笔记本内存

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笔记本内存 – – V7128008GBS-LV
V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128008GBS-LV
笔记本内存 – – V7128008GBS-LV V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128008GBS-LV
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DE168   442 四 10/3 30.15
DE712   442 二 10/15 44.42
笔记本内存 – – V7170008GBS
V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7170008GBS
笔记本内存 – – V7170008GBS V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7170008GBS
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DE168   291 四 10/3 36.58
DE712   291 二 10/15 60.78
笔记本内存 – – MES4S320NF8G
Mushkin Essentials - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MES4S320NF8G
笔记本内存 – – MES4S320NF8G Mushkin Essentials - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MES4S320NF8G
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APIDE   206 一 10/7 54.08
DE712   206 二 10/15 56.29
笔记本内存 – – V72130016GBS
V7 - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V72130016GBS
笔记本内存 – – V72130016GBS V7 - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V72130016GBS
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DE168   190 四 10/3 53.54
DE712   190 二 10/15 71.34
笔记本内存 – – V7256008GBS
V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7256008GBS
笔记本内存 – – V7256008GBS V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7256008GBS
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DE168   182 四 10/3 36.79
DE712   182 二 10/15 51.81
笔记本内存 – – M471A1K43EB1-CWE
Samsung - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
M471A1K43EB1-CWE
笔记本内存 – – M471A1K43EB1-CWE Samsung - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
M471A1K43EB1-CWE
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PL591   176 四 10/3 56.65
APIDE   1 一 10/7 69.65
DE712   50 二 10/15 73.10
笔记本内存 – – V7128004GBS-DR-LV
V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128004GBS-DR-LV
笔记本内存 – – V7128004GBS-DR-LV V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128004GBS-DR-LV
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DE168   145 四 10/3 27.61
DE712   145 二 10/15 41.88
笔记本内存 – – M471A2K43DB1-CTD
Samsung - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
M471A2K43DB1-CTD
笔记本内存 – – M471A2K43DB1-CTD Samsung - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
M471A2K43DB1-CTD
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DE712   144 二 10/15 197.06
笔记本内存 – – LD4AS032G-B3200GSST
Lexar - DDR4 - module - 32 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
LD4AS032G-B3200GSST
笔记本内存 – – LD4AS032G-B3200GSST Lexar - DDR4 - module - 32 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
LD4AS032G-B3200GSST
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EVSSI   126 四 10/3 85.10
ELKRO   50 一 10/7 101.48
APIDE   33 一 10/7 117.68
DE712   33 二 10/15 120.82
PL111   30+ 一 10/7 190.24
笔记本内存 – – AB371023
Dell - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - Upgrade
代码：
AB371023
笔记本内存 – – AB371023 Dell - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - Upgrade
代码：
AB371023
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DE712   104 二 10/15 115.81
DK773   16 四 10/3 122.72
CZ016   7 二 10/8 134.90
DK231   12 五 10/4 204.40
笔记本内存 – – KF556S40IBK2-64
Kingston FURY Impact - DDR5 - kit - 64 GB: 2 x 32 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - on-die ECC
代码：
KF556S40IBK2-64
笔记本内存 – – KF556S40IBK2-64 Kingston FURY Impact - DDR5 - kit - 64 GB: 2 x 32 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - on-die ECC
代码：
KF556S40IBK2-64
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DE168   102 四 10/3 250.95
CZ016   31 二 10/8 261.29
CZ017   4 一 10/7 262.61
DE712   27 二 10/15 288.54
APIDE   9 一 10/7 324.85
DK231   28 五 10/4 352.81
PL111   17 一 10/7 359.36
笔记本内存 – – CT4G4SFS8266
Crucial - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT4G4SFS8266
笔记本内存 – – CT4G4SFS8266 Crucial - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT4G4SFS8266
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DE712   100 二 10/15 54.19
笔记本内存 – – GR3200S464L22/16G
GOODRAM - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR3200S464L22/16G
笔记本内存 – – GR3200S464L22/16G GOODRAM - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR3200S464L22/16G
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DE712   100 二 10/15 75.25
PL111   2 一 10/7 154.32
笔记本内存 – – M471A5244CB0-CWE
Samsung - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12; Wortmann TERRA Mobile 1516A, 1716A
代码：
M471A5244CB0-CWE
笔记本内存 – – M471A5244CB0-CWE Samsung - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12; Wortmann TERRA Mobile 1516A, 1716A
代码：
M471A5244CB0-CWE
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DE501   100 三 10/9 40.95
DE712   100 二 10/15 77.60
笔记本内存 – – GR3200S464L22S/16G
GOODRAM - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR3200S464L22S/16G
笔记本内存 – – GR3200S464L22S/16G GOODRAM - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR3200S464L22S/16G
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PL160   100 五 10/4 74.82
DE712   73 二 10/15 106.88
笔记本内存 – – M471A1K43EB1-CWED0
Samsung - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Wortmann TERRA Mobile 1516, 1551P
代码：
M471A1K43EB1-CWED0
笔记本内存 – – M471A1K43EB1-CWED0 Samsung - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Wortmann TERRA Mobile 1516, 1551P
代码：
M471A1K43EB1-CWED0
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DE501   100 三 10/9 54.11
DE712   100 二 10/15 86.28
笔记本内存 – – CT2K16G48C40S5
Crucial - DDR5 - kit - 32 GB: 2 x 16 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT2K16G48C40S5
笔记本内存 – – CT2K16G48C40S5 Crucial - DDR5 - kit - 32 GB: 2 x 16 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT2K16G48C40S5
库存 数量 预计配送 价格
DE712   100 二 10/15 157.11
笔记本内存 – – M471A2K43EB1-CWED0
Samsung - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
M471A2K43EB1-CWED0
笔记本内存 – – M471A2K43EB1-CWED0 Samsung - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
M471A2K43EB1-CWED0
库存 数量 预计配送 价格
DE501   100 三 10/9 85.36
DE712   100 二 10/15 106.02
笔记本内存 – – M425R4GA3BB0-CQK
Samsung - DDR5 - module - 32 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V
代码：
M425R4GA3BB0-CQK
笔记本内存 – – M425R4GA3BB0-CQK Samsung - DDR5 - module - 32 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V
代码：
M425R4GA3BB0-CQK
库存 数量 预计配送 价格
DE712   100 二 10/15 187.38
APIDE   12 一 10/7 192.95
笔记本内存 – – KF426S15IB/8
Kingston FURY Impact - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代码：
KF426S15IB/8
笔记本内存 – – KF426S15IB/8 Kingston FURY Impact - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代码：
KF426S15IB/8
库存 数量 预计配送 价格
CZ017   99 一 10/7 42.66
DE712   102 二 10/15 57.75
CZ016   4 二 10/8 57.85
APIDE   5 一 10/7 58.02
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