GOODRAM - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - no ECC

Categoría: DDR3
Código GR1600S3V64L11S/4G
Garantía 0 - 99 Meses
MARCA DEL FABR.
 
Desconocido
PL111
 
Desconocido
CZ017
 
99 Meses
DE712
 
Desconocido
Imágenes sólo con fines ilustrativos
Stock Cant. Entrega est. Precio
IVA
PL111 1 18/10/2024 ~ 4 semanas 23,72
CZ017 1 22/10/2024 ~ 4 semanas 32,74
DE712 20 29/10/2024 ~ 4 semanas 62,35
Descripción del producto
GOODRAM - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - sin búfer
Tipo de producto
Módulo de memoria
Capacidad
4 GB
Tipo de memoria
DDR3 SDRAM - SO DIMM de 204 contactos
Tipo de actualización
Genérica
Comprobación integridad datos
No ECC
Velocidad
1600 MHz (PC3-12800)
Tiempos de latencia
CL11
Características
Fila única, baja tensión, sin búfer
Tensión
1.35 V
Garantía del fabricante
Garantía limitada de por vida
Capacidad
4 GB
Tipo de actualización
Genérica
Tipo
DRAM módulo de memoria
Tecnología
DDR3 SDRAM
Factor de forma
SO DIMM de 204 contactos
Velocidad
1600 MHz (PC3-12800)
Tiempos de latencia
CL11
Comprobación integridad datos
No ECC
Características
Fila única, baja tensión, sin búfer
Organización de los chips
512 x 8
Tensión
1.35 V
Servicio y mantenimiento
Garantía limitada de por vida