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DRAM –  – OWC8566D3ECC8GB Other World Computing - DDR3 - módulo - 8 GB - DIMM de 240 contactos - 1066 MHz / PC3-8500 - CL7 - 1.5 V - sin búfer - ECC
CÓDIGO:
OWC8566D3ECC8GB
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EETES2   1 V 08/11 9,76
DK773   1 V 08/11 12,76
DRAM –  – V753001GBD V7 - DDR2 - módulo - 1 GB - DIMM de 240 contactos - 667 MHz / PC2-5300 - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
V753001GBD
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IMES1   3 X 06/11 11,30
DRAM –  – SP004GLLTU160N02 SILICON POWER - DDR3L - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
SP004GLLTU160N02
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INFES   7 V 08/11 11,53
DRAM –  – V764001GBD V7 - DDR2 - módulo - 1 GB - DIMM de 240 contactos - 800 MHz / PC2-6400 - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
V764001GBD
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IMES1   3 X 06/11 11,60
DRAM –  – V7128004GBS-DR-LV V7 - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
V7128004GBS-DR-LV
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IMES1   2 X 06/11 12,49
DRAM –  – DS.04G2K.KAM Apacer - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
DS.04G2K.KAM
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DEPES   56 J 07/11 12,57
DRAM –  – V785004GBS V7 - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1066 MHz / PC3-8500 - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
V785004GBS
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IMES1   10 X 06/11 12,65
DRAM –  – V753002GBD V7 - DDR2 - módulo - 2 GB - DIMM de 240 contactos - 667 MHz / PC2-5300 - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
V753002GBD
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IMES1   25 X 06/11 12,70
DRAM –  – V753002GBS V7 - DDR2 - módulo - 2 GB - SO-DIMM de 200 contactos - 667 MHz / PC2-5300 - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
V753002GBS
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IMES1   7 X 06/11 12,80
DRAM –  – V7213004GBD V7 - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
V7213004GBD
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IMES1   7 X 06/11 12,84
DRAM –  – V764002GBD V7 - DDR2 - módulo - 2 GB - DIMM de 240 contactos - 800 MHz / PC2-6400 - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
V764002GBD
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IMES1   12 X 06/11 12,85
DRAM –  – V742002GBS V7 - DDR2 - módulo - 2 GB - SO-DIMM de 200 contactos - 533 MHz / PC2-4200 - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
V742002GBS
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IMES1   13 X 06/11 12,85
DRAM –  – V764002GBS V7 - DDR2 - módulo - 2 GB - SO-DIMM de 200 contactos - 800 MHz / PC2-6400 - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
V764002GBS
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IMES1   18 X 06/11 12,86
DRAM –  – MMD2629/2GB CoreParts - DDR2 - kit - 2 GB: 2 x 1 GB - DIMM de 240 contactos - 667 MHz / PC2-5300 - registrado - ECC - para Dell PowerEdge 2970, 6950, M605, M805, M905, R300, R805, R905, SC1435, T300, T605
CÓDIGO:
MMD2629/2GB
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EETES2   50 V 08/11 12,95
DK773   50 V 08/11 15,95
DRAM –  – MMG1065/2G CoreParts - Memoria - módulo - 2 GB - para NEC Express5800 120Re-1
CÓDIGO:
MMG1065/2G
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EETES2   50 V 08/11 12,95
DK773   50 V 08/11 15,95
DRAM –  – MMC0005/2048 CoreParts - DDR2 - kit - 2 GB: 2 x 1 GB - DIMM de 240 contactos - 400 MHz / PC2-3200 - 1.8 V - registrado - ECC - para Fujitsu PRIMERGY BX620 S2, RX200 S2, RX300 S2, TX300 S2
CÓDIGO:
MMC0005/2048
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EETES2   50 V 08/11 12,95
DK773   50 V 08/11 15,95
DRAM –  – V7170004GBD V7 - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
V7170004GBD
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IMES1   20 X 06/11 13,31
DRAM –  – Z4Y84AA HP - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2400 MHz / PC4-19200 - 1.2 V - sin búfer - no ECC - para HP 24X G6, 25X G6; EliteBook 725 G4, 735 G5, 745 G4, 745 G5, 755 G4, 755 G5, 820 G4, 830 G5, 840 G4, 840 G5, 840r G4, 850 G4, 850 G5; ProBook 430 G4, 430 G5, 440 G4, 440 G5, 450 G6, 45X G4, 45X G5, 470 G4, 470 G5, 64X G3, 64X G4, 650 G4, 65X G3; ProBook x360 440 G1; ZBook 14u G4, 14u G5, 15u G4
CÓDIGO:
Z4Y84AA
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EETES2   3 V 08/11 13,93
DK773   3 V 08/11 18,23
DRAM –  – V7128002GBD V7 - DDR3 - módulo - 2 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
V7128002GBD
Existencias Cant. Entr. est. Precio
IMES1   1 X 06/11 13,95
DRAM –  – V7128008GBS-LV V7 - DDR3 - módulo - 8 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CÓDIGO:
V7128008GBS-LV
Existencias Cant. Entr. est. Precio
IMES1   25 X 06/11 13,97