SILICON POWER - DDR4 - moduł - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC

Kategoria DDR4
Kod produktu SP004GBSFU266X02
Gwarancja 24 Miesięcy
Zdjęcia tylko dla celów ilustracyjnych!
Magazyn Dostępność Przewidywany czas dostawy Cena
VAT
LT309 2 02.07.2024 Nieznany 16,14
Opis produktu
SILICON POWER - DDR4 - moduł - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - niebuforowana
Typ produktu
Moduł pamięci
Pojemność
4 GB
Typ pamięci
DDR4 SDRAM - SO-DIMM 260-pin
Sposób rozbudowy
Standardowy
Sprawdzenie intgralności danych
Bez ECC
Szybkość
2666 MHz (PC4-21300)
Latency Timings
CL19
Cechy
Niebuforowana
Napięcie
1.2 V
Gwarancja producenta
Ograniczona gwarancja dożywotnia (do 5 lat od wycofania z produkcji/sprzedaży przez producenta)
Pojemność
4 GB
Sposób rozbudowy
Standardowy
Typ
DRAM moduł pamięci
Technologia
DDR4 SDRAM
Rodzaj obudowy
SO-DIMM 260-pin
Szybkość
2666 MHz (PC4-21300)
Latency Timings
CL19
Sprawdzenie intgralności danych
Bez ECC
Charakterystyka
Niebuforowana
Napięcie
1.2 V
Zgodność z normami
FCC, RoHS, WEEE, Green Dot, JEDEC
Obsługa i wsparcie
Ograniczona gwarancja dożywotnia (do 5 lat od wycofania z produkcji/sprzedaży przez producenta)