笔记本内存

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笔记本内存 – – MUXMM-00055
CoreParts - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC - for HP EliteBook 8530p Notebook
代码：
MUXMM-00055
笔记本内存 – – MUXMM-00055 CoreParts - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC - for HP EliteBook 8530p Notebook
代码：
MUXMM-00055
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PL337   3 二 10/15 108.75
笔记本内存 – – MUXMM-00063
CoreParts - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC - for Compaq Presario CQ60
代码：
MUXMM-00063
笔记本内存 – – MUXMM-00063 CoreParts - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC - for Compaq Presario CQ60
代码：
MUXMM-00063
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PL337   3 二 10/15 108.75
笔记本内存 – – MUXMM-00065
CoreParts - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC - for Compaq Presario CQ61-400EW, CQ61-400EY, CQ61-400SO
代码：
MUXMM-00065
笔记本内存 – – MUXMM-00065 CoreParts - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC - for Compaq Presario CQ61-400EW, CQ61-400EY, CQ61-400SO
代码：
MUXMM-00065
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PL337   3 二 10/15 108.75
笔记本内存 – – MMKN036-2GB
CoreParts - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN036-2GB
笔记本内存 – – MMKN036-2GB CoreParts - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN036-2GB
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PL337   1 二 10/15 108.75
笔记本内存 – – V7149008GBS-LV
V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1866 MHz / PC3-14900 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7149008GBS-LV
笔记本内存 – – V7149008GBS-LV V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1866 MHz / PC3-14900 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7149008GBS-LV
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DE168   8 五 10/11 111.59
笔记本内存 – – MMKN029-2GB
CoreParts - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - 1.8 V - unbuffered - non-ECC - for Toshiba Satellite A200, A300, L300, L300 / C02, L300 / F00, P200, P200 / 804, T115, U300, X200
代码：
MMKN029-2GB
笔记本内存 – – MMKN029-2GB CoreParts - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - 1.8 V - unbuffered - non-ECC - for Toshiba Satellite A200, A300, L300, L300 / C02, L300 / F00, P200, P200 / 804, T115, U300, X200
代码：
MMKN029-2GB
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PL337   1 二 10/15 111.88
笔记本内存 – – MMKN113-4GB
CoreParts - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN113-4GB
笔记本内存 – – MMKN113-4GB CoreParts - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
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MMKN113-4GB
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PL337   40 二 10/15 111.88
笔记本内存 – – MMKN069-4GB
CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN069-4GB
笔记本内存 – – MMKN069-4GB CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
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MMKN069-4GB
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PL337   12 二 10/15 115.00
笔记本内存 – – CT4G4SFS824A
Crucial - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT4G4SFS824A
笔记本内存 – – CT4G4SFS824A Crucial - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT4G4SFS824A
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DE181   36 五 10/11 116.37
JARDE3   121 一 10/14 143.37
DCPDK   50 一 10/14 144.73
笔记本内存 – – PSD416G240081S
Patriot Signature Line - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD416G240081S
笔记本内存 – – PSD416G240081S Patriot Signature Line - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD416G240081S
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PL111   30+ 三 10/9 116.81
PL122   4 三 10/9 135.36
笔记本内存 – – PSD416G32002S
Patriot Signature Line - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD416G32002S
笔记本内存 – – PSD416G32002S Patriot Signature Line - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD416G32002S
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PL111   23 三 10/9 119.40
PL122   10 三 10/9 135.78
笔记本内存 – – M471A1K43EB1-CWE
Samsung - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
M471A1K43EB1-CWE
笔记本内存 – – M471A1K43EB1-CWE Samsung - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
M471A1K43EB1-CWE
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PL591   175 三 10/9 120.04
DE181   100 五 10/11 146.88
笔记本内存 – – KVR48S40BS6-8
Kingston ValueRAM - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - on-die ECC - for Intel Next Unit of Computing 13 Extreme Kit - NUC13RNGi9
代码：
KVR48S40BS6-8
笔记本内存 – – KVR48S40BS6-8 Kingston ValueRAM - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - on-die ECC - for Intel Next Unit of Computing 13 Extreme Kit - NUC13RNGi9
代码：
KVR48S40BS6-8
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PL033   26 三 10/9 121.16
DCPDK   13 一 10/14 217.73
笔记本内存 – – LD4AS016G-B3200GSST
Lexar - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
LD4AS016G-B3200GSST
笔记本内存 – – LD4AS016G-B3200GSST Lexar - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
LD4AS016G-B3200GSST
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LV156   7 五 10/11 122.98
LT164   13 四 10/10 141.75
PL201   10 四 10/10 149.22
笔记本内存 – – V7213008GBS-SR
V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7213008GBS-SR
笔记本内存 – – V7213008GBS-SR V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7213008GBS-SR
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DE168   21 五 10/11 123.08
笔记本内存 – – KVR32S22S6/4
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码：
KVR32S22S6/4
笔记本内存 – – KVR32S22S6/4 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码：
KVR32S22S6/4
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DE168   26 五 10/11 123.30
笔记本内存 – – MMG2495/8GB
CoreParts - DDR3L - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMG2495/8GB
笔记本内存 – – MMG2495/8GB CoreParts - DDR3L - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMG2495/8GB
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PL337   75 二 10/15 124.38
笔记本内存 – – MMG2511/8GB
CoreParts - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
代码：
MMG2511/8GB
笔记本内存 – – MMG2511/8GB CoreParts - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
代码：
MMG2511/8GB
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PL337   75 二 10/15 124.38
笔记本内存 – – MMKN005-8GB
CoreParts - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN005-8GB
笔记本内存 – – MMKN005-8GB CoreParts - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN005-8GB
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PL337   75 二 10/15 124.38
笔记本内存 – – MMKN010-8GB
CoreParts - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN010-8GB
笔记本内存 – – MMKN010-8GB CoreParts - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN010-8GB
库存 数量 预计配送 价格
PL337   75 二 10/15 124.38
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