筆記本記憶體

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筆記本記憶體 –  – CT4G4SFS824A Crucial - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
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CT4G4SFS824A
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PL033   5 二 12/11 34.44
PL111   30+ 二 12/11 40.49
JARDE3   118 五 15/11 144.19
DCPDK   50 五 15/11 145.50
筆記本記憶體 –  – RAM-2GDR3-SO-1600 QNAP - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
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RAM-2GDR3-SO-1600
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FENPL   8 二 12/11 37.29
筆記本記憶體 –  – GR1600S364L11S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - unbuffered - non-ECC
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GR1600S364L11S/4G
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PL111   6 二 12/11 49.58
PL122   13 二 12/11 54.19
DE712   13 四 21/11 202.45
筆記本記憶體 –  – GR1600S3V64L11S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
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GR1600S3V64L11S/4G
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PL111   10 二 12/11 49.58
筆記本記憶體 –  – PSD44G240081S Patriot Signature Line - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
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PSD44G240081S
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PL111   30+ 二 12/11 51.10
筆記本記憶體 –  – PSD44G266681S Patriot Signature Line - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
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PSD44G266681S
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PL111   15 二 12/11 51.10
筆記本記憶體 –  – PSD34G16002S Patriot Signature Line - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
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PSD34G16002S
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PL111   14 二 12/11 53.04
PL122   4 二 12/11 57.11
筆記本記憶體 –  – GR1333S364L9S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
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GR1333S364L9S/4G
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PL122   17 二 12/11 54.19
筆記本記憶體 –  – PSD34G160081S Patriot Signature Line - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
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PSD34G160081S
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PL122   1 二 12/11 57.79
筆記本記憶體 –  – MMG2491/4GB CoreParts - DDR2 - kit - 4 GB: 2 x 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
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MMG2491/4GB
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PL337   2 二 12/11 58.75
筆記本記憶體 –  – JM3200HSH-4G Transcend JetRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
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JM3200HSH-4G
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PL569   40 二 12/11 59.84
DE712   55 四 21/11 202.51
筆記本記憶體 –  – CMSA4GX3M1A1066C7 CORSAIR Mac Memory - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - CL7 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
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CMSA4GX3M1A1066C7
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PL111   6 二 12/11 60.81
筆記本記憶體 –  – GR2400S464L17S/4G GOODRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
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GR2400S464L17S/4G
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PL160   18 二 12/11 60.92
PL309   10 三 13/11 68.89
DE712   11 四 21/11 197.65
筆記本記憶體 –  – GR2666S464L19S/4G GOODRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21328 - CL19 - 1.2 V
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GR2666S464L19S/4G
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PL160   13 二 12/11 60.92
PL122   18 二 12/11 68.82
筆記本記憶體 –  – LD4AS008G-B3200GSST Lexar - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
LD4AS008G-B3200GSST
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PL111   30+ 二 12/11 62.19
PL122   2 二 12/11 70.01
LT164   20 三 13/11 84.29
DE712   86 四 21/11 226.83
筆記本記憶體 –  – KVR16LS11S6/2 Kingston ValueRAM - DDR3L - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
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KVR16LS11S6/2
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PL569   16 二 12/11 65.66
PL309   4 三 13/11 71.15
PL642   12 二 19/11 73.23
DE712   2 四 21/11 216.33
筆記本記憶體 –  – SP008GBSFU320X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
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SP008GBSFU320X02
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PL111   12 二 12/11 68.20
PL160   1 二 12/11 74.24
PL122   30 二 12/11 77.11
LT164   20 三 13/11 90.55
DE712   17 四 21/11 181.01
筆記本記憶體 –  – GR1333S364L98G GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
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GR1333S364L98G
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PL111   30+ 二 12/11 68.41
DE712   4 四 21/11 243.97
筆記本記憶體 –  – GR1600S364L11/8G GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
GR1600S364L11/8G
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PL111   18 二 12/11 68.41
PL122   14 二 12/11 73.59
DE712   8 四 21/11 252.32
筆記本記憶體 –  – SP004GBSFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
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SP004GBSFU266X02
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LT164   8 三 13/11 69.62
筆記本記憶體 –  – SP008GBSFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
SP008GBSFU266X02
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PL111   8 二 12/11 69.95
LT164   20 三 13/11 89.58
DE712   33 四 21/11 181.67
筆記本記憶體 –  – PSD48G240081S Patriot Signature Line - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
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PSD48G240081S
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PL111   30+ 二 12/11 70.78
PL569   101 二 12/11 72.08
筆記本記憶體 –  – PSD48G266681S Patriot Signature Line - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
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PSD48G266681S
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PL111   18 二 12/11 71.08
PL569   63 二 12/11 72.29
筆記本記憶體 –  – PSD48G213381S Patriot Signature Line - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
