笔记本内存

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笔记本内存 – – MEM5102A
2-Power - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - unbuffered - non-ECC
代码：
MEM5102A
笔记本内存 – – MEM5102A 2-Power - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - unbuffered - non-ECC
代码：
MEM5102A
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CZ148   2 7-14 days 4.57
笔记本内存 – – M471A5244CB0-CTD
Samsung - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
M471A5244CB0-CTD
笔记本内存 – – M471A5244CB0-CTD Samsung - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
M471A5244CB0-CTD
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SI215   48 7-14 days 5.68
笔记本内存 – – V753001GBS
V7 - DDR2 - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代码：
V753001GBS
笔记本内存 – – V753001GBS V7 - DDR2 - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
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V753001GBS
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DE168   7 7-14 days 6.60
笔记本内存 – – V7128004GBS-LV
V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128004GBS-LV
笔记本内存 – – V7128004GBS-LV V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
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V7128004GBS-LV
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DE168   86 7-14 days 7.52
FR281   6 7-14 days 8.97
笔记本内存 – – JM3200HSH-4G
Transcend JetRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM3200HSH-4G
笔记本内存 – – JM3200HSH-4G Transcend JetRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM3200HSH-4G
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BE320   337 7-14 days 7.73
SE089   305 7-14 days 9.83
PL569   41 7-14 days 10.06
ES090   305 7-14 days 11.23
AT091   305 7-14 days 12.49
笔记本内存 – – V7128004GBS-DR-LV
V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128004GBS-DR-LV
笔记本内存 – – V7128004GBS-DR-LV V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
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V7128004GBS-DR-LV
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DE168   134 7-14 days 8.08
ES087   2 7-14 days 8.47
笔记本内存 – – V785004GBS
V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - unbuffered - non-ECC
代码：
V785004GBS
笔记本内存 – – V785004GBS V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - unbuffered - non-ECC
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V785004GBS
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DE168   16 7-14 days 8.18
ES087   10 7-14 days 8.63
笔记本内存 – – SP004GBSFU266X02
SILICON POWER - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
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SP004GBSFU266X02
笔记本内存 – – SP004GBSFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
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SP004GBSFU266X02
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LT019   8 7-14 days 8.32
笔记本内存 – – GR1600S364L11S/4G
GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S364L11S/4G
笔记本内存 – – GR1600S364L11S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - unbuffered - non-ECC
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GR1600S364L11S/4G
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HU028   1 7-14 days 8.37
LV338   7 7-14 days 9.09
笔记本内存 – – V753002GBS
V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代码：
V753002GBS
笔记本内存 – – V753002GBS V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
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V753002GBS
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DE168   8 7-14 days 8.39
ES087   7 7-14 days 8.77
笔记本内存 – – V742002GBS
V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 533 MHz / PC2-4200 - unbuffered - non-ECC
代码：
V742002GBS
笔记本内存 – – V742002GBS V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 533 MHz / PC2-4200 - unbuffered - non-ECC
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V742002GBS
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DE168   21 7-14 days 8.42
ES087   13 7-14 days 8.83
笔记本内存 – – V764002GBS
V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
代码：
V764002GBS
笔记本内存 – – V764002GBS V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
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V764002GBS
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DE168   109 7-14 days 8.42
ES087   18 7-14 days 8.84
笔记本内存 – – PSD44G240081S
Patriot Signature Line - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD44G240081S
笔记本内存 – – PSD44G240081S Patriot Signature Line - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD44G240081S
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CZ016   27 7-14 days 8.93
笔记本内存 – – MEM5502A
2-Power - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MEM5502A
笔记本内存 – – MEM5502A 2-Power - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MEM5502A
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CZ148   2 7-14 days 8.97
笔记本内存 – – CSXO-D2-SO-800-2GB
Compustocx - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - CL6 - 1.8 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CSXO-D2-SO-800-2GB
笔记本内存 – – CSXO-D2-SO-800-2GB Compustocx - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - CL6 - 1.8 V - unbuffered - non-ECC
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CSXO-D2-SO-800-2GB
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HU888   1+ 7-14 days 8.97
笔记本内存 – – V7170004GBS
V7 - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7170004GBS
笔记本内存 – – V7170004GBS V7 - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
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V7170004GBS
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DE168   9 7-14 days 8.99
FR281   2 7-14 days 10.69
笔记本内存 – – GR1600S3V64L11S/4G
GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S3V64L11S/4G
笔记本内存 – – GR1600S3V64L11S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
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GR1600S3V64L11S/4G
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LV338   8 7-14 days 9.09
CZ017   1 7-14 days 10.74
笔记本内存 – – GR1333S364L9S/4G
GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1333S364L9S/4G
笔记本内存 – – GR1333S364L9S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
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GR1333S364L9S/4G
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LV338   3 7-14 days 9.09
笔记本内存 – – V7106004GBS
V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106004GBS
笔记本内存 – – V7106004GBS V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106004GBS
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FR281   3 7-14 days 9.39
笔记本内存 – – PSD44G266681S
Patriot Signature Line - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD44G266681S
笔记本内存 – – PSD44G266681S Patriot Signature Line - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD44G266681S
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CZ016   1 7-14 days 9.39
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