DRAM

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DRAM – – MMC0005/2048
CoreParts - DDR2 - kit - 2 GB: 2 x 1 GB - DIMM de 240 contactos - 400 MHz / PC2-3200 - 1.8 V - registrado - ECC - para Fujitsu PRIMERGY BX620 S2, RX200 S2, RX300 S2, TX300 S2
CODI:
MMC0005/2048
DRAM – – MMC0005/2048 CoreParts - DDR2 - kit - 2 GB: 2 x 1 GB - DIMM de 240 contactos - 400 MHz / PC2-3200 - 1.8 V - registrado - ECC - para Fujitsu PRIMERGY BX620 S2, RX200 S2, RX300 S2, TX300 S2
CODI:
MMC0005/2048
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
DK773   50 7-14 days 7,96
DRAM – – GR1600D3V64L11S/4G
GOODRAM - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CODI:
GR1600D3V64L11S/4G
DRAM – – GR1600D3V64L11S/4G GOODRAM - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CODI:
GR1600D3V64L11S/4G
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
PL569   5 7-14 days 7,99
LV338   6 7-14 days 8,41
DRAM – – V785004GBS
V7 - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1066 MHz / PC3-8500 - sin búfer - no ECC
CODI:
V785004GBS
DRAM – – V785004GBS V7 - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1066 MHz / PC3-8500 - sin búfer - no ECC
CODI:
V785004GBS
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
DE168   26 7-14 days 8,09
ES087   7 7-14 days 8,51
DRAM – – CT25664BD160B
Crucial - DDR3L - módulo - 2 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CODI:
CT25664BD160B
DRAM – – CT25664BD160B Crucial - DDR3L - módulo - 2 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CODI:
CT25664BD160B
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
CZ029   3 7-14 days 8,14
DRAM – – SP004GBLFU240X02
SILICON POWER - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP004GBLFU240X02
DRAM – – SP004GBLFU240X02 SILICON POWER - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP004GBLFU240X02
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
HU888   1+ 7-14 days 8,16
DRAM – – CT4G4DFS8266
Crucial - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
CT4G4DFS8266
DRAM – – CT4G4DFS8266 Crucial - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
CT4G4DFS8266
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
SK102   20 7-14 days 8,25
HU793   10 7-14 days 13,05
LT986   20 7-14 days 20,34
IT838   13 7-14 days 20,91
FR256   5 7-14 days 23,53
DRAM – – V7128004GBS-DR-LV
V7 - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CODI:
V7128004GBS-DR-LV
DRAM – – V7128004GBS-DR-LV V7 - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CODI:
V7128004GBS-DR-LV
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
DE168   134 7-14 days 8,29
ES087   7 7-14 days 8,68
DRAM – – V7128004GBD
V7 - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - sin búfer - no ECC
CODI:
V7128004GBD
DRAM – – V7128004GBD V7 - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - sin búfer - no ECC
CODI:
V7128004GBD
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
DE168   21 7-14 days 8,32
ES087   1 7-14 days 8,72
FR281   2 7-14 days 9,89
DRAM – – SP004GBSFU266X02
SILICON POWER - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP004GBSFU266X02
DRAM – – SP004GBSFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP004GBSFU266X02
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
LT019   8 7-14 days 8,32
DRAM – – GR1600S3V64L11S/4G
GOODRAM - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CODI:
GR1600S3V64L11S/4G
DRAM – – GR1600S3V64L11S/4G GOODRAM - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CODI:
GR1600S3V64L11S/4G
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
LV338   6 7-14 days 8,41
DRAM – – GR1333D364L9S/4G
GOODRAM - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CODI:
GR1333D364L9S/4G
DRAM – – GR1333D364L9S/4G GOODRAM - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CODI:
GR1333D364L9S/4G
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
LV338   1 7-14 days 8,41
DRAM – – GR1600S364L11S/4G
GOODRAM - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - sin búfer - no ECC
CODI:
GR1600S364L11S/4G
DRAM – – GR1600S364L11S/4G GOODRAM - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - sin búfer - no ECC
CODI:
GR1600S364L11S/4G
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
LV338   6 7-14 days 8,41
DRAM – – V742002GBS
V7 - DDR2 - módulo - 2 GB - SO-DIMM de 200 contactos - 533 MHz / PC2-4200 - sin búfer - no ECC
CODI:
V742002GBS
DRAM – – V742002GBS V7 - DDR2 - módulo - 2 GB - SO-DIMM de 200 contactos - 533 MHz / PC2-4200 - sin búfer - no ECC
CODI:
V742002GBS
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
DE168   18 7-14 days 8,63
ES087   13 7-14 days 9,05
DRAM – – V764002GBD
V7 - DDR2 - módulo - 2 GB - DIMM de 240 contactos - 800 MHz / PC2-6400 - sin búfer - no ECC
CODI:
V764002GBD
DRAM – – V764002GBD V7 - DDR2 - módulo - 2 GB - DIMM de 240 contactos - 800 MHz / PC2-6400 - sin búfer - no ECC
CODI:
V764002GBD
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
DE168   172 7-14 days 8,63
ES087   67 7-14 days 9,04
DRAM – – V764002GBS
V7 - DDR2 - módulo - 2 GB - SO-DIMM de 200 contactos - 800 MHz / PC2-6400 - sin búfer - no ECC
CODI:
V764002GBS
DRAM – – V764002GBS V7 - DDR2 - módulo - 2 GB - SO-DIMM de 200 contactos - 800 MHz / PC2-6400 - sin búfer - no ECC
CODI:
V764002GBS
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
DE168   74 7-14 days 8,64
ES087   15 7-14 days 9,07
DRAM – – V753002GBD
V7 - DDR2 - módulo - 2 GB - DIMM de 240 contactos - 667 MHz / PC2-5300 - sin búfer - no ECC
CODI:
V753002GBD
DRAM – – V753002GBD V7 - DDR2 - módulo - 2 GB - DIMM de 240 contactos - 667 MHz / PC2-5300 - sin búfer - no ECC
CODI:
V753002GBD
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
DE168   40 7-14 days 8,64
ES087   13 7-14 days 9,02
DRAM – – PSD44G240081
Patriot Signature Line - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 2400 MHz / PC4-19200 - CL16 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
PSD44G240081
DRAM – – PSD44G240081 Patriot Signature Line - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 2400 MHz / PC4-19200 - CL16 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
PSD44G240081
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
CZ016   12 7-14 days 8,71
DRAM – – PSD44G266681
Patriot Signature Line - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
PSD44G266681
DRAM – – PSD44G266681 Patriot Signature Line - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
PSD44G266681
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
CZ016   8 7-14 days 8,71
PL569   59 7-14 days 9,53
DRAM – – PSD44G266681S
Patriot Signature Line - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
PSD44G266681S
DRAM – – PSD44G266681S Patriot Signature Line - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
PSD44G266681S
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
CZ016   13 7-14 days 8,71
DRAM – – MEM2103A
2-Power - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - sin búfer - no ECC
CODI:
MEM2103A
DRAM – – MEM2103A 2-Power - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - sin búfer - no ECC
CODI:
MEM2103A
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
CZ148   11 7-14 days 8,73
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