DRAM

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DRAM – – 41Y2768-MM
CoreParts - DDR2 - kit - 8 GB: 2 x 4 GB - DIMM de 240 contactos - 667 MHz / PC2-5300 - registrado - ECC - para IBM System x3610; Lenovo System x3455; x3655; x3755; x3850 M2; x3950 M2
CODI:
41Y2768-MM
DRAM – – 41Y2768-MM CoreParts - DDR2 - kit - 8 GB: 2 x 4 GB - DIMM de 240 contactos - 667 MHz / PC2-5300 - registrado - ECC - para IBM System x3610; Lenovo System x3455; x3655; x3755; x3850 M2; x3950 M2
CODI:
41Y2768-MM
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
PL337   44 dc. 28/8 64,38
DE712   44 dt. 3/9 272,58
DRAM – – F3-1600C11S-4GNT
G.Skill NT Series - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F3-1600C11S-4GNT
DRAM – – F3-1600C11S-4GNT G.Skill NT Series - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F3-1600C11S-4GNT
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
LT164   20 dv. 23/8 64,46
DRAM – – MMH0043/8GB
CoreParts - DDR - kit - 8 GB: 4 x 2 GB - DIMM de 184 patillas - 266 MHz / PC2100 - registrado - ECC - para HPE Integrity rx2600, rx4640, rx5670, rx8620
CODI:
MMH0043/8GB
DRAM – – MMH0043/8GB CoreParts - DDR - kit - 8 GB: 4 x 2 GB - DIMM de 184 patillas - 266 MHz / PC2100 - registrado - ECC - para HPE Integrity rx2600, rx4640, rx5670, rx8620
CODI:
MMH0043/8GB
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
PL337   18 dc. 28/8 65,00
DE712   18 dt. 3/9 211,70
DRAM – – MMH9662/1024
CoreParts - DDR2 - módulo - 1 GB - DIMM de 240 contactos - 800 MHz / PC2-6400 - CL5 - sin búfer - ECC
CODI:
MMH9662/1024
DRAM – – MMH9662/1024 CoreParts - DDR2 - módulo - 1 GB - DIMM de 240 contactos - 800 MHz / PC2-6400 - CL5 - sin búfer - ECC
CODI:
MMH9662/1024
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
PL337   6 dc. 28/8 65,00
DRAM – – MMHP197-4GB
CoreParts - DDR2 - módulo - 4 GB - FB-DIMM 240-pin - 667 MHz / PC2-5300 - 1.8 V - Búfer completo - ECC
CODI:
MMHP197-4GB
DRAM – – MMHP197-4GB CoreParts - DDR2 - módulo - 4 GB - FB-DIMM 240-pin - 667 MHz / PC2-5300 - 1.8 V - Búfer completo - ECC
CODI:
MMHP197-4GB
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
PL337   37 dc. 28/8 65,00
DE712   37 dt. 3/9 234,02
DRAM – – GR1600D364L11S/4G
GOODRAM - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - sin búfer - no ECC
CODI:
GR1600D364L11S/4G
DRAM – – GR1600D364L11S/4G GOODRAM - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - sin búfer - no ECC
CODI:
GR1600D364L11S/4G
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
PL309   9 dv. 23/8 65,14
DE712   9 dt. 3/9 211,65
DRAM – – CT8G4DFS824A
Crucial - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
CT8G4DFS824A
DRAM – – CT8G4DFS824A Crucial - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
CT8G4DFS824A
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
PL033   2 dj. 22/8 66,52
DE181   100 dl. 26/8 129,36
DE712   27 dt. 3/9 199,16
DRAM – – CT8G4SFS824A
Crucial - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
CT8G4SFS824A
DRAM – – CT8G4SFS824A Crucial - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
CT8G4SFS824A
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
PL033   24 dj. 22/8 66,52
PL309   8 dv. 23/8 102,60
DE181   77 dl. 26/8 126,10
DE712   328 dt. 3/9 163,42
DCPDK   4 dt. 27/8 177,15
DRAM – – GR1600D3V64L11/8G
GOODRAM - DDR3 - módulo - 8 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CODI:
GR1600D3V64L11/8G
DRAM – – GR1600D3V64L11/8G GOODRAM - DDR3 - módulo - 8 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CODI:
GR1600D3V64L11/8G
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
PL160   24 dj. 22/8 66,90
PL569   15 dj. 22/8 67,52
PL122   17 dj. 22/8 73,59
DE712   17 dt. 3/9 222,62
DRAM – – GR2400D464L17S/4G
GOODRAM - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
GR2400D464L17S/4G
DRAM – – GR2400D464L17S/4G GOODRAM - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
