笔记本内存

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笔记本内存 – – CT4G4SFS824A
Crucial - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT4G4SFS824A
笔记本内存 – – CT4G4SFS824A Crucial - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT4G4SFS824A
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PL033   5 二 11/12 34.44
PL111   30+ 二 11/12 40.49
JARDE3   118 五 11/15 144.19
DCPDK   50 五 11/15 145.50
笔记本内存 – – RAM-2GDR3-SO-1600
QNAP - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
代码：
RAM-2GDR3-SO-1600
笔记本内存 – – RAM-2GDR3-SO-1600 QNAP - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
代码：
RAM-2GDR3-SO-1600
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FENPL   8 二 11/12 37.29
笔记本内存 – – GR1600S364L11S/4G
GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S364L11S/4G
笔记本内存 – – GR1600S364L11S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S364L11S/4G
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PL111   6 二 11/12 49.58
PL122   13 二 11/12 54.19
DE712   13 四 11/21 202.45
笔记本内存 – – GR1600S3V64L11S/4G
GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S3V64L11S/4G
笔记本内存 – – GR1600S3V64L11S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S3V64L11S/4G
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PL111   10 二 11/12 49.58
笔记本内存 – – PSD44G240081S
Patriot Signature Line - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD44G240081S
笔记本内存 – – PSD44G240081S Patriot Signature Line - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD44G240081S
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PL111   30+ 二 11/12 51.10
笔记本内存 – – PSD44G266681S
Patriot Signature Line - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD44G266681S
笔记本内存 – – PSD44G266681S Patriot Signature Line - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD44G266681S
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PL111   15 二 11/12 51.10
笔记本内存 – – PSD34G16002S
Patriot Signature Line - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD34G16002S
笔记本内存 – – PSD34G16002S Patriot Signature Line - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD34G16002S
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PL111   14 二 11/12 53.04
PL122   4 二 11/12 57.11
笔记本内存 – – GR1333S364L9S/4G
GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1333S364L9S/4G
笔记本内存 – – GR1333S364L9S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1333S364L9S/4G
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PL122   17 二 11/12 54.19
笔记本内存 – – PSD34G160081S
Patriot Signature Line - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD34G160081S
笔记本内存 – – PSD34G160081S Patriot Signature Line - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD34G160081S
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PL122   1 二 11/12 57.79
笔记本内存 – – MMG2491/4GB
CoreParts - DDR2 - kit - 4 GB: 2 x 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
代码：
MMG2491/4GB
笔记本内存 – – MMG2491/4GB CoreParts - DDR2 - kit - 4 GB: 2 x 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
代码：
MMG2491/4GB
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PL337   2 二 11/12 58.75
笔记本内存 – – JM3200HSH-4G
Transcend JetRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM3200HSH-4G
笔记本内存 – – JM3200HSH-4G Transcend JetRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM3200HSH-4G
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PL569   40 二 11/12 59.84
DE712   55 四 11/21 202.51
笔记本内存 – – CMSA4GX3M1A1066C7
CORSAIR Mac Memory - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - CL7 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSA4GX3M1A1066C7
笔记本内存 – – CMSA4GX3M1A1066C7 CORSAIR Mac Memory - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - CL7 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSA4GX3M1A1066C7
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PL111   6 二 11/12 60.81
笔记本内存 – – GR2400S464L17S/4G
GOODRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR2400S464L17S/4G
笔记本内存 – – GR2400S464L17S/4G GOODRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR2400S464L17S/4G
