DRAM

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Kingston (719)Crucial (129)Patriot Memory (163)G.Skill (365)Lexar (55)Lenovo (126)Wilk Elektronik (78)Samsung (70)Dell (113)HP Inc. (126)Corsair Microsystems (358)
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DRAM – – SP016GBLFU266X02
SILICON POWER - DDR4 - módulo - 16 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP016GBLFU266X02
DRAM – – SP016GBLFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - módulo - 16 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP016GBLFU266X02
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
PL160   107 dv. 4/10 64,04
DE712   6 dt. 15/10 79,64
DRAM – – AA799110
Dell - DDR4 - módulo - 64 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - registrado - ECC - Actualización - para Precision 7820 Tower, 7920 Rack, 7920 Tower
CODI:
AA799110
DRAM – – AA799110 Dell - DDR4 - módulo - 64 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - registrado - ECC - Actualización - para Precision 7820 Tower, 7920 Rack, 7920 Tower
CODI:
AA799110
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
DK773   102 dj. 3/10 417,45
DE712   2 dt. 15/10 476,52
DRAM – – SNPP2MYXC/64G
Dell - DDR4 - módulo - 64 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - registrado - ECC - Actualización - para Precision 7820 Tower, 7920 Rack, 7920 Tower
CODI:
SNPP2MYXC/64G
DRAM – – SNPP2MYXC/64G Dell - DDR4 - módulo - 64 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - registrado - ECC - Actualización - para Precision 7820 Tower, 7920 Rack, 7920 Tower
CODI:
SNPP2MYXC/64G
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
DK773   102 dj. 3/10 476,24
DE712   102 dt. 15/10 675,27
DRAM – – CT4G4DFS8266
Crucial - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
CT4G4DFS8266
DRAM – – CT4G4DFS8266 Crucial - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
CT4G4DFS8266
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
CZ015   101 dv. 4/10 23,47
EANLT2   20 dj. 10/10 28,47
DE244   255 dv. 4/10 39,33
DE712   164 dt. 15/10 43,29
DRAM – – 4X77A08635
Lenovo TruDDR4 - DDR4 - módulo - 64 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - registrado - ECC - para ThinkAgile MX3330-F Appliance; MX3330-H Appliance; MX3331-F Certified Node
CODI:
4X77A08635
DRAM – – 4X77A08635 Lenovo TruDDR4 - DDR4 - módulo - 64 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - registrado - ECC - para ThinkAgile MX3330-F Appliance; MX3330-H Appliance; MX3331-F Certified Node
CODI:
4X77A08635
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
ALSDE-2   101 dt. 8/10 471,65
DE712   50 dt. 15/10 565,30
DRAM – – KVR48S40BS8-16
Kingston ValueRAM - DDR5 - módulo - 16 GB - SO DIMM de 262 contactos - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - sin búfer - on-die ECC - para Intel Next Unit of Computing 13 Extreme Kit - NUC13RNGi9
CODI:
KVR48S40BS8-16
DRAM – – KVR48S40BS8-16 Kingston ValueRAM - DDR5 - módulo - 16 GB - SO DIMM de 262 contactos - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - sin búfer - on-die ECC - para Intel Next Unit of Computing 13 Extreme Kit - NUC13RNGi9
CODI:
KVR48S40BS8-16
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
CZ015   101 dv. 4/10 69,42
CZ017   4 dj. 3/10 71,46
CZ148   12 dj. 3/10 72,21
CZ016   12 dj. 3/10 74,92
DE244   71 dv. 4/10 76,12
APIDE   10 dl. 7/10 84,51
LV903   1 dj. 3/10 86,23
DE712   224 dt. 15/10 95,48
DRAM – – P43328-B21
HPE SmartMemory - DDR5 - módulo - 32 GB - DIMM de 288 contactos - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - registrado - ECC
CODI:
P43328-B21
DRAM – – P43328-B21 HPE SmartMemory - DDR5 - módulo - 32 GB - DIMM de 288 contactos - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - registrado - ECC
CODI:
P43328-B21
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
ALSDE-2   101 dt. 8/10 301,60
PL111   5 dv. 4/10 303,56
CZ016   33 dj. 3/10 306,49
CZ017   10 dj. 3/10 308,60
DK773   2 dj. 3/10 337,05
DE168   257 dv. 4/10 2.206,31
DRAM – – F4-3200C16D-16GIS
G.Skill AEGIS - DDR4 - kit - 16 GB: 2 x 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL16 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-3200C16D-16GIS
DRAM – – F4-3200C16D-16GIS G.Skill AEGIS - DDR4 - kit - 16 GB: 2 x 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL16 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-3200C16D-16GIS
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
LV025   100 dt. 1/10 33,94
ACMLT   100 dt. 1/10 39,64
EANLT2   20 dj. 10/10 42,38
EE010   34 dj. 3/10 43,11
DE501   1 dv. 4/10 52,61
DE244   1 dv. 4/10 53,06
DE181   200 dv. 4/10 57,29
APIDE   300 dl. 7/10 58,78
DE712   300 dt. 15/10 81,59
DRAM – – F4-3200C16D-32GIS
