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Factor de forma

DIMM 100-PIN (1) DIMM 168-PIN (1) DIMM 200-PIN (1) DIMM 260-pin (1) DIMM de 184 patillas (9) DIMM de 240 contactos (636) DIMM de 278 contactos (1) DIMM de 288 contactos (1516) FB-DIMM 240-pin (46) LRDIMM 288 clavijas (30) LRDIMM de 240 clavijas (8) SO DIMM 144-PIN (1) SO DIMM 288-PIN (2) SO DIMM de 204 contactos (234) SO DIMM de 262 contactos (109) SO-DIMM de 200 contactos (29) SO-DIMM de 260 contactos (353)

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Team Elite - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: TED48G3200C2201 Comparar
	Team Elite - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: TED48G3200C2201 Comparar
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		HU530	34	M 01/10	7.917


Patriot Signature Line - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: PSD34G133381 Comparar
	Patriot Signature Line - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: PSD34G133381 Comparar
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		PL111	28	J 03/10	8.046


DELL NB Memória 8GB DDR5 3200MHz CP&D CÓDIGO: 8GB3200 Comparar
	DELL NB Memória 8GB DDR5 3200MHz CP&D CÓDIGO: 8GB3200 Comparar
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		HU028	1	M 01/10	8.143


Patriot Signature Line Premium - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: PSP48G320081H1 Comparar
	Patriot Signature Line Premium - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: PSP48G320081H1 Comparar
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		HU817	20	J 03/10	8.155
		PL111	30+	J 03/10	11.145
		CZ016	3	L 07/10	17.362


G.Skill SQ Series - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: F3-12800CL11S-4GBSQ Comparar
	G.Skill SQ Series - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: F3-12800CL11S-4GBSQ Comparar
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		PL111	1	J 03/10	8.242
		APIDE	1	X 16/10	11.203


V7 - DDR2 - módulo - 4 GB - FB-DIMM 240-pin - 667 MHz / PC2-5300 - Búfer completo - ECC CÓDIGO: V753004GBF Comparar
	V7 - DDR2 - módulo - 4 GB - FB-DIMM 240-pin - 667 MHz / PC2-5300 - Búfer completo - ECC CÓDIGO: V753004GBF Comparar
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		HU027	9	J 03/10	8.309
		DE168	9	X 02/10	12.430


Crucial - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: CT8G4DFRA32A Comparar
	Crucial - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: CT8G4DFRA32A Comparar
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		KEHU	21	J 03/10	8.321
		CZ017	3	L 07/10	14.587


Kingston FURY Beast - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3600 MHz / PC4-28800 - CL17 - 1.35 V - sin búfer - no ECC - negro CÓDIGO: KF436C17BB/8 Comparar
	Kingston FURY Beast - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3600 MHz / PC4-28800 - CL17 - 1.35 V - sin búfer - no ECC - negro CÓDIGO: KF436C17BB/8 Comparar
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		HU413	38	M 01/10	8.408
		HU530	5	M 01/10	8.750
		HU721	5	M 01/10	8.898

		DE181	8	L 07/10	15.062

		APIDE	6	X 16/10	15.788

		CZ016	3	L 07/10	17.649

CZ148	11	L 07/10	17.810

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Crucial - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: CT4G4SFS824A Comparar
	Crucial - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: CT4G4SFS824A Comparar
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		KEHU	8	J 03/10	8.440
		APIDE	50	X 16/10	12.964
		EVSSI	15	J 03/10	13.695

		JARDEH	121	J 03/10	13.729

		DE181	47	L 07/10	14.075

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Patriot Signature Line - DDR3L - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: PSD34G1600L81 Comparar
	Patriot Signature Line - DDR3L - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: PSD34G1600L81 Comparar
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		PL111	8	J 03/10	8.480
		CZ016	22	L 07/10	15.679


RAM Samsung Notebook 8GB DDR5 4800 MHz - OEM Típus: Notebook memória, Foglalat: DDR5, Órajel: 4800MHz, Kapacitás: 8GB, Időzítés: CL40 CÓDIGO: SAMDDR54800MHZ Comparar
	RAM Samsung Notebook 8GB DDR5 4800 MHz - OEM Típus: Notebook memória, Foglalat: DDR5, Órajel: 4800MHz, Kapacitás: 8GB, Időzítés: CL40 CÓDIGO: SAMDDR54800MHZ Comparar
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		HU817	120	J 03/10	8.524


GOODRAM - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - sin búfer - no ECC CÓDIGO: GR1600S364L11S/4G Comparar
	GOODRAM - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - sin búfer - no ECC CÓDIGO: GR1600S364L11S/4G Comparar
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		PL111	4	J 03/10	8.577


GOODRAM - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: GR1333D364L9S/4G Comparar
	GOODRAM - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: GR1333D364L9S/4G Comparar
		Existencias	Cant.	Entr. est.	Precio
		PL111	13	J 03/10	8.577


GOODRAM - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - sin búfer - no ECC CÓDIGO: GR1600D364L11S/4G Comparar
	GOODRAM - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - sin búfer - no ECC CÓDIGO: GR1600D364L11S/4G Comparar
		Existencias	Cant.	Entr. est.	Precio
		PL111	13	J 03/10	8.577
		CZ017	4	L 07/10	10.989


GOODRAM - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: GR1600S3V64L11S/4G Comparar
	GOODRAM - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: GR1600S3V64L11S/4G Comparar
		Existencias	Cant.	Entr. est.	Precio
		PL111	7	J 03/10	8.577
		CZ017	4	L 07/10	11.431


GOODRAM - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: GR1333S364L9S/4G Comparar
	GOODRAM - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: GR1333S364L9S/4G Comparar
		Existencias	Cant.	Entr. est.	Precio
		PL111	6	J 03/10	8.577


Team Elite - DDR3 - módulo - 8 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: TED38G1600C1101 Comparar
	Team Elite - DDR3 - módulo - 8 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: TED38G1600C1101 Comparar
		Existencias	Cant.	Entr. est.	Precio
		HU530	5	M 01/10	8.631


Patriot Signature Line - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: PSD44G240081S Comparar
	Patriot Signature Line - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: PSD44G240081S Comparar
		Existencias	Cant.	Entr. est.	Precio
		PL111	3	J 03/10	8.662
		CZ016	14	L 07/10	14.550


CORSAIR Value Select - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2133 MHz / PC4-17000 - CL15 - 1.2 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: CMSO8GX4M1A2133C15 Comparar
	CORSAIR Value Select - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2133 MHz / PC4-17000 - CL15 - 1.2 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: CMSO8GX4M1A2133C15 Comparar
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		HU028	10	M 01/10	8.667


Patriot Signature Line - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: PSD44G266681S Comparar
	Patriot Signature Line - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC CÓDIGO: PSD44G266681S Comparar
		Existencias	Cant.	Entr. est.	Precio
		PL111	30+	J 03/10	8.683
		CZ016	22	L 07/10	14.741

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