Memorias para portátiles

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Parámetros del producto

Tecnología RAM

DDR SDRAM (2) DDR2 SDRAM (25) DDR3 SDRAM (159) DDR3L SDRAM (44) DDR4 SDRAM (337) DDR5 SDRAM (134)

Factor de forma

SO DIMM 288-PIN (2) SO DIMM de 204 contactos (203) SO DIMM de 262 contactos (125) SO-DIMM de 200 contactos (29) SO-DIMM de 260 contactos (342)

Velocidad de RAM

Latencia CAS

CL11 (30) CL13 (1) CL15 (18) CL16 (11) CL17 (18) CL18 (13) CL19 (65) CL20 (6) CL22 (78) CL34 (1) CL38 (12) CL40 (53) CL42 (13) CL46 (28) CL5 (4) CL6 (2) CL7 (3) CL9 (11)

Precio

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2-Power - DDR3 - módulo - 2 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - sin búfer - no ECC CÓDIGO: MEM5102A Comparar
	2-Power - DDR3 - módulo - 2 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - sin búfer - no ECC CÓDIGO: MEM5102A Comparar
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		CZ148	3	7-14 days	4,51


Crucial - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: CT4G4SFS824A Comparar
	Crucial - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: CT4G4SFS824A Comparar
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		ES090	5	7-14 days	4,88
		SK102	15	7-14 days	12,48
		DE181	47	7-14 days	14,15

		SI414	15	7-14 days	14,21

		HU793	8	7-14 days	14,58

		SI250	6	7-14 days	15,01

LT986	20	7-14 days	19,74

IT838	35	7-14 days	39,81

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Samsung - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: M471A5244CB0-CTD Comparar
	Samsung - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: M471A5244CB0-CTD Comparar
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		SI215	63	7-14 days	5,68


Crucial - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL17 - 1.2 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: CT8G4S266M Comparar
	Crucial - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL17 - 1.2 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: CT8G4S266M Comparar
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		ES087	5	7-14 days	6,13
		FR281	8	7-14 days	6,39


V7 - DDR2 - módulo - 1 GB - SO-DIMM de 200 contactos - 667 MHz / PC2-5300 - sin búfer - no ECC CÓDIGO: V753001GBS Comparar
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V7 - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: V7128004GBS-LV Comparar
	V7 - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: V7128004GBS-LV Comparar
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		DE168	54	7-14 days	7,60
		ES087	10	7-14 days	7,74
		FR281	6	7-14 days	9,05


Compustocx - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - sin búfer - no ECC CÓDIGO: CSXO-D3-SO-1600-4GB Comparar
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		HU888	1+	7-14 days	7,63


V7 - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: V7128004GBS-DR-LV Comparar
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		DE168	145	7-14 days	7,84
		ES087	19	7-14 days	7,99


V7 - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1066 MHz / PC3-8500 - sin búfer - no ECC CÓDIGO: V785004GBS Comparar
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		DE168	62	7-14 days	7,94
		ES087	9	7-14 days	8,09


V7 - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - sin búfer - no ECC CÓDIGO: V7106004GBS Comparar
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		DE168	4	7-14 days	8,00
		FR281	4	7-14 days	9,52


SILICON POWER - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: SP004GBSFU266X02 Comparar
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		LT019	8	7-14 days	8,00
		HU656	5	7-14 days	8,25


V7 - DDR2 - módulo - 2 GB - SO-DIMM de 200 contactos - 667 MHz / PC2-5300 - sin búfer - no ECC CÓDIGO: V753002GBS Comparar
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		DE168	55	7-14 days	8,13
		ES087	9	7-14 days	8,29


V7 - DDR2 - módulo - 2 GB - SO-DIMM de 200 contactos - 533 MHz / PC2-4200 - sin búfer - no ECC CÓDIGO: V742002GBS Comparar
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		DE168	4	7-14 days	8,16
		ES087	12	7-14 days	8,32


V7 - DDR2 - módulo - 2 GB - SO-DIMM de 200 contactos - 800 MHz / PC2-6400 - sin búfer - no ECC CÓDIGO: V764002GBS Comparar
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		DE168	32	7-14 days	8,17
		ES087	2	7-14 days	8,32


SILICON POWER - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: SP004GBSFU240X02 Comparar
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		HU656	16	7-14 days	8,25


Patriot Signature Line - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: PSD44G240081S Comparar
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		CZ016	14	7-14 days	8,72


V7 - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: V7170004GBS Comparar
	V7 - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: V7170004GBS Comparar
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		DE168	32	7-14 days	8,73
		ES087	1	7-14 days	8,89


Team Elite - DDR3 - módulo - 8 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: TED38G1600C11-S01 Comparar
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		PL160	28	7-14 days	8,85


Compustocx - DDR2 - módulo - 2 GB - SO-DIMM de 200 contactos - 800 MHz / PC2-6400 - CL6 - 1.8 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: CSXO-D2-SO-800-2GB Comparar
	Compustocx - DDR2 - módulo - 2 GB - SO-DIMM de 200 contactos - 800 MHz / PC2-6400 - CL6 - 1.8 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: CSXO-D2-SO-800-2GB Comparar
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Compustocx - DDR2 - módulo - 2 GB - SO-DIMM de 200 contactos - 667 MHz / PC2-5300 - CL5 - 1.8 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: CSXO-D2-SO-667-2GB Comparar
	Compustocx - DDR2 - módulo - 2 GB - SO-DIMM de 200 contactos - 667 MHz / PC2-5300 - CL5 - 1.8 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: CSXO-D2-SO-667-2GB Comparar
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		HU888	1+	7-14 days	8,94

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