GR2400D464L17S/4G
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
PL309   4 dv. 23/8 66,91
DE712   4 dt. 3/9 208,44
DRAM – – LD4AS008G-B3200GSST
Lexar - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
LD4AS008G-B3200GSST
DRAM – – LD4AS008G-B3200GSST Lexar - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
LD4AS008G-B3200GSST
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
PL111   30+ dj. 22/8 67,21
LT164   17 dv. 23/8 107,86
DE712   426 dt. 3/9 242,33
DRAM – – LD4AU008G-B3200GSST
Lexar - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
LD4AU008G-B3200GSST
DRAM – – LD4AU008G-B3200GSST Lexar - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
LD4AU008G-B3200GSST
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
PL111   30+ dj. 22/8 67,21
PL201   10 dv. 23/8 85,35
DE712   19 dt. 3/9 191,17
DRAM – – CT8G4S266M
Crucial - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL17 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
CT8G4S266M
DRAM – – CT8G4S266M Crucial - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL17 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
CT8G4S266M
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
PL033   11 dj. 22/8 67,24
DE712   3 dt. 3/9 161,68
DE712   3 dt. 3/9 161,68
DRAM – – SP004GBSFU266X02
SILICON POWER - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP004GBSFU266X02
DRAM – – SP004GBSFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP004GBSFU266X02
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
LT164   10 dv. 23/8 67,45
DRAM – – GR1600S3V64L11/8G
GOODRAM - DDR3 - módulo - 8 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CODI:
GR1600S3V64L11/8G
DRAM – – GR1600S3V64L11/8G GOODRAM - DDR3 - módulo - 8 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CODI:
GR1600S3V64L11/8G
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
PL569   12 dj. 22/8 67,54
PL111   29 dj. 22/8 68,41
PL309   4 dv. 23/8 108,06
DE712   45 dt. 3/9 206,76
DRAM – – SP008GBLFU266X02
SILICON POWER - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP008GBLFU266X02
DRAM – – SP008GBLFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP008GBLFU266X02
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
PL569   6 dj. 22/8 68,02
PL122   30 dj. 22/8 72,28
DRAM – – GR1333D364L98G
GOODRAM - DDR3 - módulo - 8 GB - DIMM de 240 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CODI:
GR1333D364L98G
DRAM – – GR1333D364L98G GOODRAM - DDR3 - módulo - 8 GB - DIMM de 240 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CODI:
GR1333D364L98G
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
PL160   34 dj. 22/8 68,15
DE712   10 dt. 3/9 269,10
DRAM – – JM2666HLH-4G
Transcend JetRAM - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
JM2666HLH-4G
DRAM – – JM2666HLH-4G Transcend JetRAM - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
JM2666HLH-4G
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
PL309   12 dv. 23/8 68,21
DE712   16 dt. 3/9 168,15
CZ148   2 dl. 26/8 255,54
DRAM – – GR1333S364L98G
GOODRAM - DDR3 - módulo - 8 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CODI:
GR1333S364L98G
DRAM – – GR1333S364L98G GOODRAM - DDR3 - módulo - 8 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CODI:
GR1333S364L98G
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
PL111   25 dj. 22/8 68,41
PL122   16 dj. 22/8 88,84
DE712   3 dt. 3/9 206,76
DRAM – – GR1600S364L11/8G
GOODRAM - DDR3 - módulo - 8 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CODI:
GR1600S364L11/8G
DRAM – – GR1600S364L11/8G GOODRAM - DDR3 - módulo - 8 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CODI:
GR1600S364L11/8G
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
PL111   30+ dj. 22/8 68,41
PL160   55 dj. 22/8 69,48
PL122   6 dj. 22/8 73,59
DE712   9 dt. 3/9 261,17
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