Samsung - DDR4 - moduł - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC - dla Intel Next Unit of Computing 11, 12; Wortmann TERRA Mobile 1516A, 1716A

Kategoria DDR4
Kod produktu M471A5244CB0-CWE
Marka Samsung
Gwarancja 12 Miesięcy
Manufacturer (by 1WorldSync)
 
Nieznany
DK060
 
Nieznany
DE501
 
Nieznany
DE712
 
Nieznany
DK773
 
12 Miesięcy
Zdjęcia tylko dla celów ilustracyjnych!
Magazyn Dostępność Przewidywany czas dostawy Cena
VAT
DK060 50 23.10.2024 Nieznany 162,73
DE501 80 15.10.2024 Nieznany 230,46
DE712 80 31.10.2024 Nieznany 456,97
DK060 0 Nieznany 162,73
DK773  100  31.10.2024 Nieznany 234,89
Opis produktu
Samsung - DDR4 - moduł - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - niebuforowana
Typ produktu
Moduł pamięci
Pojemność
4 GB
Typ pamięci
DDR4 SDRAM - SO-DIMM 260-pin
Sposób rozbudowy
Standardowy
Sprawdzenie intgralności danych
Bez ECC
Szybkość
3200 MHz (PC4-25600)
Cechy
Moduł Jednostronny, niebuforowana
Napięcie
1.2 V
Zaprojektowany dla
Intel Next Unit of Computing 11 Essential Kit - NUC11ATKPE, 12 Pro Kit - NUC12WSHi3; Wortmann TERRA Mobile 1516A, 1716A
Pojemność
4 GB
Sposób rozbudowy
Standardowy
Typ
DRAM moduł pamięci
Technologia
DDR4 SDRAM
Rodzaj obudowy
SO-DIMM 260-pin
Szybkość
3200 MHz (PC4-25600)
Sprawdzenie intgralności danych
Bez ECC
Charakterystyka
Moduł Jednostronny, niebuforowana
Konfiguracja modułów
512 x 64
Architektura układów scalonych
512 x 16
Napięcie
1.2 V
Zaprojektowany dla
Intel Next Unit of Computing 11 Essential Kit - NUC11ATKPE, 12 Pro Kit - NUC12WSHi3 ¦ Wortmann TERRA Mobile 1516A, 1716A