笔记本内存

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笔记本内存 – – TED44G2666C19-S01
Team Elite - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
TED44G2666C19-S01
笔记本内存 – – TED44G2666C19-S01 Team Elite - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
TED44G2666C19-S01
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EXSI   4 一 7/8 17.32
笔记本内存 – – M471A5244CB0-CTD
Samsung - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
M471A5244CB0-CTD
笔记本内存 – – M471A5244CB0-CTD Samsung - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
M471A5244CB0-CTD
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ASBSI   74 一 7/8 18.10
笔记本内存 – – CT4G4SFS824A
Crucial - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT4G4SFS824A
笔记本内存 – – CT4G4SFS824A Crucial - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT4G4SFS824A
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EVSSI   17 一 7/8 23.12
EXSI   11 一 7/8 23.28
JARDE2   125 三 7/10 37.77
DCSSID   50 五 7/12 46.14
KOSDES   100 三 7/10 47.10
DE712   4 一 7/15 54.88
笔记本内存 – – LD4AS008G-B3200GSST
Lexar - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
LD4AS008G-B3200GSST
笔记本内存 – – LD4AS008G-B3200GSST Lexar - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
LD4AS008G-B3200GSST
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EVSSI   316 一 7/8 23.12
ASBSI   187 一 7/8 24.66
PL111   30+ 三 7/10 36.50
DE712   446 一 7/15 72.33
笔记本内存 – – KVR26S19S6/4
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR26S19S6/4
笔记本内存 – – KVR26S19S6/4 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR26S19S6/4
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PCPSI   2 一 7/8 25.17
EXSI   16 一 7/8 26.56
ALSDE-2   100 四 7/11 36.09
DE168   80 三 7/10 36.82
CZ016   97 四 7/11 38.53
CZ017   99 四 7/11 42.68
HU028   5 五 7/12 46.38
KOSDES   81 三 7/10 47.42
DE712   80 一 7/15 48.89
HU021   5 四 7/11 53.20
笔记本内存 – – V753001GBS
V7 - DDR2 - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代码：
V753001GBS
笔记本内存 – – V753001GBS V7 - DDR2 - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代码：
V753001GBS
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DE168   7 三 7/10 25.18
DE712   7 一 7/15 48.96
笔记本内存 – – KF426S15IB/8
Kingston FURY Impact - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代码：
KF426S15IB/8
笔记本内存 – – KF426S15IB/8 Kingston FURY Impact - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代码：
KF426S15IB/8
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AVTSI   1 一 7/8 25.36
DE168   4 三 7/10 39.69
PL111   9 三 7/10 42.40
CZ016   4 四 7/11 43.35
PL591   9 三 7/10 46.48
CZ017   99 四 7/11 47.17
HU028   1 五 7/12 51.24
DE712   29 一 7/15 52.08
笔记本内存 – – KVR26S19S6/8
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR26S19S6/8
笔记本内存 – – KVR26S19S6/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR26S19S6/8
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AVTSI   2 一 7/8 25.68
CZ016   100 四 7/11 42.57
CZ148   33 四 7/11 42.65
CZ017   99 四 7/11 48.40
KOSDES   36 三 7/10 51.84
HU028   7 五 7/12 51.91
PL591   1 三 7/10 53.72
DE712   25 一 7/15 54.24
笔记本内存 – – KVR32S22S6/8
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
代码：
KVR32S22S6/8
笔记本内存 – – KVR32S22S6/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
代码：
KVR32S22S6/8
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AVTSI   4 一 7/8 25.68
EXSI   22 一 7/8 34.27
ALSDE-2   20 四 7/11 38.42
DE168   205 三 7/10 39.15
PL111   2 三 7/10 41.83
CZ016   59 四 7/11 42.57
CZ017   30 四 7/11 49.63
DE712   205 一 7/15 51.79
HU028   9 五 7/12 52.53
JARDE2   549 三 7/10 54.16
HU021   5 四 7/11 58.60
笔记本内存 – – TED48G2666C19-S01
Team Elite - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
TED48G2666C19-S01
笔记本内存 – – TED48G2666C19-S01 Team Elite - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
TED48G2666C19-S01
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EXSI   17 一 7/8 26.33
DE712   100 一 7/15 54.64
笔记本内存 – – CT8G4DFRA32AT
Crucial - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered
代码：
CT8G4DFRA32AT
笔记本内存 – – CT8G4DFRA32AT Crucial - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered
代码：
CT8G4DFRA32AT
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ASBSI   14 一 7/8 26.74
笔记本内存 – – V7128004GBS-LV
V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128004GBS-LV
笔记本内存 – – V7128004GBS-LV V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128004GBS-LV
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DE168   60 三 7/10 27.30
DE712   60 一 7/15 51.95
笔记本内存 – – V7128004GBS-DR-LV
V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128004GBS-DR-LV
笔记本内存 – – V7128004GBS-DR-LV V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128004GBS-DR-LV
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DE168   162 三 7/10 27.30
DE712   162 一 7/15 39.60
笔记本内存 – – V785004GBS
V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - unbuffered - non-ECC
代码：
V785004GBS
笔记本内存 – – V785004GBS V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - unbuffered - non-ECC
代码：
V785004GBS
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DE168   107 三 7/10 27.45
DE712   107 一 7/15 42.02
笔记本内存 – – V7106004GBS
V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106004GBS
笔记本内存 – – V7106004GBS V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106004GBS
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DE168   19 三 7/10 27.54
DE712   19 一 7/15 41.61
笔记本内存 – – V753002GBS
V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代码：
V753002GBS
笔记本内存 – – V753002GBS V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代码：
V753002GBS
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DE168   94 三 7/10 27.74
DE712   94 一 7/15 48.53
笔记本内存 – – V742002GBS
V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 533 MHz / PC2-4200 - unbuffered - non-ECC
代码：
V742002GBS
笔记本内存 – – V742002GBS V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 533 MHz / PC2-4200 - unbuffered - non-ECC
代码：
V742002GBS
库存 数量 预计配送 价格
DE168   32 三 7/10 27.77
DE712   32 一 7/15 52.72
笔记本内存 – – V764002GBS
V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
代码：
V764002GBS
笔记本内存 – – V764002GBS V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
代码：
V764002GBS
库存 数量 预计配送 价格
DE168   143 三 7/10 27.79
DE712   143 一 7/15 50.18
笔记本内存 – – TED48G3200C22-S01
Team Elite - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
TED48G3200C22-S01
笔记本内存 – – TED48G3200C22-S01 Team Elite - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
TED48G3200C22-S01
库存 数量 预计配送 价格
EXSI   25 一 7/8 27.84
DE712   100 一 7/15 54.88
笔记本内存 – – V7170004GBS
V7 - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7170004GBS
笔记本内存 – – V7170004GBS V7 - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7170004GBS
库存 数量 预计配送 价格
DE168   46 三 7/10 28.58
DE712   46 一 7/15 53.70
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