PSD48G213381S
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PL111   30+ 二 12/11 71.08
筆記本記憶體 –  – PSD48G320081S Patriot Signature Line - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
PSD48G320081S
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PL111   30+ 二 12/11 71.29
PL569   7 二 12/11 73.91
PL122   2 二 12/11 83.60
LV156   23 三 13/11 87.95
筆記本記憶體 –  – AD4S32008G22-SGN ADATA Premier Series - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - green
代碼:
AD4S32008G22-SGN
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PL111   30+ 二 12/11 71.54
PL122   30 二 12/11 79.60
DE712   51 四 21/11 294.17
筆記本記憶體 –  – F4-3200C22S-8GRS G.Skill Ripjaws - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
F4-3200C22S-8GRS
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PL111   4 二 12/11 71.70
PL122   36 二 12/11 76.61
PL337   5 一 18/11 137.50
DCPDK   5 五 15/11 157.39
DE712   26 四 21/11 180.51
筆記本記憶體 –  – W-DL16S08G GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
W-DL16S08G
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PL160   2 二 12/11 72.42
筆記本記憶體 –  – W-LO16S08G GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
W-LO16S08G
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PL160   1 二 12/11 72.42
筆記本記憶體 –  – GR1600S3V64L11/8G GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
GR1600S3V64L11/8G
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PL122   22 二 12/11 73.92
PL309   4 三 13/11 76.46
DE712   48 四 21/11 207.15
筆記本記憶體 –  – MMI0029/4GB CoreParts - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
MMI0029/4GB
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PL337   2 一 18/11 74.38
筆記本記憶體 –  – MMKN007-4GB CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
MMKN007-4GB
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PL337   30 一 18/11 74.38
筆記本記憶體 –  – MMLE037-4GB CoreParts - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for S400z; S500z; ThinkCentre M700 (Tiny); M700z; M800z; M900 (Tiny); M900x; M900z; X1; E74
代碼:
MMLE037-4GB
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PL337   2 一 18/11 74.38
筆記本記憶體 –  – MMKN057-8GB CoreParts - DDR4 - kit - 8 GB: 2 x 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
MMKN057-8GB
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PL337   47 一 18/11 74.38
筆記本記憶體 –  – 4260124855283 Innovation IT - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
4260124855283
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DE181   17 四 14/11 74.47
筆記本記憶體 –  – JM3200HSG-8G Transcend JetRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
JM3200HSG-8G
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PL569   34 二 12/11 76.94
PL309   5 三 13/11 96.81
DE168   2 四 14/11 131.24
DE712   2 四 21/11 241.65
筆記本記憶體 –  – IR-2400S464L15S/4G GOODRAM IRDM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代碼:
IR-2400S464L15S/4G
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PL309   2 三 13/11 77.06
筆記本記憶體 –  – PSD22G8002S Patriot Signature Line - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - CL5 - 1.8 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
PSD22G8002S
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PL122   18 二 12/11 77.11
筆記本記憶體 –  – GR2400S464L17S/8G GOODRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
GR2400S464L17S/8G
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PL111   30+ 二 12/11 77.21
PL160   92 二 12/11 78.29
PL309   7 三 13/11 82.16
PL122   30 二 12/11 86.68
DE712   2 四 21/11 208.81
筆記本記憶體 –  – GR2666S464L19S/8G GOODRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
GR2666S464L19S/8G
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PL111   19 二 12/11 77.21
PL160   4 二 12/11 78.85
PL122   30 二 12/11 84.12
筆記本記憶體 –  – GR3200S464L22S/8G GOODRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
GR3200S464L22S/8G
庫存 數量 預計配送 價格
PL111   30+ 二 12/11 77.21
PL160   66 二 12/11 79.16
PL122   30 二 12/11 85.10
PL309   50 三 13/11 85.20
DE712   64 四 21/11 227.39
筆記本記憶體 –  – F3-1600C11S-8GSQ G.Skill SQ Series - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
F3-1600C11S-8GSQ
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PL122   6 二 12/11 79.95
DE712   4 四 21/11 174.54
DE712   4 四 21/11 174.54
筆記本記憶體 –  – KVR26S19S6/4 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
KVR26S19S6/4
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PL569   101 二 12/11 79.96
PL309   99 三 13/11 80.15
DE712   15 四 21/11 164.03
筆記本記憶體 –  – KF426S15IB/8 Kingston FURY Impact - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代碼:
KF426S15IB/8
庫存 數量 預計配送 價格
PL309   62 三 13/11 80.15
PL033   10 二 12/11 84.99
PL569   19 二 12/11 89.15
PL122   8 二 12/11 93.38
筆記本記憶體 –  – MMG2494/4GB CoreParts - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
MMG2494/4GB
庫存 數量 預計配送 價格
PL337   30 一 18/11 80.62
筆記本記憶體 –  – MMH9657/2048 CoreParts - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC - for HP Pavilion Laptop dv3, dv3508, dv3539, dv3540, dv3560, dv3640, dv3650, dv3660, dv4
代碼:
MMH9657/2048
庫存 數量 預計配送 價格
PL337   3 一 18/11 80.62
筆記本記憶體 –  – MMD2608/2GB CoreParts - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC - for Dell Inspiron 15 N5030, 15 N5050; Latitude E5420, E5520, E6420, E6430; XPS 14, 15, 17
代碼:
MMD2608/2GB
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PL337   1 一 18/11 80.62
筆記本記憶體 –  – MMH9761/4GB CoreParts - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
MMH9761/4GB
庫存 數量 預計配送 價格
PL337   3 一 18/11 80.62
DE712   3 四 21/11 257.07
筆記本記憶體 –  – KVR32S22S8/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代碼:
KVR32S22S8/8
庫存 數量 預計配送 價格
PL111   30+ 二 12/11 81.65
PL033   31 二 12/11 83.08
PL309   99 三 13/11 86.61
PL569   30 二 12/11 86.85
PL642   1038 二 19/11 90.26
PL122   28 二 12/11 90.75
DE181   49 四 14/11 119.52
DE168   325 四 14/11 131.18
DCPDK   25 五 15/11 169.22
DE712   330 四 21/11 169.34
筆記本記憶體 –  – KVR32S22S6/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
代碼:
KVR32S22S6/8
庫存 數量 預計配送 價格
PL111   30+ 二 12/11 81.65
PL033   27 二 12/11 82.85
PL160   11 二 12/11 85.00
PL569   6 二 12/11 86.85
PL642   622 二 19/11 90.26
PL122   30 二 12/11 91.72
LV156   100 三 13/11 94.09
DE168   194 四 14/11 131.18
DE712   194 四 21/11 169.62
JARDE3   313 五 15/11 200.63