DRAM

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DRAM – – F3-1600C11S-4GNT
G.Skill NT Series - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F3-1600C11S-4GNT
DRAM – – F3-1600C11S-4GNT G.Skill NT Series - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F3-1600C11S-4GNT
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
LT095   30 dt. 30/7 13,15
ACMLT   49 dl. 29/7 14,01
DRAM – – F3-10600CL9S-4GBNT
G.Skill NT Series - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F3-10600CL9S-4GBNT
DRAM – – F3-10600CL9S-4GBNT G.Skill NT Series - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F3-10600CL9S-4GBNT
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
ACMLT   50 dl. 29/7 13,72
APIDE   12 dv. 2/8 34,61
DE712   15 dv. 9/8 46,67
DRAM – – SP004GBSFU266X02
SILICON POWER - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP004GBSFU266X02
DRAM – – SP004GBSFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP004GBSFU266X02
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
ACMLT   2 dl. 29/7 15,50
DRAM – – SP004GBLFU266X02
SILICON POWER - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP004GBLFU266X02
DRAM – – SP004GBLFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP004GBLFU266X02
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
ACMLT   5 dl. 29/7 15,85
DE712   23 dv. 9/8 59,79
DRAM – – F3-10600CL9S-8GBNT
G.Skill NT Series - DDR3 - módulo - 8 GB - DIMM de 240 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - sin búfer - no ECC - para ASUS MAXIMUS IV EXTREME-Z, MAXIMUS V FORMULA, MAXIMUS V FORMULA / THUNDERFX, MAXIMUS V GENE
CODI:
F3-10600CL9S-8GBNT
DRAM – – F3-10600CL9S-8GBNT G.Skill NT Series - DDR3 - módulo - 8 GB - DIMM de 240 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - sin búfer - no ECC - para ASUS MAXIMUS IV EXTREME-Z, MAXIMUS V FORMULA, MAXIMUS V FORMULA / THUNDERFX, MAXIMUS V GENE
CODI:
F3-10600CL9S-8GBNT
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
ACMLT   23 dl. 29/7 19,60
PL111   2 dj. 1/8 27,59
APIDE   17 dv. 2/8 40,39
DE712   17 dv. 9/8 51,85
DRAM – – LD4AS008G-B3200GSST
Lexar - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
LD4AS008G-B3200GSST
DRAM – – LD4AS008G-B3200GSST Lexar - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
LD4AS008G-B3200GSST
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
LT095   100 dt. 30/7 19,76
ACMLT   13 dl. 29/7 25,51
PL111   30+ dj. 1/8 28,37
APIDE   68 dv. 2/8 46,23
DE712   434 dv. 9/8 70,24
DRAM – – LD4AU008G-B3200GSST
Lexar - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
LD4AU008G-B3200GSST
DRAM – – LD4AU008G-B3200GSST Lexar - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
LD4AU008G-B3200GSST
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
LT095   50 dt. 30/7 19,76
ACMLT   46 dl. 29/7 21,80
LV214   1 dl. 29/7 25,33
PL111   30+ dj. 1/8 28,37
DE712   383 dv. 9/8 57,27
DRAM – – F4-3200C16S-8GIS
G.Skill AEGIS - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL16 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-3200C16S-8GIS
DRAM – – F4-3200C16S-8GIS G.Skill AEGIS - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL16 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-3200C16S-8GIS
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
LT095   100 dt. 30/7 20,32
PL111   10 dj. 1/8 31,11
APIDE   298 dv. 2/8 42,29
DE181   100 dc. 31/7 43,97
DE712   100 dv. 9/8 58,71
DRAM – – F4-2666C19S-8GRS
G.Skill Ripjaws - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-2666C19S-8GRS
DRAM – – F4-2666C19S-8GRS G.Skill Ripjaws - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-2666C19S-8GRS
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
ACMLT   21 dl. 29/7 20,49
APIDE   8 dv. 2/8 42,46
DE712   9 dv. 9/8 54,04
DRAM – – F4-3200C22S-8GRS
G.Skill Ripjaws - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-3200C22S-8GRS
DRAM – – F4-3200C22S-8GRS G.Skill Ripjaws - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-3200C22S-8GRS
