笔记本内存

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笔记本内存 – – CT8G4SFS824A
Crucial - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT8G4SFS824A
笔记本内存 – – CT8G4SFS824A Crucial - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT8G4SFS824A
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INFES   31 四 10/24 12.16
DMIES   100 三 10/23 22.63
DK773   7 四 10/24 33.57
CZ017   10 五 10/25 36.47
笔记本内存 – – V7106004GBS
V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106004GBS
笔记本内存 – – V7106004GBS V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106004GBS
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IMES1   7 二 10/22 12.17
笔记本内存 – – DV.04G2K.KAM
Apacer - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
DV.04G2K.KAM
笔记本内存 – – DV.04G2K.KAM Apacer - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
DV.04G2K.KAM
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DEPES   16 三 10/23 12.24
笔记本内存 – – V7128004GBS-DR-LV
V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128004GBS-DR-LV
笔记本内存 – – V7128004GBS-DR-LV V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128004GBS-DR-LV
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IMES1   11 二 10/22 12.35
笔记本内存 – – V785004GBS
V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - unbuffered - non-ECC
代码：
V785004GBS
笔记本内存 – – V785004GBS V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - unbuffered - non-ECC
代码：
V785004GBS
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IMES1   2 二 10/22 12.51
笔记本内存 – – V753002GBS
V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代码：
V753002GBS
笔记本内存 – – V753002GBS V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代码：
V753002GBS
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IMES1   7 二 10/22 12.65
笔记本内存 – – V742002GBS
V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 533 MHz / PC2-4200 - unbuffered - non-ECC
代码：
V742002GBS
笔记本内存 – – V742002GBS V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 533 MHz / PC2-4200 - unbuffered - non-ECC
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V742002GBS
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IMES1   21 二 10/22 12.70
笔记本内存 – – V764002GBS
V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
代码：
V764002GBS
笔记本内存 – – V764002GBS V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
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V764002GBS
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IMES1   20 二 10/22 12.73
笔记本内存 – – V7128008GBS-LV
V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128008GBS-LV
笔记本内存 – – V7128008GBS-LV V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
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V7128008GBS-LV
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IMES1   114 二 10/22 13.95
笔记本内存 – – V7106008GBS
V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106008GBS
笔记本内存 – – V7106008GBS V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
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V7106008GBS
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IMES1   22 二 10/22 14.25
笔记本内存 – – V7149008GBS-LV
V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1866 MHz / PC3-14900 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7149008GBS-LV
笔记本内存 – – V7149008GBS-LV V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1866 MHz / PC3-14900 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
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V7149008GBS-LV
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IMES1   3 二 10/22 15.33
笔记本内存 – – JM2666HSH-4G
Transcend JetRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM2666HSH-4G
笔记本内存 – – JM2666HSH-4G Transcend JetRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
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JM2666HSH-4G
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TDES1   3 二 10/22 16.98
CZ148   8 一 10/28 39.45
笔记本内存 – – JM3200HSH-4G
Transcend JetRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM3200HSH-4G
笔记本内存 – – JM3200HSH-4G Transcend JetRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM3200HSH-4G
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TDES1   313 二 10/22 16.98
笔记本内存 – – V7213008GBS-SR
V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7213008GBS-SR
笔记本内存 – – V7213008GBS-SR V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7213008GBS-SR
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IMES1   12 二 10/22 17.28
笔记本内存 – – KVR26S19S6/4
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR26S19S6/4
笔记本内存 – – KVR26S19S6/4 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR26S19S6/4
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IMES1   6 二 10/22 17.91
TDES2   4 一 10/28 19.57
DMIES   33 三 10/23 20.36
CZ017   100 五 10/25 31.20
笔记本内存 – – KVR32S22S6/4
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码：
KVR32S22S6/4
笔记本内存 – – KVR32S22S6/4 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码：
KVR32S22S6/4
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IMES1   15 二 10/22 17.91
MCRES   22 三 10/23 18.90
TDES2   3 一 10/28 19.57
笔记本内存 – – AD4S26668G19-SGN
ADATA Premier Series - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
AD4S26668G19-SGN
笔记本内存 – – AD4S26668G19-SGN ADATA Premier Series - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
AD4S26668G19-SGN
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INFES   13 四 10/24 18.07
CZ016   2 五 10/25 43.18
笔记本内存 – – AD4S32008G22-SGN
ADATA Premier Series - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - green
代码：
AD4S32008G22-SGN
笔记本内存 – – AD4S32008G22-SGN ADATA Premier Series - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - green
代码：
AD4S32008G22-SGN
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INFES   97 四 10/24 18.28
CZ016   5 五 10/25 44.33
笔记本内存 – – KVR32S22S8/8
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码：
KVR32S22S8/8
笔记本内存 – – KVR32S22S8/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码：
KVR32S22S8/8
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ESPES   1 二 10/22 18.34
INFES   100 四 10/24 20.07
DEPES   10 三 10/23 20.09
MCRES   148 三 10/23 20.26
TDES2   140 一 10/28 21.00
VALES   13 二 10/22 27.09
DK773   8 四 10/24 27.89
CZ016   64 五 10/25 44.74
DK231   75 一 11/4 83.24
笔记本内存 – – KVR26S19S6/8
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR26S19S6/8
笔记本内存 – – KVR26S19S6/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR26S19S6/8
库存 数量 预计配送 价格
ESPES   2 二 10/22 18.34
MCRES   24 三 10/23 20.26
TDES2   435 一 10/28 21.00
CZ017   50 五 10/25 33.08
CZ016   100 五 10/25 43.83
CZ148   4 一 10/28 43.95
DK231   5 一 11/4 83.24
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