筆記本記憶體

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筆記本記憶體 – – MMDE026-4GB
CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC - for Alienware 14, 18; Dell Inspiron 11 3147, 15 3537, 15 3541, 3721; Latitude E7440
代碼：
MMDE026-4GB
筆記本記憶體 – – MMDE026-4GB CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC - for Alienware 14, 18; Dell Inspiron 11 3147, 15 3537, 15 3541, 3721; Latitude E7440
代碼：
MMDE026-4GB
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DK773   30 三 20/11 42.73
筆記本記憶體 – – S26391-F3362-L800
Fujitsu - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for LIFEBOOK U7410, U7510
代碼：
S26391-F3362-L800
筆記本記憶體 – – S26391-F3362-L800 Fujitsu - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for LIFEBOOK U7410, U7510
代碼：
S26391-F3362-L800
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DK773   3 三 20/11 42.82
筆記本記憶體 – – CT8G48C40S5
Crucial - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
CT8G48C40S5
筆記本記憶體 – – CT8G48C40S5 Crucial - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
CT8G48C40S5
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TDBE   4 二 19/11 42.99
DE712   369 二 26/11 49.08
筆記本記憶體 – – OWC1333DDR3S8GB
Other World Computing - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
OWC1333DDR3S8GB
筆記本記憶體 – – OWC1333DDR3S8GB Other World Computing - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
OWC1333DDR3S8GB
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DE712   8 二 26/11 43.14
筆記本記憶體 – – MMG3839/4GB
CoreParts - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC - for Panasonic Toughbook 19, 31, 52, 53, C2, CF-31, CF-52, CF-53, CF-H2, CF-SX2, H2
代碼：
MMG3839/4GB
筆記本記憶體 – – MMG3839/4GB CoreParts - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC - for Panasonic Toughbook 19, 31, 52, 53, C2, CF-31, CF-52, CF-53, CF-H2, CF-SX2, H2
代碼：
MMG3839/4GB
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DK773   30 三 20/11 43.30
筆記本記憶體 – – MUXMM-00054
CoreParts - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC - for HP EliteBook 2530p
代碼：
MUXMM-00054
筆記本記憶體 – – MUXMM-00054 CoreParts - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC - for HP EliteBook 2530p
代碼：
MUXMM-00054
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DK773   1 三 20/11 43.30
筆記本記憶體 – – MMKN113-4GB
CoreParts - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
MMKN113-4GB
筆記本記憶體 – – MMKN113-4GB CoreParts - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
MMKN113-4GB
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DK773   38 三 20/11 43.30
筆記本記憶體 – – GR1600S3V64L11/8G
GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
GR1600S3V64L11/8G
筆記本記憶體 – – GR1600S3V64L11/8G GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
GR1600S3V64L11/8G
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DE712   21 二 26/11 43.65
筆記本記憶體 – – TS2666HSH-4G
Transcend - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
TS2666HSH-4G
筆記本記憶體 – – TS2666HSH-4G Transcend - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
TS2666HSH-4G
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DE712   42 二 26/11 43.72
筆記本記憶體 – – GR2400S464L17S/8G
GOODRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
GR2400S464L17S/8G
筆記本記憶體 – – GR2400S464L17S/8G GOODRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
GR2400S464L17S/8G
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DE712   2 二 26/11 43.84
筆記本記憶體 – – V7170008GBS
V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
V7170008GBS
筆記本記憶體 – – V7170008GBS V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
V7170008GBS
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DE712   74 二 26/11 43.97
筆記本記憶體 – – CT8G56C46S5
Crucial - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - on-die ECC
代碼：
CT8G56C46S5
筆記本記憶體 – – CT8G56C46S5 Crucial - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - on-die ECC
代碼：
CT8G56C46S5
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TDBE   10 二 19/11 44.19
DE712   265 二 26/11 46.10
筆記本記憶體 – – MN16GSD43200-TB
PNY Performance - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
MN16GSD43200-TB
筆記本記憶體 – – MN16GSD43200-TB PNY Performance - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
MN16GSD43200-TB
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DE712   6 二 26/11 44.34
筆記本記憶體 – – JM4800ASE-16G
Transcend JetRAM - DDR5 - module - 16 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - 1.1 V - unbuffered - on-die ECC
代碼：
JM4800ASE-16G
筆記本記憶體 – – JM4800ASE-16G Transcend JetRAM - DDR5 - module - 16 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - 1.1 V - unbuffered - on-die ECC
代碼：
JM4800ASE-16G
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COPNL   3 二 19/11 45.39
DE712   2 二 26/11 56.47
筆記本記憶體 – – GR3200S464L22S/8G
GOODRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
GR3200S464L22S/8G
筆記本記憶體 – – GR3200S464L22S/8G GOODRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
GR3200S464L22S/8G
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DE712   7 二 26/11 45.47
筆記本記憶體 – – OWC8566DDR3S8GB
Other World Computing - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - CL7 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
OWC8566DDR3S8GB
筆記本記憶體 – – OWC8566DDR3S8GB Other World Computing - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - CL7 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
OWC8566DDR3S8GB
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DK773   1 三 20/11 45.57
筆記本記憶體 – – MMKN069-4GB
CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
MMKN069-4GB
筆記本記憶體 – – MMKN069-4GB CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
MMKN069-4GB
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DK773   30 三 20/11 45.57
筆記本記憶體 – – KVR16LS11/8
Kingston ValueRAM - DDR3L - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 / 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
KVR16LS11/8
筆記本記憶體 – – KVR16LS11/8 Kingston ValueRAM - DDR3L - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 / 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
KVR16LS11/8
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NL326   9 二 19/11 45.83
TDBE   164 二 19/11 57.38
DE712   33 二 26/11 57.76
筆記本記憶體 – – CMSO4GX3M1A1600C11
CORSAIR Value Select - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
CMSO4GX3M1A1600C11
筆記本記憶體 – – CMSO4GX3M1A1600C11 CORSAIR Value Select - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代碼：
CMSO4GX3M1A1600C11
庫存 數量 預計配送 價格
DE712   14 二 26/11 46.33
筆記本記憶體 – – KVR48S40BS6-8
Kingston ValueRAM - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - on-die ECC - for Intel Next Unit of Computing 13 Extreme Kit - NUC13RNGi9
代碼：
KVR48S40BS6-8
筆記本記憶體 – – KVR48S40BS6-8 Kingston ValueRAM - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - on-die ECC - for Intel Next Unit of Computing 13 Extreme Kit - NUC13RNGi9
代碼：
KVR48S40BS6-8
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TDBE   52 二 19/11 46.41
DE712   52 二 26/11 61.50
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