Samsung - DDR4 - modulo - 4 GB - SO DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - senza buffer - non ECC - per Intel Next Unit of Computing 11, 12; Wortmann TERRA Mobile 1516A, 1716A

Categoria DDR4
Codice prodotto M471A5244CB0-CWE
Marca Samsung
Garanzia 24 Mesi
Garanzia fabbricante
 
Sconosciuto
PL122
 
24 Mesi
PL591
 
Sconosciuto
DE501
 
Sconosciuto
DE712
 
Sconosciuto
Immagini solo con fini illustrativi
Magazzino quantità Consegna stimata Prezzo
IVA
PL122 38 14/02/2025 Sconosciuto 79,80
PL591 4 18/02/2025 Sconosciuto 83,85
DE501 100 18/02/2025 Sconosciuto 107,00
DE712 100 26/02/2025 Sconosciuto 282,21
Descrizione Prodotto
Samsung - DDR4 - modulo - 4 GB - SO DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - senza buffer
Tipo prodotto
Modulo di memoria
Capacità
4 GB
Tipo memoria
DDR4 SDRAM - SO DIMM 260-pin
Tipo aggiornamento
Generico
Data Integrity Check (verifica integrità dati)
Non ECC
Velocità
3200 MHz (PC4-25600)
Caratteristiche
Single rank, senza buffer
Tensione
1.2 V
Progettato per
Intel Next Unit of Computing 11 Essential Kit - NUC11ATKPE, 12 Pro Kit - NUC12WSHi3; Wortmann TERRA Mobile 1516A, 1716A
Capacità
4 GB
Tipo aggiornamento
Generico
Tipo
DRAM modulo di memoria
Tecnologia
DDR4 SDRAM
Fattore di forma
SO DIMM 260-pin
Velocità
3200 MHz (PC4-25600)
Data Integrity Check (verifica integrità dati)
Non ECC
Caratteristiche
Single rank, senza buffer
Configurazione modulo
512 x 64
Organizzazione Chip
512 x 16
Tensione
1.2 V
Progettato per
Intel Next Unit of Computing 11 Essential Kit - NUC11ATKPE, 12 Pro Kit - NUC12WSHi3 ¦ Wortmann TERRA Mobile 1516A, 1716A