DRAM

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DRAM – – JM3200HSG-8G
Transcend JetRAM - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
JM3200HSG-8G
DRAM – – JM3200HSG-8G Transcend JetRAM - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
JM3200HSG-8G
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
GB304   373 7-14 days 12,27
PL569   18 7-14 days 14,02
DE168   1 7-14 days 15,16
IT328   11 7-14 days 16,27
CZ017   5 7-14 days 17,47
LT986   9 7-14 days 25,80
DRAM – – CT4G4SFS824A
Crucial - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
CT4G4SFS824A
DRAM – – CT4G4SFS824A Crucial - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
CT4G4SFS824A
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
SK102   13 7-14 days 12,28
HU793   7 7-14 days 14,19
SI414   15 7-14 days 14,21
SI250   4 7-14 days 15,01
LT986   20 7-14 days 19,74
IT838   35 7-14 days 39,81
DRAM – – PSD22G8002S
Patriot Signature Line - DDR2 - módulo - 2 GB - SO-DIMM de 200 contactos - 800 MHz / PC2-6400 - CL5 - 1.8 V - sin búfer - no ECC
CODI:
PSD22G8002S
DRAM – – PSD22G8002S Patriot Signature Line - DDR2 - módulo - 2 GB - SO-DIMM de 200 contactos - 800 MHz / PC2-6400 - CL5 - 1.8 V - sin búfer - no ECC
CODI:
PSD22G8002S
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
CZ016   3 7-14 days 12,28
DRAM – – F4-2666C19S-8GRS
G.Skill Ripjaws - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-2666C19S-8GRS
DRAM – – F4-2666C19S-8GRS G.Skill Ripjaws - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-2666C19S-8GRS
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
LT019   15 7-14 days 12,32
DRAM – – CSXO-D3-LO-1333-8GB
Compustocx - DDR3 - módulo - 8 GB - DIMM de 240 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CODI:
CSXO-D3-LO-1333-8GB
DRAM – – CSXO-D3-LO-1333-8GB Compustocx - DDR3 - módulo - 8 GB - DIMM de 240 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CODI:
CSXO-D3-LO-1333-8GB
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
HU888   1+ 7-14 days 12,34
DRAM – – MEM5503B
2-Power - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
MEM5503B
DRAM – – MEM5503B 2-Power - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
MEM5503B
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
CZ148   3 7-14 days 12,35
DRAM – – TED48G3200C2201
Team Elite - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
TED48G3200C2201
DRAM – – TED48G3200C2201 Team Elite - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
TED48G3200C2201
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
SI216   8 7-14 days 12,39
FR256   12 7-14 days 13,92
DRAM – – MD8GSD43200-TB
PNY - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
MD8GSD43200-TB
DRAM – – MD8GSD43200-TB PNY - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
MD8GSD43200-TB
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
FR281   2 7-14 days 12,40
DRAM – – F4-3200C16S-8GIS
G.Skill AEGIS - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL16 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-3200C16S-8GIS
DRAM – – F4-3200C16S-8GIS G.Skill AEGIS - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL16 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-3200C16S-8GIS
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
LV065   27 7-14 days 12,42
SK102   20 7-14 days 12,51
DE181   73 7-14 days 12,67
FR256   1 7-14 days 13,13
LT986   20 7-14 days 19,71
DRAM – – F4-3200C22S-8GRS
G.Skill Ripjaws - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-3200C22S-8GRS
DRAM – – F4-3200C22S-8GRS G.Skill Ripjaws - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-3200C22S-8GRS
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
LV065   100 7-14 days 12,42
LT986   20 7-14 days 20,23
DK773   5 7-14 days 26,71
DRAM – – CMV4GX4M1A2133C15
CORSAIR Value Select - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 2133 MHz / PC4-17000 - CL15 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
CMV4GX4M1A2133C15
DRAM – – CMV4GX4M1A2133C15 CORSAIR Value Select - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 2133 MHz / PC4-17000 - CL15 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
CMV4GX4M1A2133C15
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
CZ029   7 7-14 days 12,44
DRAM – – 46C7538-MM
