笔记本内存

笔记本内存 –  – V7128004GBS-LV V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码:
V7128004GBS-LV
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IMES1   1 五 10/4 11.73
笔记本内存 –  – V7128004GBS-DR-LV V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码:
V7128004GBS-DR-LV
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IMES1   18 五 10/4 11.99
笔记本内存 –  – V785004GBS V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - unbuffered - non-ECC
代码:
V785004GBS
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IMES1   9 五 10/4 12.08
笔记本内存 –  – V753002GBS V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代码:
V753002GBS
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IMES1   9 五 10/4 12.27
笔记本内存 –  – V764002GBS V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
代码:
V764002GBS
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IMES1   22 五 10/4 12.32
笔记本内存 –  – V742002GBS V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 533 MHz / PC2-4200 - unbuffered - non-ECC
代码:
V742002GBS
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IMES1   12 五 10/4 12.32
笔记本内存 –  – V7170004GBS V7 - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
V7170004GBS
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IMES1   5 五 10/4 12.88
笔记本内存 –  – V7106008GBS V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码:
V7106008GBS
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IMES1   21 五 10/4 13.76
笔记本内存 –  – V7128008GBS-LV V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码:
V7128008GBS-LV
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IMES1   71 五 10/4 13.77
笔记本内存 –  – V7149008GBS-LV V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1866 MHz / PC3-14900 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码:
V7149008GBS-LV
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IMES1   8 五 10/4 14.77
笔记本内存 –  – LD4AS008G-B3200GSST Lexar - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
LD4AS008G-B3200GSST
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MCRES   1 一 10/7 15.66
笔记本内存 –  – MMG2491/4GB CoreParts - DDR2 - kit - 4 GB: 2 x 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
代码:
MMG2491/4GB
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EETES2   1 二 10/8 15.80
DK773   1 二 10/8 18.80
笔记本内存 –  – JM2666HSH-4G Transcend JetRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
JM2666HSH-4G
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TDES1   2 五 10/4 17.19
CZ148   8 四 10/10 39.13
笔记本内存 –  – JM3200HSH-4G Transcend JetRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
JM3200HSH-4G
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TDES1   313 五 10/4 17.19
笔记本内存 –  – AD4S26668G19-SGN ADATA Premier Series - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
AD4S26668G19-SGN
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INFES   10 二 10/8 17.35
CZ016   1 三 10/9 44.09
笔记本内存 –  – SP008GBSFU320X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
SP008GBSFU320X02
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INFES   73 二 10/8 17.48
笔记本内存 –  – KVR26S19S6/4 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
KVR26S19S6/4
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IMES1   8 五 10/4 17.56
MCRES   9 一 10/7 18.61
TDES2   22 四 10/10 19.28
DMIES   85 一 10/7 20.21
CZ017   100 三 10/9 31.78
CZ016   49 三 10/9 43.45
笔记本内存 –  – KVR32S22S6/4 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码:
KVR32S22S6/4
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IMES1   18 五 10/4 17.56
TDES2   8 四 10/10 19.28
CZ017   10 三 10/9 31.78
CZ016   5 三 10/9 43.54
笔记本内存 –  – V7213008GBS-SR V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
V7213008GBS-SR
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IMES1   18 五 10/4 17.60
笔记本内存 –  – DV.08G2K.KAM Apacer - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码:
DV.08G2K.KAM
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DEPES   100 一 10/7 17.78