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DRAM –  – IMS-O304-065 THINKPAD 16GB DDR5 5600MHZ
代码:
IMS-O304-065
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IMNSE   5 五 2/28 179.31
DRAM –  – CMSO4GX4M1A2133C15 CORSAIR Value Select - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
CMSO4GX4M1A2133C15
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EXENO   4 五 2/28 213.83
DRAM –  – MMG1065/2G CoreParts - Memory - module - 2 GB - for NEC Express5800 120Re-1
代码:
MMG1065/2G
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EETNO2   44 一 3/3 214.55
DRAM –  – V7128002GBD V7 - DDR3 - module - 2 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
代码:
V7128002GBD
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IMNSE   1 五 2/28 216.19
DRAM –  – MMD2629/2GB CoreParts - DDR2 - kit - 2 GB: 2 x 1 GB - DIMM 240-pin - 667 MHz / PC2-5300 - registered - ECC - for Dell PowerEdge 2970, 6950, M605, M805, M905, R300, R805, R905, SC1435, T300, T605
代码:
MMD2629/2GB
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EETNO2   44 一 3/3 216.82
DRAM –  – MMC0005/2048 CoreParts - DDR2 - kit - 2 GB: 2 x 1 GB - DIMM 240-pin - 400 MHz / PC2-3200 - 1.8 V - registered - ECC - for Fujitsu PRIMERGY BX620 S2, RX200 S2, RX300 S2, TX300 S2
代码:
MMC0005/2048
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EETNO2   44 一 3/3 216.82
DRAM –  – KVR32S22S6/4 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码:
KVR32S22S6/4
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ADNO   4 一 3/3 243.42
TDNO   6 五 2/28 298.80
DRAM –  – MMG2491/4GB CoreParts - DDR2 - kit - 4 GB: 2 x 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
代码:
MMG2491/4GB
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EETNO2   1 一 3/3 244.09
DRAM –  – 432668-001 HPE - DDR2 - module - 2 GB - DIMM 240-pin - 667 MHz / PC2-5300 - registered - ECC
代码:
432668-001
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EETNO2   2 一 3/3 245.23
DRAM –  – MMD8780/4GB CoreParts - DDR2 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 667 MHz / PC2-5300 - registered - ECC
代码:
MMD8780/4GB
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EETNO2   3 一 3/3 248.64
DRAM –  – V732001GBD V7 - DDR - module - 1 GB - DIMM 184-PIN - 400 MHz / PC3200 - unbuffered - non-ECC
代码:
V732001GBD
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IMNSE   1 五 2/28 259.08
DRAM –  – CMSX8GX4M1A2400C16 CORSAIR Vengeance - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL16 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
CMSX8GX4M1A2400C16
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EXENO   16 五 2/28 261.39
DRAM –  – KVR32S22S8/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码:
KVR32S22S8/8
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EXENO   14 五 2/28 261.39
IMNSE   20 五 2/28 282.40
ALSNO   50 五 2/28 299.36
TDNO   100 五 2/28 311.12
EETNO2   5 一 3/3 349.77
DRAM –  – KVR32N22S8/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
KVR32N22S8/8
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EXENO   2 五 2/28 263.66
TDNO   48 五 2/28 311.12
DRAM –  – MMH0043/8GB CoreParts - DDR - kit - 8 GB: 4 x 2 GB - DIMM 184-PIN - 266 MHz / PC2100 - registered - ECC - for HPE Integrity rx2600, rx4640, rx5670, rx8620
代码:
MMH0043/8GB
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EETNO2   15 一 3/3 264.55
DRAM –  – CMK8GX4M1A2400C14 CORSAIR Vengeance LPX - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL14 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
CMK8GX4M1A2400C14
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EXENO   3 五 2/28 268.18
DRAM –  – CMK8GX4M1A2666C16 CORSAIR Vengeance LPX - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL16 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
CMK8GX4M1A2666C16
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EXENO   6 五 2/28 268.18
DRAM –  – MMHP200-4GB CoreParts - DDR2 - module - 4 GB - FB-DIMM 240-pin - 667 MHz / PC2-5300 - 1.8 V - Fully Buffered - ECC
代码:
MMHP200-4GB
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EETNO2   31 一 3/3 269.09
DRAM –  – 46C7538-MM CoreParts - DDR2 - kit - 8 GB: 2 x 4 GB - DIMM 240-pin - 667 MHz / PC2-5300 - registered - ECC - for Lenovo System x3455; x3755
代码:
46C7538-MM
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EETNO2   3 一 3/3 271.36
DRAM –  – 41Y2768-MM CoreParts - DDR2 - kit - 8 GB: 2 x 4 GB - DIMM 240-pin - 667 MHz / PC2-5300 - registered - ECC - for IBM System x3610; Lenovo System x3455; x3655; x3755; x3850 M2; x3950 M2
代码:
41Y2768-MM
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EETNO2   3 一 3/3 273.64