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DRAM –  – HMA851U6CJR6N-VKN0 SK Hynix - DDR4 - modulo - 4 GB - DIMM 288-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - senza buffer - non ECC
Codice prodotto
HMA851U6CJR6N-VKN0
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DE501   100 me 13/11 37,99
DRAM –  – CT4G4DFS8266 Crucial - DDR4 - modulo - 4 GB - DIMM 288-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - senza buffer - non ECC
Codice prodotto
CT4G4DFS8266
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DE712   100 ma 19/11 55,14
DRAM –  – TED48G2666C19-S01 Team Elite - DDR4 - modulo - 8 GB - SO DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - senza buffer - non ECC
Codice prodotto
TED48G2666C19-S01
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DE712   100 ma 19/11 55,10
PL160   59 ve 08/11 58,96
DRAM –  – TED48G3200C2201 Team Elite - DDR4 - modulo - 8 GB - DIMM 288-PIN - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - senza buffer - non ECC
Codice prodotto
TED48G3200C2201
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DE712   100 ma 19/11 60,25
DRAM –  – TLZGD48G3200HC16C01 T-Force Vulcan Z - DDR4 - modulo - 8 GB - DIMM 288-PIN - 3200 MHz / PC4-25600 - CL16 - 1.35 V - senza buffer - non ECC - grigio
Codice prodotto
TLZGD48G3200HC16C01
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DE712   100 ma 19/11 56,75
DRAM –  – M378A4G43AB2-CWE Samsung - DDR4 - modulo - 32 GB - DIMM 288-PIN - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - senza buffer - non ECC
Codice prodotto
M378A4G43AB2-CWE
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DE501   100 me 13/11 151,15
DE712   100 ma 19/11 153,99
DRAM –  – M471A4G43AB1-CWE Samsung - DDR4 - modulo - 32 GB - SO DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - senza buffer - non ECC - per Intel Next Unit of Computing 12
Codice prodotto
M471A4G43AB1-CWE
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DE712   100 ma 19/11 173,32
DRAM –  – TED416G3200C22-S01 Team Elite - DDR4 - modulo - 16 GB - SO DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - senza buffer - non ECC
Codice prodotto
TED416G3200C22-S01
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DE712   100 ma 19/11 82,52
DRAM –  – TLZGD416G3600HC18JDC01 T-Force Vulcan Z - DDR4 - kit - 16 GB: 2 x 8 GB - DIMM 288-PIN - 3600 MHz / PC4-28800 - CL18 - 1.35 V - senza buffer - non ECC - grigio
Codice prodotto
TLZGD416G3600HC18JDC01
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DE712   100 ma 19/11 89,59
DRAM –  – TLZGD416G3600HC18J01 T-Force Vulcan Z - DDR4 - modulo - 16 GB - DIMM 288-PIN - 3600 MHz / PC4-28800 - CL18 - 1.35 V - senza buffer - non ECC - grigio
Codice prodotto
TLZGD416G3600HC18J01
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DE712   100 ma 19/11 241,25
DRAM –  – M471A5244CB0-CWE Samsung - DDR4 - modulo - 4 GB - SO DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - senza buffer - non ECC - per Intel Next Unit of Computing 11, 12; Wortmann TERRA Mobile 1516A, 1716A
Codice prodotto
M471A5244CB0-CWE
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DE501   100 me 13/11 41,78
PL591   49 gi 07/11 46,50
DE712   100 ma 19/11 77,89
DRAM –  – TLZGD416G3200HC16F01 T-Force Vulcan Z - DDR4 - modulo - 16 GB - DIMM 288-PIN - 3200 MHz / PC4-25600 - CL16 - 1.35 V - senza buffer - non ECC - grigio
Codice prodotto
TLZGD416G3200HC16F01
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DE712   100 ma 19/11 86,04
DRAM –  – TLZRD416G3200HC16F01 T-Force Vulcan Z - DDR4 - modulo - 16 GB - DIMM 288-PIN - 3200 MHz / PC4-25600 - CL16 - 1.35 V - senza buffer - non ECC - rosso
Codice prodotto
TLZRD416G3200HC16F01
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DE712   100 ma 19/11 84,84
DRAM –  – M378A5244CB0-CWE Samsung - DDR4 - modulo - 4 GB - DIMM 288-PIN - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - senza buffer - non ECC
Codice prodotto
M378A5244CB0-CWE
Magazzino Qta Consegna stimata Prezzo
DE501   100 me 13/11 41,78
DE712   100 ma 19/11 78,70
DRAM –  – M378A1K43EB2-CWE Samsung - DDR4 - modulo - 8 GB - DIMM 288-PIN - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - senza buffer - non ECC
Codice prodotto
M378A1K43EB2-CWE
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DE501   100 me 13/11 53,79
PL591   29 gi 07/11 56,92
DK773   8 gi 07/11 69,28
DE712   71 ma 19/11 80,09
DRAM –  – M393A8G40BB4-CWE Samsung - DDR4 - modulo - 64 GB - DIMM 288-PIN - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - registrato - ECC
Codice prodotto
M393A8G40BB4-CWE
Magazzino Qta Consegna stimata Prezzo
DE501   100 me 13/11 295,40
DE712   52 ma 19/11 342,90
DRAM –  – M393A1K43DB2-CWE Samsung - DDR4 - modulo - 8 GB - DIMM 288-PIN - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - registrato - ECC
Codice prodotto
M393A1K43DB2-CWE
Magazzino Qta Consegna stimata Prezzo
DE501   100 me 13/11 84,54
PL591   1 gi 07/11 89,30
DRAM –  – KF548C38BBK2-32 Kingston FURY Beast - DDR5 - kit - 32 GB: 2 x 16 GB - DIMM 288-PIN - 4800 MHz / PC5-38400 - CL38 - 1.1 V - senza buffer - on-die ECC
Codice prodotto
KF548C38BBK2-32
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CZ016   100 ma 12/11 147,11
DRAM –  – M393A4K40EB3-CWE Samsung - DDR4 - modulo - 32 GB - DIMM 288-PIN - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - registrato - ECC
Codice prodotto
M393A4K40EB3-CWE
Magazzino Qta Consegna stimata Prezzo
DE501   100 me 13/11 150,32
PL591   22 gi 07/11 153,56
DE712   73 ma 19/11 174,68
DK773   6 gi 07/11 201,68
DRAM –  – M471A1K43EB1-CWED0 Samsung - DDR4 - modulo - 8 GB - SO DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - senza buffer - non ECC - per Wortmann TERRA Mobile 1516, 1551P
Codice prodotto
M471A1K43EB1-CWED0
Magazzino Qta Consegna stimata Prezzo
DE501   100 me 13/11 54,94
DE712   100 ma 19/11 87,21