CoreParts - DDR2 - kit - 8 GB: 2 x 4 GB - DIMM de 240 contactos - 667 MHz / PC2-5300 - registrado - ECC - para Lenovo System x3455; x3755
CODI:
46C7538-MM
DRAM – – 46C7538-MM CoreParts - DDR2 - kit - 8 GB: 2 x 4 GB - DIMM de 240 contactos - 667 MHz / PC2-5300 - registrado - ECC - para Lenovo System x3455; x3755
CODI:
46C7538-MM
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
DK773   15 7-14 days 12,50
DRAM – – 41Y2768-MM
CoreParts - DDR2 - kit - 8 GB: 2 x 4 GB - DIMM de 240 contactos - 667 MHz / PC2-5300 - registrado - ECC - para IBM System x3610; Lenovo System x3455; x3655; x3755; x3850 M2; x3950 M2
CODI:
41Y2768-MM
DRAM – – 41Y2768-MM CoreParts - DDR2 - kit - 8 GB: 2 x 4 GB - DIMM de 240 contactos - 667 MHz / PC2-5300 - registrado - ECC - para IBM System x3610; Lenovo System x3455; x3655; x3755; x3850 M2; x3950 M2
CODI:
41Y2768-MM
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
DK773   15 7-14 days 12,50
DRAM – – MMHP197-4GB
CoreParts - DDR2 - módulo - 4 GB - FB-DIMM 240-pin - 667 MHz / PC2-5300 - 1.8 V - Búfer completo - ECC
CODI:
MMHP197-4GB
DRAM – – MMHP197-4GB CoreParts - DDR2 - módulo - 4 GB - FB-DIMM 240-pin - 667 MHz / PC2-5300 - 1.8 V - Búfer completo - ECC
CODI:
MMHP197-4GB
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
DK773   16 7-14 days 12,50
DRAM – – SAMDDR54800MHZ
RAM Samsung Notebook 8GB DDR5 4800 MHz - OEM Típus: Notebook memória, Foglalat: DDR5, Órajel: 4800MHz, Kapacitás: 8GB, Időzítés: CL40
CODI:
SAMDDR54800MHZ
DRAM – – SAMDDR54800MHZ RAM Samsung Notebook 8GB DDR5 4800 MHz - OEM Típus: Notebook memória, Foglalat: DDR5, Órajel: 4800MHz, Kapacitás: 8GB, Időzítés: CL40
CODI:
SAMDDR54800MHZ
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
HU817   108 7-14 days 12,51
DRAM – – PSD34G16002
Patriot Signature Line - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL9 - 1.7 V - sin búfer - no ECC
CODI:
PSD34G16002
DRAM – – PSD34G16002 Patriot Signature Line - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL9 - 1.7 V - sin búfer - no ECC
CODI:
PSD34G16002
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
LV065   13 7-14 days 12,51
DRAM – – SP008GBSFU266X02
SILICON POWER - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP008GBSFU266X02
DRAM – – SP008GBSFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP008GBSFU266X02
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
LT019   46 7-14 days 12,51
DRAM – – DL.08G2K.KAM
Apacer - DDR3 - módulo - 8 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CODI:
DL.08G2K.KAM
DRAM – – DL.08G2K.KAM Apacer - DDR3 - módulo - 8 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CODI:
DL.08G2K.KAM
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
HU888   1+ 7-14 days 12,57
DRAM – – SP008GBLFU240X02
SILICON POWER - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP008GBLFU240X02
DRAM – – SP008GBLFU240X02 SILICON POWER - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP008GBLFU240X02
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
HU888   1+ 7-14 days 12,57
DRAM – – KVR32S22S6/4
Kingston ValueRAM - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC - para Intel Next Unit of Computing 11, 12
CODI:
KVR32S22S6/4
DRAM – – KVR32S22S6/4 Kingston ValueRAM - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC - para Intel Next Unit of Computing 11, 12
CODI:
KVR32S22S6/4
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
DE712   1 7-14 days 12,57
SK293   4 7-14 days 13,57
CZ016   19 7-14 days 13,79
DE168   49 7-14 days 13,99
LV011   21 7-14 days 14,08
HU028   3 7-14 days 14,10
FI013   49 7-14 days 14,15
ES087   5 7-14 days 14,26
AT091   4 7-14 days 14,33
CZ017   10 7-14 days 14,45
SE089   6 7-14 days 14,45
CZ015   4 7-14 days 14,49
SE576   2 7-14 days 14,68
IT328   13 7-14 days 14,89
BE320   4 7-14 days 14,98
ES090   4 7-14 days 14,98
NO724   6 7-14 days 15,00
LT986   18 7-14 days 23,12
DRAM – – CT16G4DFD824A
Crucial - DDR4 - módulo - 16 GB - DIMM de 288 contactos - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
CT16G4DFD824A
DRAM – – CT16G4DFD824A Crucial - DDR4 - módulo - 16 GB - DIMM de 288 contactos - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
CT16G4DFD824A
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
BE320   2 7-14 days 12,69
DE181   200 7-14 days 28,98
HU793   5 7-14 days 29,54
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