MARKIT – samsung 870 evo mz-77e1t0bw - ssd - chiffré

Catégorie Disques durs électroniques / SSD

Code du produit MZ-77E1T0BW

Marque Samsung

Garantie 12 Mois

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DK773	0	~ Date Appro. inconnue	160,65

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Description du produit: Samsung 870 EVO MZ-77E1T0BW - SSD - 1 To - SATA 6Gb/s
Type: Lecteur à semi-conducteurs - interne
Capacité: 1 To
Cryptage matériel: Oui
Algorithme de chiffrement: AES 256 bits
Type de mémoire flash NAND: Cellule multiniveaux (MLC)
Format: 2.5"
Interface: SATA 6Gb/s
Taille de la mémoire tampon: 1 Go
Caractéristiques: Prise en charge TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, Support de mise en veille de l'appareil, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, 3-bit V-NAND Technology, S.M.A.R.T.
Dimensions (LxPxH): 69.85 mm x 100 mm x 6.8 mm
Poids: 45 g
Garantie du fabricant: Garantie de 5 ans

Type de périphérique: Lecteur à semi-conducteurs - interne
Capacité: 1 To
Cryptage matériel: Oui
Algorithme de chiffrement: AES 256 bits
Type de mémoire flash NAND: Cellule multiniveaux (MLC)
Format: 2.5"
Interface: SATA 6Gb/s
Taille de la mémoire tampon: 1 Go
Caractéristiques: Prise en charge TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, Support de mise en veille de l'appareil, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, 3-bit V-NAND Technology, S.M.A.R.T.
Largeur: 69.85 mm
Profondeur: 100 mm
Hauteur: 6.8 mm
Poids: 45 g
Endurance SSD: 600 TB
Débit de transfert interne: 560 Mo/s (lecture) / 530 Mo/s (écriture)
Lecture aléatoire 4 Ko: 13000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko: 36000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko maximum: 88000 IOPS
Lecture aléatoire maximale 4 ko: 98000 IOPS
Fiabilité MTBF: 1,500,000 heures
Interfaces: 1 x SATA 6 Gb/s
Baie compatible: 2.5"
Consommation électrique: 2.5 Watt (moyenne) ¦ 4 Watt (maximum) ¦ 30 mW (inactif)
Logiciel(s) inclus: Samsung Magician Software, Samsung Data Migration
Normes de conformité: WWN, IEEE 1667
Service et maintenance: Garantie limitée - 5 ans
Température minimale de fonctionnement: 0 °C
Température maximale de fonctionnement: 70 °C
Résistance aux chocs (en fonctionnement): 1500 g @ 0.5 ms half-sine

Conditions spéciales