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DRAM –  – CT8G4SFS824A Crucial - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
CT8G4SFS824A
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FR280   272 四 11/7 7.05
FR281   126 四 11/7 22.61
ACAFR   95 五 11/8 27.83
DE712   1 一 11/18 34.24
DE712   1 一 11/25 34.24
ELOFR2   40 五 11/15 34.75
DK773   21 二 11/12 41.57
DRAM –  – IN3V4GNAJKXLV Integral - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
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IN3V4GNAJKXLV
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FR280   2 四 11/7 7.57
DRAM –  – IN3T4GNAJKXLV Integral - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
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IN3T4GNAJKXLV
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FR280   1 四 11/7 7.57
DRAM –  – IN3V8GNAJKILV Integral Value - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
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IN3V8GNAJKILV
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FR280   8 四 11/7 10.85
DRAM –  – IN3V8GNAJKXLV Integral - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
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IN3V8GNAJKXLV
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FR280   7 四 11/7 11.04
DRAM –  – IN3T8GNAJKX Integral - DDR3 - module - 8 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码:
IN3T8GNAJKX
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FR280   7 四 11/7 11.26
DRAM –  – SP004GLLTU160N02 SILICON POWER - DDR3L - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码:
SP004GLLTU160N02
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FR279   20 四 11/7 11.82
DRAM –  – IN3T8GNAJKXLV Integral - DDR3 - module - 8 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码:
IN3T8GNAJKXLV
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FR280   8 四 11/7 11.84
DRAM –  – IN4V4GNDJRX Integral - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
IN4V4GNDJRX
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FR280   105 四 11/7 12.78
DRAM –  – IN4T4GNCJPX Integral - DDR4 - module - 4 GB - DIMM 288-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
IN4T4GNCJPX
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FR280   7 四 11/7 13.04
DRAM –  – CT16G4DFD824A Crucial - DDR4 - module - 16 GB - DIMM 288-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
CT16G4DFD824A
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FR280   30 四 11/7 13.21
DE712   18 一 11/25 35.55
DRAM –  – SP004GBLFU240X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 4 GB - DIMM 288-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
SP004GBLFU240X02
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FR279   20 四 11/7 14.00
DRAM –  – SP004GBSFU240X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
SP004GBSFU240X02
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FR279   5 四 11/7 14.30
DRAM –  – SP004GBSFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
SP004GBSFU266X02
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FR279   20 四 11/7 14.98
DRAM –  – KVR32S22S6/4 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码:
KVR32S22S6/4
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FR280   1 四 11/7 15.23
FR281   42 四 11/7 20.58
DE712   1 一 11/18 22.56
DE712   1 一 11/25 22.56
DE168   27 三 11/13 25.65
ACAFR   70 五 11/8 27.14
DRAM –  – JM3200HLB-8G Transcend JetRAM - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
JM3200HLB-8G
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FR280   42 四 11/7 15.40
FR279   37 四 11/7 24.31
DE712   13 一 11/25 37.69
DRAM –  – TED34G1600C1101 Team Elite - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码:
TED34G1600C1101
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MCAFR   2 四 11/7 15.47
DE712   31 一 11/25 45.90
DRAM –  – V7128004GBS-LV V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码:
V7128004GBS-LV
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FR281   6 四 11/7 15.57
DE712   86 一 11/25 33.88
DRAM –  – V7106004GBD V7 - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码:
V7106004GBD
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FR281   17 四 11/7 15.75
DRAM –  – V7106004GBS V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码:
V7106004GBS
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FR281   3 四 11/7 15.99