笔记本内存

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笔记本内存 – – M471A4G43AB1-CWE
Samsung - DDR4 - module - 32 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12
代码：
M471A4G43AB1-CWE
笔记本内存 – – M471A4G43AB1-CWE Samsung - DDR4 - module - 32 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12
代码：
M471A4G43AB1-CWE
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APIDE   4 二 3/11 120.17
PL591   4 五 3/7 126.68
DE712   4 一 3/17 130.60
DE712   78 二 3/18 130.60
笔记本内存 – – KF432S20IBK2/32
Kingston FURY Impact - DDR4 - kit - 32 GB: 2 x 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL20 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代码：
KF432S20IBK2/32
笔记本内存 – – KF432S20IBK2/32 Kingston FURY Impact - DDR4 - kit - 32 GB: 2 x 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL20 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代码：
KF432S20IBK2/32
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DE168   64 二 3/11 82.13
CZ017   50 三 3/12 86.00
PL111   2 二 3/11 87.16
APIDE   3 二 3/11 94.90
DE712   64 二 3/18 95.86
CZ016   41 三 3/12 98.97
DK231   22 一 3/10 148.83
笔记本内存 – – PSD34G16002S
Patriot Signature Line - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD34G16002S
笔记本内存 – – PSD34G16002S Patriot Signature Line - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD34G16002S
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PL111   27 二 3/11 32.41
CZ016   6 三 3/12 45.06
笔记本内存 – – KVR16S11/8
Kingston ValueRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR16S11/8
笔记本内存 – – KVR16S11/8 Kingston ValueRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR16S11/8
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ELKRO   2 五 3/7 56.91
CZ016   6 三 3/12 74.77
笔记本内存 – – CT102464BF160B
Crucial - DDR3L - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT102464BF160B
笔记本内存 – – CT102464BF160B Crucial - DDR3L - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT102464BF160B
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EVSSI   21 五 3/7 56.80
笔记本内存 – – KVR16S11S8/4
Kingston ValueRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR16S11S8/4
笔记本内存 – – KVR16S11S8/4 Kingston ValueRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR16S11S8/4
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DE168   10 二 3/11 36.11
CZ017   10 三 3/12 41.62
APIDE   4 二 3/11 47.00
CZ016   17 三 3/12 55.29
DE712   10 二 3/18 56.63
笔记本内存 – – F3-8500CL7S-4GBSQ
G.Skill SQ Series - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - CL7 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F3-8500CL7S-4GBSQ
笔记本内存 – – F3-8500CL7S-4GBSQ G.Skill SQ Series - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - CL7 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F3-8500CL7S-4GBSQ
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APIDE   18 二 3/11 33.26
DE712   18 二 3/18 40.91
笔记本内存 – – GR1600S364L11S/4G
GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S364L11S/4G
笔记本内存 – – GR1600S364L11S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S364L11S/4G
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PL111   30+ 二 3/11 29.53
DE712   12 二 3/18 53.81
笔记本内存 – – GR1600S364L11/8G
GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S364L11/8G
笔记本内存 – – GR1600S364L11/8G GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S364L11/8G
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PL111   30+ 二 3/11 34.40
笔记本内存 – – PSD34G1600L2S
Patriot Memory for Ultrabook - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD34G1600L2S
笔记本内存 – – PSD34G1600L2S Patriot Memory for Ultrabook - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD34G1600L2S
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CZ016   17 三 3/12 45.87
笔记本内存 – – PSD38G1600L2S
Patriot Memory for Ultrabook - DDR3L - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD38G1600L2S
笔记本内存 – – PSD38G1600L2S Patriot Memory for Ultrabook - DDR3L - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD38G1600L2S
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PL111   30+ 二 3/11 32.99
CZ016   21 三 3/12 52.82
