DRAM

Paràmetres del producte

En estoc (16016)
Tot (20349)
Lliurament per
Lliurament per data: dimecres 11/09 (404)dijous 12/09 (506)divendres 13/09 (1847)dilluns 16/09 (3095)dimarts 17/09 (3739)
Marca
Kingston (741)Crucial (140)Patriot Memory (179)G.Skill (354)Lexar (58)Lenovo (133)Wilk Elektronik (80)Samsung (73)Dell (114)HP Inc. (129)Corsair Microsystems (369)
Capacitat de la RAM
 - 
Preu
 - 
  EUR
Sol·licitar
Cerca
Restabliment
DRAM – – F3-10600CL9S-4GBNT
G.Skill NT Series - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F3-10600CL9S-4GBNT
DRAM – – F3-10600CL9S-4GBNT G.Skill NT Series - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F3-10600CL9S-4GBNT
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
ACMLT   50 dc. 11/9 13,72
APIDE   36 dt. 17/9 34,45
DE712   36 dt. 24/9 46,74
DRAM – – F3-1600C11S-4GNT
G.Skill NT Series - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F3-1600C11S-4GNT
DRAM – – F3-1600C11S-4GNT G.Skill NT Series - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F3-1600C11S-4GNT
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
ACMLT   39 dc. 11/9 14,01
DRAM – – SP004GBLFU266X02
SILICON POWER - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP004GBLFU266X02
DRAM – – SP004GBLFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP004GBLFU266X02
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
ACMLT   5 dc. 11/9 14,33
DE712   17 dt. 24/9 60,15
DRAM – – SP004GBSFU266X02
SILICON POWER - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP004GBSFU266X02
DRAM – – SP004GBSFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP004GBSFU266X02
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
ACMLT   8 dc. 11/9 14,81
DRAM – – F4-3200C22S-8GRS
G.Skill Ripjaws - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-3200C22S-8GRS
DRAM – – F4-3200C22S-8GRS G.Skill Ripjaws - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-3200C22S-8GRS
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
LT095   50 dj. 12/9 18,66
ACMLT   11 dc. 11/9 20,49
PL111   9 dl. 16/9 28,63
DE244   30 dl. 16/9 33,43
DK773   5 dv. 13/9 45,87
DE712   30 dt. 24/9 54,93
DRAM – – LD4AS008G-B3200GSST
Lexar - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
LD4AS008G-B3200GSST
DRAM – – LD4AS008G-B3200GSST Lexar - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
LD4AS008G-B3200GSST
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
LT095   1 dj. 12/9 18,69
ACMLT   9 dc. 11/9 21,80
PL111   30+ dl. 16/9 25,99
APIDE   52 dt. 17/9 46,23
DE712   424 dt. 24/9 70,23
DRAM – – F3-10600CL9S-8GBNT
G.Skill NT Series - DDR3 - módulo - 8 GB - DIMM de 240 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - sin búfer - no ECC - para ASUS MAXIMUS IV EXTREME-Z, MAXIMUS V FORMULA, MAXIMUS V FORMULA / THUNDERFX, MAXIMUS V GENE
CODI:
F3-10600CL9S-8GBNT
DRAM – – F3-10600CL9S-8GBNT G.Skill NT Series - DDR3 - módulo - 8 GB - DIMM de 240 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - sin búfer - no ECC - para ASUS MAXIMUS IV EXTREME-Z, MAXIMUS V FORMULA, MAXIMUS V FORMULA / THUNDERFX, MAXIMUS V GENE
CODI:
F3-10600CL9S-8GBNT
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
ACMLT   26 dc. 11/9 19,60
PL111   6 dl. 16/9 27,21
APIDE   9 dt. 17/9 40,29
DE712   9 dt. 24/9 51,87
DRAM – – SP008GBLFU266X02
SILICON POWER - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP008GBLFU266X02
DRAM – – SP008GBLFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP008GBLFU266X02
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
ACMLT   8 dc. 11/9 19,90
PL569   1 dt. 17/9 32,59
APIDE   20 dt. 17/9 41,52
DE712   100 dt. 24/9 64,02
DRAM – – F4-2666C19S-8GNT
G.Skill Value Series - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-2666C19S-8GNT
DRAM – – F4-2666C19S-8GNT G.Skill Value Series - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-2666C19S-8GNT
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
ACMLT   50 dc. 11/9 20,19
APIDE   64 dt. 17/9 40,68
DE181   10 dv. 13/9 41,85
DE712   64 dt. 24/9 52,55
DRAM – – OWC8566D3ECC8GB
Other World Computing - DDR3 - módulo - 8 GB - DIMM de 240 contactos - 1066 MHz / PC3-8500 - CL7 - 1.5 V - sin búfer - ECC
CODI:
OWC8566D3ECC8GB
DRAM – – OWC8566D3ECC8GB Other World Computing - DDR3 - módulo - 8 GB - DIMM de 240 contactos - 1066 MHz / PC3-8500 - CL7 - 1.5 V - sin búfer - ECC
CODI:
