DRAM

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DRAM – – M471A5244CB0-CTD
Samsung - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
M471A5244CB0-CTD
DRAM – – M471A5244CB0-CTD Samsung - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
M471A5244CB0-CTD
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SI215   64 7-14 days 5.68
DRAM – – V753001GBS
V7 - DDR2 - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代码：
V753001GBS
DRAM – – V753001GBS V7 - DDR2 - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
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V753001GBS
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DE168   5 7-14 days 6.46
ES087   1 7-14 days 6.76
DRAM – – OWC8566D3ECC8GB
Other World Computing - DDR3 - module - 8 GB - DIMM 240-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - CL7 - 1.5 V - unbuffered - ECC
代码：
OWC8566D3ECC8GB
DRAM – – OWC8566D3ECC8GB Other World Computing - DDR3 - module - 8 GB - DIMM 240-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - CL7 - 1.5 V - unbuffered - ECC
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OWC8566D3ECC8GB
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DK773   1 7-14 days 6.60
DRAM – – V753001GBD
V7 - DDR2 - module - 1 GB - DIMM 240-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代码：
V753001GBD
DRAM – – V753001GBD V7 - DDR2 - module - 1 GB - DIMM 240-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
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V753001GBD
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DE168   2 7-14 days 7.02
ES087   4 7-14 days 7.35
DRAM – – SP004GBLFU266X02
SILICON POWER - DDR4 - module - 4 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP004GBLFU266X02
DRAM – – SP004GBLFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 4 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
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SP004GBLFU266X02
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HU021   15 7-14 days 7.04
HU888   1+ 7-14 days 7.80
DRAM – – SP004GLLTU160N02
SILICON POWER - DDR3L - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP004GLLTU160N02
DRAM – – SP004GLLTU160N02 SILICON POWER - DDR3L - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
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SP004GLLTU160N02
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HU021   1 7-14 days 7.04
DRAM – – V764001GBD
V7 - DDR2 - module - 1 GB - DIMM 240-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
代码：
V764001GBD
DRAM – – V764001GBD V7 - DDR2 - module - 1 GB - DIMM 240-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
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V764001GBD
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DE168   18 7-14 days 7.06
ES087   1 7-14 days 7.40
DRAM – – F3-10600CL9S-4GBNT
G.Skill NT Series - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F3-10600CL9S-4GBNT
DRAM – – F3-10600CL9S-4GBNT G.Skill NT Series - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
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F3-10600CL9S-4GBNT
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LT019   50 7-14 days 7.13
DRAM – – MEM2102A
2-Power - DDR3 - module - 2 GB - DIMM 240-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - unbuffered - non-ECC
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MEM2102A
DRAM – – MEM2102A 2-Power - DDR3 - module - 2 GB - DIMM 240-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - unbuffered - non-ECC
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MEM2102A
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CZ148   1 7-14 days 7.30
DRAM – – MEM5102A
2-Power - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - unbuffered - non-ECC
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MEM5102A
DRAM – – MEM5102A 2-Power - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - unbuffered - non-ECC
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MEM5102A
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CZ148   3 7-14 days 7.30
DRAM – – F3-1600C11S-4GNT
G.Skill NT Series - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
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F3-1600C11S-4GNT
DRAM – – F3-1600C11S-4GNT G.Skill NT Series - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
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F3-1600C11S-4GNT
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LT019   45 7-14 days 7.36
DRAM – – V7128004GBD-DR
V7 - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
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V7128004GBD-DR
DRAM – – V7128004GBD-DR V7 - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
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V7128004GBD-DR
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DE168   29 7-14 days 7.51
ES087   13 7-14 days 7.89
DRAM – – V7128004GBS-LV
V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128004GBS-LV
DRAM – – V7128004GBS-LV V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
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V7128004GBS-LV
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DE168   51 7-14 days 7.67
ES087   34 7-14 days 8.04
FR281   8 7-14 days 9.11
DRAM – – V7106004GBD
V7 - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106004GBD
DRAM – – V7106004GBD V7 - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
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V7106004GBD
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DE168   195 7-14 days 7.72
ES087   56 7-14 days 8.09
FR281   27 7-14 days 9.18
DRAM – – CT25664BD160B
Crucial - DDR3L - module - 2 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT25664BD160B
DRAM – – CT25664BD160B Crucial - DDR3L - module - 2 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT25664BD160B
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CZ029   3 7-14 days 7.86
DRAM – – CSXO-D3-LO-1333-4GB
Compustocx - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CSXO-D3-LO-1333-4GB
DRAM – – CSXO-D3-LO-1333-4GB Compustocx - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CSXO-D3-LO-1333-4GB
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HU888   1+ 7-14 days 7.92
DRAM – – V7128004GBS-DR-LV
V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128004GBS-DR-LV
DRAM – – V7128004GBS-DR-LV V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128004GBS-DR-LV
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DE168   152 7-14 days 7.92
ES087   26 7-14 days 8.31
DRAM – – V7128004GBD
V7 - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128004GBD
DRAM – – V7128004GBD V7 - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128004GBD
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DE168   293 7-14 days 7.94
ES087   70 7-14 days 8.33
FR281   2 7-14 days 9.46
DRAM – – V785004GBS
V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - unbuffered - non-ECC
代码：
V785004GBS
DRAM – – V785004GBS V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - unbuffered - non-ECC
代码：
V785004GBS
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DE168   76 7-14 days 8.00
ES087   11 7-14 days 8.40
DRAM – – V7106004GBS
V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106004GBS
DRAM – – V7106004GBS V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106004GBS
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DE168   33 7-14 days 8.07
ES087   17 7-14 days 8.47
FR281   4 7-14 days 9.60
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