DRAM

Parametry produktu

W magazynie (504)
Wszystkie (504)
Dostarczone na: pią 08.11 (504)
Dostarczone na czwartek 07.11 (484)piątek 08.11 (504)poniedziałek 11.11 (1356)wtorek 12.11 (1709)środa 13.11 (3443)
Marka
Kingston (195)Crucial (33)Patriot Memory (38)G.Skill (80)Lexar (22)Lenovo (12)Wilk Elektronik (8)Dell (14)Samsung (7)HP Inc. (3)Hewlett Packard Enterprise (3)Corsair Microsystems (26)
Pojemność pamięci
 - 
Cena
 - 
  EUR
Zastosuj
Szukaj
Wyczyść
DRAM – – F3-1600C11S-4GNT
G.Skill NT Series - DDR3 - moduł - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
F3-1600C11S-4GNT
DRAM – – F3-1600C11S-4GNT G.Skill NT Series - DDR3 - moduł - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
F3-1600C11S-4GNT
Towar Ilość Data dostawy Cena
LV065   100 czw 07.11 11,31
LT309   11 czw 07.11 13,62
DRAM – – SP004GBLFU266X02
SILICON POWER - DDR4 - moduł - 4 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
SP004GBLFU266X02
DRAM – – SP004GBLFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - moduł - 4 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
SP004GBLFU266X02
Towar Ilość Data dostawy Cena
LT309   7 czw 07.11 13,98
DRAM – – SP004GBSFU266X02
SILICON POWER - DDR4 - moduł - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
SP004GBSFU266X02
DRAM – – SP004GBSFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - moduł - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
SP004GBSFU266X02
Towar Ilość Data dostawy Cena
LT309   8 czw 07.11 14,40
DRAM – – LD4AS008G-B3200GSST
Lexar - DDR4 - moduł - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
LD4AS008G-B3200GSST
DRAM – – LD4AS008G-B3200GSST Lexar - DDR4 - moduł - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
LD4AS008G-B3200GSST
Towar Ilość Data dostawy Cena
LV065   50 czw 07.11 15,50
LT309   46 czw 07.11 18,42
DRAM – – LD4AU008G-B3200GSST
Lexar - DDR4 - moduł - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
LD4AU008G-B3200GSST
DRAM – – LD4AU008G-B3200GSST Lexar - DDR4 - moduł - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
LD4AU008G-B3200GSST
Towar Ilość Data dostawy Cena
LV065   100 czw 07.11 15,50
LT309   50 czw 07.11 18,34
DRAM – – PSD34G16002
Patriot Signature Line - DDR3 - moduł - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL9 - 1.7 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
PSD34G16002
DRAM – – PSD34G16002 Patriot Signature Line - DDR3 - moduł - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL9 - 1.7 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
PSD34G16002
Towar Ilość Data dostawy Cena
LV065   13 czw 07.11 17,11
DRAM – – F4-2666C19S-8GNT
G.Skill Value Series - DDR4 - moduł - 8 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
F4-2666C19S-8GNT
DRAM – – F4-2666C19S-8GNT G.Skill Value Series - DDR4 - moduł - 8 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
F4-2666C19S-8GNT
Towar Ilość Data dostawy Cena
LT309   34 czw 07.11 17,88
DRAM – – PSD48G320081
Patriot Signature Line - DDR4 - moduł - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
PSD48G320081
DRAM – – PSD48G320081 Patriot Signature Line - DDR4 - moduł - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
PSD48G320081
Towar Ilość Data dostawy Cena
LV065   50 czw 07.11 18,49
LV011   32 czw 07.11 23,61
LT012   100 czw 07.11 24,93
DRAM – – KVR26N19S6/4
Kingston ValueRAM - DDR4 - moduł - 4 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
KVR26N19S6/4
DRAM – – KVR26N19S6/4 Kingston ValueRAM - DDR4 - moduł - 4 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
KVR26N19S6/4
Towar Ilość Data dostawy Cena
LV065   3 czw 07.11 18,90
LT309   10 czw 07.11 21,96
DRAM – – F3-10600CL9S-8GBNT
G.Skill NT Series - DDR3 - moduł - 8 GB - DIMM 240-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - niebuforowana - bez ECC - dla ASUS MAXIMUS IV EXTREME-Z, MAXIMUS V FORMULA, MAXIMUS V FORMULA / THUNDERFX, MAXIMUS V GENE
Kod
F3-10600CL9S-8GBNT
