笔记本内存

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笔记本内存 – – V7192004GBS-X16
V7 - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7192004GBS-X16
笔记本内存 – – V7192004GBS-X16 V7 - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7192004GBS-X16
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DE168   5 五 10/18 28.39
DE712   5 一 10/28 46.85
笔记本内存 – – V7128002GBS
V7 - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128002GBS
笔记本内存 – – V7128002GBS V7 - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128002GBS
库存 数量 预计配送 价格
DE168   9 五 10/18 28.44
DE712   9 一 10/28 45.68
笔记本内存 – – V7106008GBS
V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106008GBS
笔记本内存 – – V7106008GBS V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106008GBS
库存 数量 预计配送 价格
DE168   94 五 10/18 28.77
DE712   94 一 10/28 51.11
笔记本内存 – – V7128008GBS-LV
V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128008GBS-LV
笔记本内存 – – V7128008GBS-LV V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128008GBS-LV
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DE168   236 五 10/18 28.79
DE712   237 一 10/28 46.09
笔记本内存 – – KCP426SS8/8
Kingston - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP426SS8/8
笔记本内存 – – KCP426SS8/8 Kingston - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP426SS8/8
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LT012   16 二 10/15 28.99
PL111   9 四 10/17 34.35
CZ017   99 一 10/21 38.91
CZ015   101 一 10/21 39.51
DK773   8 一 10/21 40.84
DE244   15 一 10/21 41.03
CZ016   54 四 10/17 44.81
DE181   100 五 10/18 47.42
ALSDE-2   98 二 10/22 51.93
DE712   98 一 10/28 54.52
HU021   1 二 10/22 60.97
DK231   126 一 10/28 144.43
笔记本内存 – – GR1333S364L98G
GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1333S364L98G
笔记本内存 – – GR1333S364L98G GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1333S364L98G
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PL111   30+ 四 10/17 29.12
DE712   8 一 10/28 69.72
笔记本内存 – – GR1600S364L11/8G
GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S364L11/8G
笔记本内存 – – GR1600S364L11/8G GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S364L11/8G
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PL111   26 四 10/17 29.12
PL160   40 五 10/18 52.62
DE712   8 一 10/28 79.78
笔记本内存 – – PSD48G240081S
Patriot Signature Line - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD48G240081S
笔记本内存 – – PSD48G240081S Patriot Signature Line - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD48G240081S
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PL111   26 四 10/17 29.34
PL930   8 四 10/17 34.00
笔记本内存 – – SP008GBSFU266X02
SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP008GBSFU266X02
笔记本内存 – – SP008GBSFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP008GBSFU266X02
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PL111   21 四 10/17 29.35
PL930   87 四 10/17 32.80
APIDE   47 一 10/21 39.83
PL160   58 五 10/18 53.81
DE712   47 一 10/28 62.47
笔记本内存 – – MMKN007-4GB
CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN007-4GB
笔记本内存 – – MMKN007-4GB CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN007-4GB
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DK773   12 一 10/21 30.25
DE712   12 一 10/28 67.19
笔记本内存 – – MMKN057-8GB
CoreParts - DDR4 - kit - 8 GB: 2 x 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN057-8GB
笔记本内存 – – MMKN057-8GB CoreParts - DDR4 - kit - 8 GB: 2 x 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN057-8GB
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DK773   50 一 10/21 30.25
笔记本内存 – – M471A5244CB0-CWE
Samsung - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12; Wortmann TERRA Mobile 1516A, 1716A
代码：
M471A5244CB0-CWE
笔记本内存 – – M471A5244CB0-CWE Samsung - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12; Wortmann TERRA Mobile 1516A, 1716A
代码：
M471A5244CB0-CWE
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LV903   1 二 10/15 30.25
PL930   46 四 10/17 34.87
DE501   79 四 10/17 44.62
DE712   79 一 10/28 76.65
笔记本内存 – – AD4S32008G22-SGN
ADATA Premier Series - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - green
代码：
AD4S32008G22-SGN
笔记本内存 – – AD4S32008G22-SGN ADATA Premier Series - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - green
代码：
AD4S32008G22-SGN
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PL111   30+ 四 10/17 30.29
PL930   57 四 10/17 33.82
CZ016   77 四 10/17 41.59
DE712   57 一 10/28 88.23
笔记本内存 – – F3-1600C11S-8GSQ
G.Skill SQ Series - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F3-1600C11S-8GSQ
笔记本内存 – – F3-1600C11S-8GSQ G.Skill SQ Series - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F3-1600C11S-8GSQ
库存 数量 预计配送 价格
PL111   2 四 10/17 30.46
PL930   4 四 10/17 36.41
DE712   4 五 10/18 49.28
DE712   4 一 10/28 49.28
笔记本内存 – – V7149008GBS-LV
V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1866 MHz / PC3-14900 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7149008GBS-LV
笔记本内存 – – V7149008GBS-LV V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1866 MHz / PC3-14900 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7149008GBS-LV
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DE168   7 五 10/18 30.75
DE712   7 一 10/28 49.49
笔记本内存 – – GR2666S464L19S/8G
GOODRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR2666S464L19S/8G
笔记本内存 – – GR2666S464L19S/8G GOODRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR2666S464L19S/8G
库存 数量 预计配送 价格
PL111   2 四 10/17 31.65
PL160   29 五 10/18 55.78
笔记本内存 – – MMH9761/4GB
CoreParts - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMH9761/4GB
笔记本内存 – – MMH9761/4GB CoreParts - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMH9761/4GB
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DK773   4 一 10/21 31.76
笔记本内存 – – F4-3200C22S-16GRS
G.Skill Ripjaws - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F4-3200C22S-16GRS
笔记本内存 – – F4-3200C22S-16GRS G.Skill Ripjaws - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F4-3200C22S-16GRS
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LV065   50 二 10/15 31.77
PL930   57 四 10/17 53.23
DE712   57 一 10/28 106.87
笔记本内存 – – JM2666HSH-4G
Transcend JetRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM2666HSH-4G
笔记本内存 – – JM2666HSH-4G Transcend JetRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM2666HSH-4G
库存 数量 预计配送 价格
CZ015   3 一 10/21 32.34
CZ148   8 四 10/17 36.05
APIDE   3 一 10/21 37.85
DE712   3 一 10/28 54.96
笔记本内存 – – MMD2608/2GB
CoreParts - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC - for Dell Inspiron 15 N5030, 15 N5050; Latitude E5420, E5520, E6420, E6430; XPS 14, 15, 17
代码：
MMD2608/2GB
笔记本内存 – – MMD2608/2GB CoreParts - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC - for Dell Inspiron 15 N5030, 15 N5050; Latitude E5420, E5520, E6420, E6430; XPS 14, 15, 17
代码：
MMD2608/2GB
库存 数量 预计配送 价格
DK773   1 一 10/21 32.52
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