G.Skill AEGIS - DDR4 - kit - 32 GB: 2 x 16 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL16 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-3200C16D-32GIS
DRAM – – F4-3200C16D-32GIS G.Skill AEGIS - DDR4 - kit - 32 GB: 2 x 16 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL16 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-3200C16D-32GIS
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
LV025   100 dt. 1/10 60,72
EANLT2   20 dj. 10/10 65,38
DE501   100 dv. 4/10 76,18
PL111   5 dv. 4/10 81,65
DE181   43 dv. 4/10 84,63
APIDE   200 dl. 7/10 85,01
DE712   200 dt. 15/10 99,98
DRAM – – F4-3600C18D-16GVK
G.Skill Ripjaws V - DDR4 - kit - 16 GB: 2 x 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3600 MHz / PC4-28800 - CL18 - 1.35 V - sin búfer - no ECC - negro clásico
CODI:
F4-3600C18D-16GVK
DRAM – – F4-3600C18D-16GVK G.Skill Ripjaws V - DDR4 - kit - 16 GB: 2 x 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3600 MHz / PC4-28800 - CL18 - 1.35 V - sin búfer - no ECC - negro clásico
CODI:
F4-3600C18D-16GVK
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
APIDE   100 dl. 7/10 63,37
DE501   92 dv. 4/10 64,05
DE712   100 dt. 15/10 92,94
DRAM – – PSD48G320081
Patriot Signature Line - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
PSD48G320081
DRAM – – PSD48G320081 Patriot Signature Line - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
PSD48G320081
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
EE010   100 dj. 3/10 22,18
LV011   34 dt. 1/10 28,16
EANLT2   20 dj. 10/10 30,90
PL111   30+ dv. 4/10 33,20
CZ016   29 dj. 3/10 40,58
DRAM – – CT8G4DFRA32A
Crucial - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
CT8G4DFRA32A
DRAM – – CT8G4DFRA32A Crucial - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
CT8G4DFRA32A
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
LV025   100 dt. 1/10 22,09
LV024   11 dt. 1/10 24,74
EANLT2   20 dj. 10/10 33,78
CZ017   3 dj. 3/10 40,82
DE244   100 dv. 4/10 41,65
DE712   15 dt. 15/10 51,74
DRAM – – GR3200S464L22S/16G
GOODRAM - DDR4 - módulo - 16 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
GR3200S464L22S/16G
DRAM – – GR3200S464L22S/16G GOODRAM - DDR4 - módulo - 16 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
GR3200S464L22S/16G
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
PL160   100 dv. 4/10 68,06
DE712   73 dt. 15/10 101,58
DRAM – – M378A5244CB0-CWE
Samsung - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
M378A5244CB0-CWE
DRAM – – M378A5244CB0-CWE Samsung - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
M378A5244CB0-CWE
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
DE501   100 dv. 4/10 37,01
DE712   100 dt. 15/10 75,14
DRAM – – IRP-K3600D4V64L18/16G
GOODRAM IRDM PRO - DDR4 - módulo - 16 GB - DIMM de 288 contactos - 3600 MHz / PC4-28800 - CL18 - 1.35 V - sin búfer - no ECC - negro intenso
CODI:
IRP-K3600D4V64L18/16G
DRAM – – IRP-K3600D4V64L18/16G GOODRAM IRDM PRO - DDR4 - módulo - 16 GB - DIMM de 288 contactos - 3600 MHz / PC4-28800 - CL18 - 1.35 V - sin búfer - no ECC - negro intenso
CODI:
IRP-K3600D4V64L18/16G
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
PL160   100 dv. 4/10 72,27
DE712   10 dt. 15/10 86,97
DRAM – – HMA851U6CJR6N-VKN0
SK Hynix - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
HMA851U6CJR6N-VKN0
DRAM – – HMA851U6CJR6N-VKN0 SK Hynix - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
HMA851U6CJR6N-VKN0
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
DE712   100 dt. 15/10 56,60
DRAM – – TED48G2666C1901
Team Elite - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
TED48G2666C1901
DRAM – – TED48G2666C1901 Team Elite - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
TED48G2666C1901
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
DE712   100 dt. 15/10 55,17
DRAM – – TED416G2666C1901
Team Elite - DDR4 - módulo - 16 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
TED416G2666C1901
DRAM – – TED416G2666C1901 Team Elite - DDR4 - módulo - 16 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
TED416G2666C1901
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
DE712   100 dt. 15/10 80,34
DRAM – – M471A1K43EB1-CWE
Samsung - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
M471A1K43EB1-CWE
DRAM – – M471A1K43EB1-CWE Samsung - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
M471A1K43EB1-CWE
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
DE181   100 dv. 4/10 53,91
APIDE   1 dl. 7/10 59,46
DE712   50 dt. 15/10 70,94
DRAM – – CT4G4SFS8266
Crucial - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
CT4G4SFS8266
DRAM – – CT4G4SFS8266 Crucial - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
CT4G4SFS8266
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
DE712   100 dt. 15/10 53,79
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