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PL160   18 二 11/12 60.92
PL309   10 三 11/13 68.89
DE712   11 四 11/21 197.65
笔记本内存 – – GR2666S464L19S/4G
GOODRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21328 - CL19 - 1.2 V
代码：
GR2666S464L19S/4G
笔记本内存 – – GR2666S464L19S/4G GOODRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21328 - CL19 - 1.2 V
代码：
GR2666S464L19S/4G
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PL160   13 二 11/12 60.92
PL122   18 二 11/12 68.82
笔记本内存 – – LD4AS008G-B3200GSST
Lexar - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
LD4AS008G-B3200GSST
笔记本内存 – – LD4AS008G-B3200GSST Lexar - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
LD4AS008G-B3200GSST
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PL111   30+ 二 11/12 62.19
PL122   2 二 11/12 70.01
LT164   20 三 11/13 84.29
DE712   86 四 11/21 226.83
笔记本内存 – – KVR16LS11S6/2
Kingston ValueRAM - DDR3L - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR16LS11S6/2
笔记本内存 – – KVR16LS11S6/2 Kingston ValueRAM - DDR3L - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR16LS11S6/2
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PL569   16 二 11/12 65.66
PL309   4 三 11/13 71.15
PL642   12 二 11/19 73.23
DE712   2 四 11/21 216.33
笔记本内存 – – SP008GBSFU320X02
SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP008GBSFU320X02
笔记本内存 – – SP008GBSFU320X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP008GBSFU320X02
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PL111   12 二 11/12 68.20
PL160   1 二 11/12 74.24
PL122   30 二 11/12 77.11
LT164   20 三 11/13 90.55
DE712   17 四 11/21 181.01
笔记本内存 – – GR1333S364L98G
GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1333S364L98G
笔记本内存 – – GR1333S364L98G GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1333S364L98G
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PL111   30+ 二 11/12 68.41
DE712   4 四 11/21 243.97
笔记本内存 – – GR1600S364L11/8G
GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S364L11/8G
笔记本内存 – – GR1600S364L11/8G GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S364L11/8G
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PL111   18 二 11/12 68.41
PL122   14 二 11/12 73.59
DE712   8 四 11/21 252.32
笔记本内存 – – SP004GBSFU266X02
SILICON POWER - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP004GBSFU266X02
笔记本内存 – – SP004GBSFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP004GBSFU266X02
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LT164   8 三 11/13 69.62
笔记本内存 – – SP008GBSFU266X02
SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP008GBSFU266X02
笔记本内存 – – SP008GBSFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP008GBSFU266X02
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PL111   8 二 11/12 69.95
LT164   20 三 11/13 89.58
DE712   33 四 11/21 181.67
笔记本内存 – – PSD48G240081S
Patriot Signature Line - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD48G240081S
笔记本内存 – – PSD48G240081S Patriot Signature Line - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD48G240081S
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PL111   30+ 二 11/12 70.78
PL569   101 二 11/12 72.08
笔记本内存 – – PSD48G266681S
Patriot Signature Line - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD48G266681S
笔记本内存 – – PSD48G266681S Patriot Signature Line - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD48G266681S
库存 数量 预计配送 价格
PL111   18 二 11/12 71.08
PL569   63 二 11/12 72.29
笔记本内存 – – PSD48G213381S
Patriot Signature Line - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD48G213381S
笔记本内存 – – PSD48G213381S Patriot Signature Line - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD48G213381S
库存 数量 预计配送 价格
PL111   30+ 二 11/12 71.08
笔记本内存 – – PSD48G320081S
Patriot Signature Line - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD48G320081S
笔记本内存 – – PSD48G320081S Patriot Signature Line - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD48G320081S
库存 数量 预计配送 价格
PL111   30+ 二 11/12 71.29
PL569   7 二 11/12 73.91
PL122   2 二 11/12 83.60
LV156   23 三 11/13 87.95
笔记本内存 – – AD4S32008G22-SGN