笔记本内存 – – F3-12800CL11S-4GBSQ
G.Skill SQ Series - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F3-12800CL11S-4GBSQ
笔记本内存 – – F3-12800CL11S-4GBSQ G.Skill SQ Series - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F3-12800CL11S-4GBSQ
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APIDE   4 二 3/11 31.66
DE712   4 二 3/18 47.81
笔记本内存 – – CT51264BF160B
Crucial - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT51264BF160B
笔记本内存 – – CT51264BF160B Crucial - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT51264BF160B
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EVSSI   35 五 3/7 47.42
笔记本内存 – – MMG2262/2048
CoreParts - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - unbuffered - non-ECC - for Acer Altos G900, G901
代码：
MMG2262/2048
笔记本内存 – – MMG2262/2048 CoreParts - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - unbuffered - non-ECC - for Acer Altos G900, G901
代码：
MMG2262/2048
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DK773   1 二 3/11 225.26
笔记本内存 – – MMG2300/2048
CoreParts - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - unbuffered - non-ECC - for Acer Aspire 3935, 5738, 6935; Aspire Timeline 1810, 3810, 4810; Extensa 5635
代码：
MMG2300/2048
笔记本内存 – – MMG2300/2048 CoreParts - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - unbuffered - non-ECC - for Acer Aspire 3935, 5738, 6935; Aspire Timeline 1810, 3810, 4810; Extensa 5635
代码：
MMG2300/2048
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DK773   1 二 3/11 104.67
笔记本内存 – – MMG2313/2048
CoreParts - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC - for Fujitsu CELSIUS Mobile H710, H720; LIFEBOOK NH751, P701
代码：
MMG2313/2048
笔记本内存 – – MMG2313/2048 CoreParts - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC - for Fujitsu CELSIUS Mobile H710, H720; LIFEBOOK NH751, P701
代码：
MMG2313/2048
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DK773   1 二 3/11 77.20
笔记本内存 – – MMG2314/2048
CoreParts - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC - for ASUS Eee PC 1101; Sony VAIO CS Series; VAIO NW Series; Toshiba Satellite A300
代码：
MMG2314/2048
笔记本内存 – – MMG2314/2048 CoreParts - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC - for ASUS Eee PC 1101; Sony VAIO CS Series; VAIO NW Series; Toshiba Satellite A300
代码：
MMG2314/2048
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DK773   3 二 3/11 61.12
笔记本内存 – – MMG2341/2GB
CoreParts - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - unbuffered - non-ECC
代码：
MMG2341/2GB
笔记本内存 – – MMG2341/2GB CoreParts - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - unbuffered - non-ECC
代码：
MMG2341/2GB
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DK773   1 二 3/11 110.70
笔记本内存 – – MMD2608/2GB
CoreParts - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC - for Dell Inspiron 15 N5030, 15 N5050; Latitude E5420, E5520, E6420, E6430; XPS 14, 15, 17
代码：
MMD2608/2GB
笔记本内存 – – MMD2608/2GB CoreParts - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC - for Dell Inspiron 15 N5030, 15 N5050; Latitude E5420, E5520, E6420, E6430; XPS 14, 15, 17
代码：
MMD2608/2GB
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DK773   1 二 3/11 32.32
笔记本内存 – – MMD2610/4GB
CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC - for Dell Latitude E5430, E6230, E6330, E6430, E6530; Precision M4700; Vostro 3360, 3460, 3560
代码：
MMD2610/4GB
笔记本内存 – – MMD2610/4GB CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC - for Dell Latitude E5430, E6230, E6330, E6430, E6530; Precision M4700; Vostro 3360, 3460, 3560
代码：
MMD2610/4GB
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DK773   1 二 3/11 121.42
笔记本内存 – – MMD2611/8GB
CoreParts - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC - for Dell Latitude E5430, E5530, E6230, E6330, E6430S, E6530; Vostro 3360, 3460
代码：
MMD2611/8GB
笔记本内存 – – MMD2611/8GB CoreParts - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC - for Dell Latitude E5430, E5530, E6230, E6330, E6430S, E6530; Vostro 3360, 3460
代码：
MMD2611/8GB
库存 数量 预计配送 价格
DK773   1 二 3/11 108.69
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