – HMA851U6CJR6N-VKN0 SK Hynix - DDR4 - module - 4 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
HMA851U6CJR6N-VKN0
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WODE   100 四 17/10 18.60
DRAM – – CT4G4SFS824A
Crucial - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
CT4G4SFS824A
DRAM – – CT4G4SFS824A Crucial - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
CT4G4SFS824A
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APIDE   50 四 17/10 19.72
DRAM – – F3-10600CL9S-8GBNT
G.Skill NT Series - DDR3 - module - 8 GB - DIMM 240-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC - for ASUS MAXIMUS IV EXTREME-Z, MAXIMUS V FORMULA, MAXIMUS V FORMULA / THUNDERFX, MAXIMUS V GENE
代碼：
F3-10600CL9S-8GBNT
DRAM – – F3-10600CL9S-8GBNT G.Skill NT Series - DDR3 - module - 8 GB - DIMM 240-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC - for ASUS MAXIMUS IV EXTREME-Z, MAXIMUS V FORMULA, MAXIMUS V FORMULA / THUNDERFX, MAXIMUS V GENE
代碼：
F3-10600CL9S-8GBNT
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APIDE   21 四 17/10 20.38
DRAM – – F4-2666C19S-8GRS
G.Skill Ripjaws - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
F4-2666C19S-8GRS
DRAM – – F4-2666C19S-8GRS G.Skill Ripjaws - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
F4-2666C19S-8GRS
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APIDE   1 四 17/10 20.52
DRAM – – F4-3200C16S-8GIS
G.Skill AEGIS - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL16 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
F4-3200C16S-8GIS
DRAM – – F4-3200C16S-8GIS G.Skill AEGIS - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL16 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
F4-3200C16S-8GIS
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APIDE   112 四 17/10 20.61
DRAM – – M471A5244CB0-CWE
Samsung - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12; Wortmann TERRA Mobile 1516A, 1716A
代碼：
M471A5244CB0-CWE
DRAM – – M471A5244CB0-CWE Samsung - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12; Wortmann TERRA Mobile 1516A, 1716A
代碼：
M471A5244CB0-CWE
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WODE   65 四 17/10 20.77
DRAM – – M378A5244CB0-CWE
Samsung - DDR4 - module - 4 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
M378A5244CB0-CWE
DRAM – – M378A5244CB0-CWE Samsung - DDR4 - module - 4 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
M378A5244CB0-CWE
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WODE   100 四 17/10 20.77
DRAM – – MES4U320NF8G
Mushkin Essentials - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
MES4U320NF8G
DRAM – – MES4U320NF8G Mushkin Essentials - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
MES4U320NF8G
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APIDE   52 四 17/10 20.93
DRAM – – LD4AS008G-B3200GSST
Lexar - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
LD4AS008G-B3200GSST
DRAM – – LD4AS008G-B3200GSST Lexar - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
LD4AS008G-B3200GSST
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APIDE   41 四 17/10 20.96
DRAM – – SP008GBLFU266X02
SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
SP008GBLFU266X02
DRAM – – SP008GBLFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
SP008GBLFU266X02
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APIDE   20 四 17/10 21.20
DRAM – – SP008GBSFU320X02
SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
SP008GBSFU320X02
DRAM – – SP008GBSFU320X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
SP008GBSFU320X02
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APIDE   7 四 17/10 21.32
DRAM – – SP008GBLFU320X02
SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
SP008GBLFU320X02
DRAM – – SP008GBLFU320X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
SP008GBLFU320X02
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APIDE   36 四 17/10 21.33
DRAM – – SP008GBSFU266X02
SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
SP008GBSFU266X02
DRAM – – SP008GBSFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
SP008GBSFU266X02
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APIDE   45 四 17/10 21.39
DRAM – – MES4S320NF8G
Mushkin Essentials - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
MES4S320NF8G
DRAM – – MES4S320NF8G Mushkin Essentials - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
MES4S320NF8G
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APIDE   156 四 17/10 21.62
DRAM – – JM3200HSH-4G
Transcend JetRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
JM3200HSH-4G
DRAM – – JM3200HSH-4G Transcend JetRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
JM3200HSH-4G
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APIDE   3 四 17/10 21.78
DRAM – – M378A5244GB0-CWE
Samsung - DDR4 - module - 4 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered
代碼：
M378A5244GB0-CWE
DRAM – – M378A5244GB0-CWE Samsung - DDR4 - module - 4 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered
代碼：
M378A5244GB0-CWE
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WODE   100 四 17/10 21.97
DRAM – – CT8G4DFS824A
Crucial - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
CT8G4DFS824A
DRAM – – CT8G4DFS824A Crucial - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
CT8G4DFS824A
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APIDE   100 四 17/10 22.17
DRAM – – CT8G4SFS824A
Crucial - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
CT8G4SFS824A
DRAM – – CT8G4SFS824A Crucial - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
CT8G4SFS824A
庫存 數量 預計配送 價格
APIDE   2 四 17/10 22.17
DRAM – – KVR26N19S6/4
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
KVR26N19S6/4
DRAM – – KVR26N19S6/4 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
KVR26N19S6/4
庫存 數量 預計配送 價格
APIDE   2 四 17/10 22.42
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