ADATA Premier Series - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - green
代码：
AD4S32008G22-SGN
笔记本内存 – – AD4S32008G22-SGN ADATA Premier Series - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - green
代码：
AD4S32008G22-SGN
库存 数量 预计配送 价格
PL111   30+ 二 11/12 71.54
PL122   30 二 11/12 79.60
DE712   51 四 11/21 294.17
笔记本内存 – – F4-3200C22S-8GRS
G.Skill Ripjaws - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F4-3200C22S-8GRS
笔记本内存 – – F4-3200C22S-8GRS G.Skill Ripjaws - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F4-3200C22S-8GRS
库存 数量 预计配送 价格
PL111   4 二 11/12 71.70
PL122   36 二 11/12 76.61
PL337   5 一 11/18 137.50
DCPDK   5 五 11/15 157.39
DE712   26 四 11/21 180.51
笔记本内存 – – W-DL16S08G
GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
W-DL16S08G
笔记本内存 – – W-DL16S08G GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
W-DL16S08G
库存 数量 预计配送 价格
PL160   2 二 11/12 72.42
笔记本内存 – – W-LO16S08G
GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
W-LO16S08G
笔记本内存 – – W-LO16S08G GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
W-LO16S08G
库存 数量 预计配送 价格
PL160   1 二 11/12 72.42
笔记本内存 – – GR1600S3V64L11/8G
GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S3V64L11/8G
笔记本内存 – – GR1600S3V64L11/8G GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S3V64L11/8G
库存 数量 预计配送 价格
PL122   22 二 11/12 73.92
PL309   4 三 11/13 76.46
DE712   48 四 11/21 207.15
笔记本内存 – – MMI0029/4GB
CoreParts - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMI0029/4GB
笔记本内存 – – MMI0029/4GB CoreParts - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMI0029/4GB
库存 数量 预计配送 价格
PL337   2 一 11/18 74.38
笔记本内存 – – MMKN007-4GB
CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN007-4GB
笔记本内存 – – MMKN007-4GB CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN007-4GB
库存 数量 预计配送 价格
PL337   30 一 11/18 74.38
笔记本内存 – – MMLE037-4GB
CoreParts - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for S400z; S500z; ThinkCentre M700 (Tiny); M700z; M800z; M900 (Tiny); M900x; M900z; X1; E74
代码：
MMLE037-4GB
笔记本内存 – – MMLE037-4GB CoreParts - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for S400z; S500z; ThinkCentre M700 (Tiny); M700z; M800z; M900 (Tiny); M900x; M900z; X1; E74
代码：
MMLE037-4GB
库存 数量 预计配送 价格
PL337   2 一 11/18 74.38
笔记本内存 – – MMKN057-8GB
CoreParts - DDR4 - kit - 8 GB: 2 x 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN057-8GB
笔记本内存 – – MMKN057-8GB CoreParts - DDR4 - kit - 8 GB: 2 x 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN057-8GB
库存 数量 预计配送 价格
PL337   47 一 11/18 74.38
笔记本内存 – – 4260124855283
Innovation IT - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
4260124855283
笔记本内存 – – 4260124855283 Innovation IT - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
4260124855283
库存 数量 预计配送 价格
DE181   17 四 11/14 74.47
笔记本内存 – – JM3200HSG-8G
Transcend JetRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM3200HSG-8G
笔记本内存 – – JM3200HSG-8G Transcend JetRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM3200HSG-8G
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PL569   34 二 11/12 76.94
PL309   5 三 11/13 96.81
DE168   2 四 11/14 131.24
DE712   2 四 11/21 241.65
笔记本内存 – – IR-2400S464L15S/4G
GOODRAM IRDM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代码：
IR-2400S464L15S/4G
笔记本内存 – – IR-2400S464L15S/4G GOODRAM IRDM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代码：
IR-2400S464L15S/4G
库存 数量 预计配送 价格
PL309   2 三 11/13 77.06
笔记本内存 – – PSD22G8002S
Patriot Signature Line - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - CL5 - 1.8 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD22G8002S
笔记本内存 – – PSD22G8002S Patriot Signature Line - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - CL5 - 1.8 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD22G8002S
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PL122   18 二 11/12 77.11
笔记本内存 – – GR2400S464L17S/8G
GOODRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR2400S464L17S/8G
笔记本内存 – – GR2400S464L17S/8G GOODRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR2400S464L17S/8G
库存 数量 预计配送 价格
PL111   30+ 二 11/12 77.21