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
ACMLT   6 dl. 29/7 20,49
PL111   9 dj. 1/8 30,81
APIDE   25 dv. 2/8 41,30
DK773   2 dc. 31/7 48,68
DRAM – – F4-2666C19S-8GIS
G.Skill AEGIS - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-2666C19S-8GIS
DRAM – – F4-2666C19S-8GIS G.Skill AEGIS - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-2666C19S-8GIS
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
ACMLT   15 dl. 29/7 20,63
PL111   1 dj. 1/8 30,41
APIDE   23 dv. 2/8 41,42
DE712   23 dv. 9/8 52,74
SE576   1 dl. 5/8 67,43
DRAM – – SP008GBLFU320X02
SILICON POWER - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP008GBLFU320X02
DRAM – – SP008GBLFU320X02 SILICON POWER - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP008GBLFU320X02
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
ACMLT   10 dl. 29/7 21,44
PL111   18 dj. 1/8 29,08
LV011   1 dt. 30/7 31,91
APIDE   11 dv. 2/8 44,84
PL160   86 dj. 1/8 54,40
DE712   12 dv. 9/8 55,30
DRAM – – SP008GBLFU266X02
SILICON POWER - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP008GBLFU266X02
DRAM – – SP008GBLFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP008GBLFU266X02
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
ACMLT   8 dl. 29/7 21,78
APIDE   23 dv. 2/8 41,29
PL160   18 dj. 1/8 51,72
DE712   5 dv. 9/8 55,82
DRAM – – F3-12800CL11S-4GBSQ
G.Skill SQ Series - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F3-12800CL11S-4GBSQ
DRAM – – F3-12800CL11S-4GBSQ G.Skill SQ Series - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F3-12800CL11S-4GBSQ
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
PL111   10 dj. 1/8 21,90
DE712   11 dv. 9/8 70,42
DRAM – – PSD48G320081
Patriot Signature Line - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
PSD48G320081
DRAM – – PSD48G320081 Patriot Signature Line - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
PSD48G320081
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
LT012   58 dl. 29/7 22,14
LV011   24 dt. 30/7 30,04
PL111   30+ dj. 1/8 30,99
CZ016   99 dv. 2/8 41,73
DRAM – – SP008GBSFU266X02
SILICON POWER - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP008GBSFU266X02
DRAM – – SP008GBSFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP008GBSFU266X02
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
ACMLT   9 dl. 29/7 22,22
DE712   194 dv. 9/8 65,79
DRAM – – PSD48G240081
Patriot Signature Line - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
PSD48G240081
DRAM – – PSD48G240081 Patriot Signature Line - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
PSD48G240081
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
LT012   17 dl. 29/7 22,57
CZ016   18 dv. 2/8 41,22
DRAM – – V753001GBS
V7 - DDR2 - módulo - 1 GB - SO-DIMM de 200 contactos - 667 MHz / PC2-5300 - sin búfer - no ECC
CODI:
V753001GBS
DRAM – – V753001GBS V7 - DDR2 - módulo - 1 GB - SO-DIMM de 200 contactos - 667 MHz / PC2-5300 - sin búfer - no ECC
CODI:
V753001GBS
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
DE168   7 dj. 1/8 22,66
DE712   7 dv. 9/8 49,60
DRAM – – SP008GBSFU320X02
SILICON POWER - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP008GBSFU320X02
DRAM – – SP008GBSFU320X02 SILICON POWER - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP008GBSFU320X02
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
ACMLT   12 dl. 29/7 22,95
PL111   11 dj. 1/8 29,90
LV011   1 dt. 30/7 32,75
PL569   13 dv. 2/8 37,39
APIDE   6 dv. 2/8 43,54
DE712   6 dv. 9/8 54,80
PL160   58 dj. 1/8 55,41
DRAM – – GR1333D364L9S/4G
GOODRAM - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CODI:
GR1333D364L9S/4G
DRAM – – GR1333D364L9S/4G GOODRAM - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CODI:
GR1333D364L9S/4G
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
PL111   8 dj. 1/8 23,10
DE712   8 dv. 9/8 56,70
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