DRAM – – F3-10600CL9S-8GBNT G.Skill NT Series - DDR3 - moduł - 8 GB - DIMM 240-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - niebuforowana - bez ECC - dla ASUS MAXIMUS IV EXTREME-Z, MAXIMUS V FORMULA, MAXIMUS V FORMULA / THUNDERFX, MAXIMUS V GENE
Kod
F3-10600CL9S-8GBNT
Towar Ilość Data dostawy Cena
LT309   50 czw 07.11 19,05
DRAM – – PSD48G320081S
Patriot Signature Line - DDR4 - moduł - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
PSD48G320081S
DRAM – – PSD48G320081S Patriot Signature Line - DDR4 - moduł - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
PSD48G320081S
Towar Ilość Data dostawy Cena
LV065   23 czw 07.11 19,05
LT012   14 czw 07.11 25,52
DRAM – – SP008GBLFU266X02
SILICON POWER - DDR4 - moduł - 8 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
SP008GBLFU266X02
DRAM – – SP008GBLFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - moduł - 8 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
SP008GBLFU266X02
Towar Ilość Data dostawy Cena
LT309   24 czw 07.11 19,13
DRAM – – F4-2666C19S-8GRS
G.Skill Ripjaws - DDR4 - moduł - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
F4-2666C19S-8GRS
DRAM – – F4-2666C19S-8GRS G.Skill Ripjaws - DDR4 - moduł - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
F4-2666C19S-8GRS
Towar Ilość Data dostawy Cena
LT309   18 czw 07.11 19,19
DRAM – – F4-3200C16S-8GIS
G.Skill AEGIS - DDR4 - moduł - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL16 - 1.35 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
F4-3200C16S-8GIS
DRAM – – F4-3200C16S-8GIS G.Skill AEGIS - DDR4 - moduł - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL16 - 1.35 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
F4-3200C16S-8GIS
Towar Ilość Data dostawy Cena
LT309   2 czw 07.11 19,19
DRAM – – SP008GBSFU266X02
SILICON POWER - DDR4 - moduł - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
SP008GBSFU266X02
DRAM – – SP008GBSFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - moduł - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
SP008GBSFU266X02
Towar Ilość Data dostawy Cena
LT309   49 czw 07.11 19,51
DRAM – – SP008GBLFU320X02
SILICON POWER - DDR4 - moduł - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
SP008GBLFU320X02
DRAM – – SP008GBLFU320X02 SILICON POWER - DDR4 - moduł - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
SP008GBLFU320X02
Towar Ilość Data dostawy Cena
LT309   10 czw 07.11 19,57
LV011   1 czw 07.11 23,75
DRAM – – SP008GBSFU320X02
SILICON POWER - DDR4 - moduł - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
SP008GBSFU320X02
DRAM – – SP008GBSFU320X02 SILICON POWER - DDR4 - moduł - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
SP008GBSFU320X02
Towar Ilość Data dostawy Cena
LT309   17 czw 07.11 19,65
DRAM – – CT8G4DFRA32A
Crucial - DDR4 - moduł - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
CT8G4DFRA32A
DRAM – – CT8G4DFRA32A Crucial - DDR4 - moduł - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
CT8G4DFRA32A
Towar Ilość Data dostawy Cena
LV065   100 czw 07.11 20,03
LV188   11 pią 08.11 24,85
DRAM – – CT8G4SFRA32A
Crucial - DDR4 - moduł - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
CT8G4SFRA32A
DRAM – – CT8G4SFRA32A Crucial - DDR4 - moduł - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
CT8G4SFRA32A
Towar Ilość Data dostawy Cena
LV065   100 czw 07.11 20,03
LV188   76 pią 08.11 24,85
DRAM – – KVR32S22S6/4
Kingston ValueRAM - DDR4 - moduł - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC - dla Intel Next Unit of Computing 11, 12
Kod
KVR32S22S6/4
DRAM – – KVR32S22S6/4 Kingston ValueRAM - DDR4 - moduł - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC - dla Intel Next Unit of Computing 11, 12
Kod
KVR32S22S6/4
Towar Ilość Data dostawy Cena
LV011   21 czw 07.11 20,07
Prosimy o wyrażenie zgody na używanie przez nas plików cookie w celu poprawy komfortu przeglądania stron internetowych. Przeczytaj naszą Politykę Plików Cookie.
Akceptuję