OWC8566D3ECC8GB
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
DK773   1 dv. 13/9 20,28
DRAM – – AD4U32008G22-SGN
ADATA Premier Series - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
AD4U32008G22-SGN
DRAM – – AD4U32008G22-SGN ADATA Premier Series - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
AD4U32008G22-SGN
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
LT012   3 dc. 11/9 20,45
ACMLT   17 dc. 11/9 21,39
PL111   30+ dl. 16/9 28,16
LV011   7 dj. 12/9 28,35
CZ017   12 dl. 16/9 37,56
DE712   10 dt. 24/9 62,18
DRAM – – KVR26N19S6/4
Kingston ValueRAM - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
KVR26N19S6/4
DRAM – – KVR26N19S6/4 Kingston ValueRAM - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
KVR26N19S6/4
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
LT095   4 dj. 12/9 20,46
ACMLT   10 dc. 11/9 22,51
DE168   11 dl. 16/9 31,27
DE244   10 dl. 16/9 35,40
CZ017   47 dl. 16/9 35,79
CZ016   24 dt. 17/9 40,87
APIDE   2 dt. 17/9 42,83
DE181   78 dv. 13/9 43,74
DE712   11 dt. 24/9 48,10
DRAM – – F4-2666C19S-8GRS
G.Skill Ripjaws - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-2666C19S-8GRS
DRAM – – F4-2666C19S-8GRS G.Skill Ripjaws - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-2666C19S-8GRS
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
ACMLT   18 dc. 11/9 20,49
APIDE   1 dt. 17/9 41,18
DRAM – – F4-2666C19S-8GIS
G.Skill AEGIS - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-2666C19S-8GIS
DRAM – – F4-2666C19S-8GIS G.Skill AEGIS - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-2666C19S-8GIS
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
ACMLT   50 dc. 11/9 20,63
PL111   1 dl. 16/9 28,58
APIDE   44 dt. 17/9 41,15
DE712   44 dt. 24/9 53,17
DRAM – – KVR32N22S6/4
Kingston ValueRAM - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
KVR32N22S6/4
DRAM – – KVR32N22S6/4 Kingston ValueRAM - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
KVR32N22S6/4
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
LT095   17 dj. 12/9 20,92
PL569   3 dt. 17/9 33,15
DE244   52 dl. 16/9 35,60
CZ017   6 dl. 16/9 36,13
CZ016   5 dt. 17/9 40,98
APIDE   5 dt. 17/9 43,27
ALSDE-2   1 dt. 17/9 47,71
DRAM – – PSD48G320081S
Patriot Signature Line - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
PSD48G320081S
DRAM – – PSD48G320081S Patriot Signature Line - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
PSD48G320081S
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
LT095   13 dj. 12/9 21,02
LT012   23 dc. 11/9 23,56
LV011   4 dj. 12/9 27,76
PL111   25 dl. 16/9 29,80
CZ016   100 dt. 17/9 41,04
DRAM – – SP008GBSFU266X02
SILICON POWER - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP008GBSFU266X02
DRAM – – SP008GBSFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP008GBSFU266X02
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
ACMLT   14 dc. 11/9 21,05
PL111   30+ dl. 16/9 27,87
PL160   35 dl. 16/9 52,08
DE712   89 dt. 24/9 65,45
DRAM – – F4-3200C16S-8GIS
G.Skill AEGIS - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL16 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-3200C16S-8GIS
DRAM – – F4-3200C16S-8GIS G.Skill AEGIS - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL16 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-3200C16S-8GIS
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
ACMLT   19 dc. 11/9 21,51
DE244   78 dl. 16/9 33,71
APIDE   178 dt. 17/9 41,89
DE712   100 dt. 24/9 57,78
DRAM – – F3-12800CL11S-4GBSQ
G.Skill SQ Series - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F3-12800CL11S-4GBSQ
DRAM – – F3-12800CL11S-4GBSQ G.Skill SQ Series - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F3-12800CL11S-4GBSQ
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
PL111   7 dl. 16/9 21,71
APIDE   3 dt. 17/9 34,65
DE712   3 dt. 24/9 55,33
DRAM – – PSD48G266681
Patriot Signature Line - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
PSD48G266681
DRAM – – PSD48G266681 Patriot Signature Line - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
PSD48G266681
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
LT012   19 dc. 11/9 21,88
PL111   25 dl. 16/9 29,11
CZ016   58 dt. 17/9 40,35
Please give your consent to allow us to use cookies to make your browsing experience better. Read our Cookie Policy.
I accept