笔记本内存

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笔记本内存 – – CT16G4SFRA32A
Crucial - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT16G4SFRA32A
笔记本内存 – – CT16G4SFRA32A Crucial - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT16G4SFRA32A
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FR280   38 五 2/14 26.14
ACAFR   200 一 2/17 37.79
MCAFR   4 五 2/14 38.99
ELOFR2   19 四 2/13 44.00
DK565   50 一 2/17 49.09
DE712   100 二 3/4 50.93
笔记本内存 – – KCP432SS6/4
Kingston - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP432SS6/4
笔记本内存 – – KCP432SS6/4 Kingston - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP432SS6/4
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DE168   8 三 2/19 27.24
DE712   8 二 3/4 38.23
笔记本内存 – – KVR48S40BS6-8
Kingston ValueRAM - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - on-die ECC - for Intel Next Unit of Computing 13 Extreme Kit - NUC13RNGi9
代码：
KVR48S40BS6-8
笔记本内存 – – KVR48S40BS6-8 Kingston ValueRAM - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - on-die ECC - for Intel Next Unit of Computing 13 Extreme Kit - NUC13RNGi9
代码：
KVR48S40BS6-8
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FR280   2 五 2/14 27.25
DE712   5 二 3/4 62.52
笔记本内存 – – V732001GBS
V7 - DDR - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 400 MHz / PC3200 - unbuffered - non-ECC
代码：
V732001GBS
笔记本内存 – – V732001GBS V7 - DDR - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 400 MHz / PC3200 - unbuffered - non-ECC
代码：
V732001GBS
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DE168   3 三 2/19 27.85
DE712   3 二 3/4 37.30
笔记本内存 – – V727001GBS
V7 - DDR - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 333 MHz / PC2700 - unbuffered - non-ECC
代码：
V727001GBS
笔记本内存 – – V727001GBS V7 - DDR - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 333 MHz / PC2700 - unbuffered - non-ECC
代码：
V727001GBS
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DE168   1 三 2/19 27.89
笔记本内存 – – CMSX8GX4M1A2400C16
CORSAIR Vengeance - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL16 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSX8GX4M1A2400C16
笔记本内存 – – CMSX8GX4M1A2400C16 CORSAIR Vengeance - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL16 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSX8GX4M1A2400C16
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ACAFR   10 一 2/17 28.08
笔记本内存 – – JM3200HSE-16G
Transcend JetRAM - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM3200HSE-16G
笔记本内存 – – JM3200HSE-16G Transcend JetRAM - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM3200HSE-16G
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FR279   71 五 2/14 29.05
笔记本内存 – – V785004GBS
V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - unbuffered - non-ECC
代码：
V785004GBS
笔记本内存 – – V785004GBS V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - unbuffered - non-ECC
代码：
V785004GBS
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DE712   42 二 3/4 29.35
笔记本内存 – – V7128004GBS-DR-LV
V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128004GBS-DR-LV
笔记本内存 – – V7128004GBS-DR-LV V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128004GBS-DR-LV
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DE712   99 二 3/4 29.40
笔记本内存 – – SP016GBSFU213B02
SILICON POWER - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP016GBSFU213B02
笔记本内存 – – SP016GBSFU213B02 SILICON POWER - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP016GBSFU213B02
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FR279   13 五 2/14 29.67
笔记本内存 – – SP016GBSFU240X02
SILICON POWER - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP016GBSFU240X02
笔记本内存 – – SP016GBSFU240X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP016GBSFU240X02
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FR279   11 五 2/14 29.68
笔记本内存 – – CT8G56C46S5T
Crucial - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - on-die ECC - black
代码：
CT8G56C46S5T
笔记本内存 – – CT8G56C46S5T Crucial - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - on-die ECC - black
代码：
CT8G56C46S5T
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ACAFR   65 一 2/17 29.85
笔记本内存 – – CT2K8G4SFRA32A
Crucial - DDR4 - kit - 16 GB: 2 x 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT2K8G4SFRA32A
笔记本内存 – – CT2K8G4SFRA32A Crucial - DDR4 - kit - 16 GB: 2 x 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT2K8G4SFRA32A
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FR280   9 五 2/14 30.68
DE712   1 一 2/24 52.60
DE712   28 二 3/4 52.60
笔记本内存 – – MMI0029/4GB
CoreParts - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMI0029/4GB
笔记本内存 – – MMI0029/4GB CoreParts - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMI0029/4GB
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DK773   2 二 2/18 30.77
笔记本内存 – – MMKN007-4GB
CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN007-4GB
笔记本内存 – – MMKN007-4GB CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN007-4GB
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DK773   30 二 2/18 30.77
笔记本内存 – – MMKN057-8GB
CoreParts - DDR4 - kit - 8 GB: 2 x 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN057-8GB
笔记本内存 – – MMKN057-8GB CoreParts - DDR4 - kit - 8 GB: 2 x 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN057-8GB
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DK773   47 二 2/18 30.77
笔记本内存 – – MMLE037-4GB
CoreParts - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for S400z; S500z; ThinkCentre M700 (Tiny); M700z; M800z; M900 (Tiny); M900x; M900z; X1; E74
代码：
MMLE037-4GB
笔记本内存 – – MMLE037-4GB CoreParts - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for S400z; S500z; ThinkCentre M700 (Tiny); M700z; M800z; M900 (Tiny); M900x; M900z; X1; E74
代码：
MMLE037-4GB
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DK773   2 二 2/18 30.77
笔记本内存 – – OM8G43200SO1RX8NE12
Origin Storage - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
OM8G43200SO1RX8NE12
笔记本内存 – – OM8G43200SO1RX8NE12 Origin Storage - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
OM8G43200SO1RX8NE12
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DE168   11 三 2/19 30.94
DE712   11 二 3/4 59.01
笔记本内存 – – KVR32S22S8/16
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
代码：
KVR32S22S8/16
笔记本内存 – – KVR32S22S8/16 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
代码：
KVR32S22S8/16
库存 数量 预计配送 价格
FR280   14 五 2/14 31.08
FR281   117 五 2/14 32.41
FR279   20 五 2/14 35.53
DE168   194 三 2/19 40.77
FI896   1 三 2/26 49.05
DE712   5 二 3/4 51.89
笔记本内存 – – V7128002GBS
V7 - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128002GBS
笔记本内存 – – V7128002GBS V7 - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128002GBS
库存 数量 预计配送 价格
DE712   8 二 3/4 31.62
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