PL160   92 二 11/12 78.29
PL309   7 三 11/13 82.16
PL122   30 二 11/12 86.68
DE712   2 四 11/21 208.81
笔记本内存 – – GR2666S464L19S/8G
GOODRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR2666S464L19S/8G
笔记本内存 – – GR2666S464L19S/8G GOODRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR2666S464L19S/8G
库存 数量 预计配送 价格
PL111   19 二 11/12 77.21
PL160   4 二 11/12 78.85
PL122   30 二 11/12 84.12
笔记本内存 – – GR3200S464L22S/8G
GOODRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR3200S464L22S/8G
笔记本内存 – – GR3200S464L22S/8G GOODRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR3200S464L22S/8G
库存 数量 预计配送 价格
PL111   30+ 二 11/12 77.21
PL160   66 二 11/12 79.16
PL122   30 二 11/12 85.10
PL309   50 三 11/13 85.20
DE712   64 四 11/21 227.39
笔记本内存 – – F3-1600C11S-8GSQ
G.Skill SQ Series - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F3-1600C11S-8GSQ
笔记本内存 – – F3-1600C11S-8GSQ G.Skill SQ Series - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F3-1600C11S-8GSQ
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PL122   6 二 11/12 79.95
DE712   4 四 11/21 174.54
DE712   4 四 11/21 174.54
笔记本内存 – – KVR26S19S6/4
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR26S19S6/4
笔记本内存 – – KVR26S19S6/4 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR26S19S6/4
库存 数量 预计配送 价格
PL569   101 二 11/12 79.96
PL309   99 三 11/13 80.15
DE712   15 四 11/21 164.03
笔记本内存 – – KF426S15IB/8
Kingston FURY Impact - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代码：
KF426S15IB/8
笔记本内存 – – KF426S15IB/8 Kingston FURY Impact - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代码：
KF426S15IB/8
库存 数量 预计配送 价格
PL309   62 三 11/13 80.15
PL033   10 二 11/12 84.99
PL569   19 二 11/12 89.15
PL122   8 二 11/12 93.38
笔记本内存 – – MMG2494/4GB
CoreParts - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMG2494/4GB
笔记本内存 – – MMG2494/4GB CoreParts - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMG2494/4GB
库存 数量 预计配送 价格
PL337   30 一 11/18 80.62
笔记本内存 – – MMH9657/2048
CoreParts - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC - for HP Pavilion Laptop dv3, dv3508, dv3539, dv3540, dv3560, dv3640, dv3650, dv3660, dv4
代码：
MMH9657/2048
笔记本内存 – – MMH9657/2048 CoreParts - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC - for HP Pavilion Laptop dv3, dv3508, dv3539, dv3540, dv3560, dv3640, dv3650, dv3660, dv4
代码：
MMH9657/2048
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PL337   3 一 11/18 80.62
笔记本内存 – – MMD2608/2GB
CoreParts - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC - for Dell Inspiron 15 N5030, 15 N5050; Latitude E5420, E5520, E6420, E6430; XPS 14, 15, 17
代码：
MMD2608/2GB
笔记本内存 – – MMD2608/2GB CoreParts - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC - for Dell Inspiron 15 N5030, 15 N5050; Latitude E5420, E5520, E6420, E6430; XPS 14, 15, 17
代码：
MMD2608/2GB
库存 数量 预计配送 价格
PL337   1 一 11/18 80.62
笔记本内存 – – MMH9761/4GB
CoreParts - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMH9761/4GB
笔记本内存 – – MMH9761/4GB CoreParts - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMH9761/4GB
库存 数量 预计配送 价格
PL337   3 一 11/18 80.62
DE712   3 四 11/21 257.07
笔记本内存 – – KVR32S22S8/8
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码：
KVR32S22S8/8
笔记本内存 – – KVR32S22S8/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码：
KVR32S22S8/8
库存 数量 预计配送 价格
PL111   30+ 二 11/12 81.65
PL033   31 二 11/12 83.08
PL309   99 三 11/13 86.61
PL569   30 二 11/12 86.85
PL642   1038 二 11/19 90.26
PL122   28 二 11/12 90.75
DE181   49 四 11/14 119.52
DE168   325 四 11/14 131.18
DCPDK   25 五 11/15 169.22
DE712   330 四 11/21 169.34
笔记本内存 – – KVR32S22S6/8
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
代码：
KVR32S22S6/8
笔记本内存 – – KVR32S22S6/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
代码：
KVR32S22S6/8
库存 数量 预计配送 价格
PL111   30+ 二 11/12 81.65
PL033   27 二 11/12 82.85
PL160   11 二 11/12 85.00
PL569   6 二 11/12 86.85
PL642   622 二 11/19 90.26
PL122   30 二 11/12 91.72
LV156   100 三 11/13 94.09
DE168   194 四 11/14 131.18
DE712   194 四 11/21 169.62
JARDE3   313 五 11/15 200.63
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