笔记本内存

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笔记本内存 – – CT4G4SFS824A
Crucial - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT4G4SFS824A
笔记本内存 – – CT4G4SFS824A Crucial - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT4G4SFS824A
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PL033   5 二 11/12 34.44
PL111   30+ 二 11/12 40.49
JARDE3   118 五 11/15 144.19
DCPDK   50 五 11/15 145.50
笔记本内存 – – RAM-2GDR3-SO-1600
QNAP - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
代码：
RAM-2GDR3-SO-1600
笔记本内存 – – RAM-2GDR3-SO-1600 QNAP - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
代码：
RAM-2GDR3-SO-1600
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FENPL   8 二 11/12 37.29
笔记本内存 – – GR1600S364L11S/4G
GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S364L11S/4G
笔记本内存 – – GR1600S364L11S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S364L11S/4G
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PL111   6 二 11/12 49.58
PL122   13 二 11/12 54.19
DE712   13 四 11/21 202.45
笔记本内存 – – GR1600S3V64L11S/4G
GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S3V64L11S/4G
笔记本内存 – – GR1600S3V64L11S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S3V64L11S/4G
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PL111   10 二 11/12 49.58
笔记本内存 – – PSD44G240081S
Patriot Signature Line - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD44G240081S
笔记本内存 – – PSD44G240081S Patriot Signature Line - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD44G240081S
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PL111   30+ 二 11/12 51.10
笔记本内存 – – PSD44G266681S
Patriot Signature Line - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD44G266681S
笔记本内存 – – PSD44G266681S Patriot Signature Line - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD44G266681S
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PL111   15 二 11/12 51.10
笔记本内存 – – PSD34G16002S
Patriot Signature Line - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD34G16002S
笔记本内存 – – PSD34G16002S Patriot Signature Line - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD34G16002S
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PL111   14 二 11/12 53.04
PL122   4 二 11/12 57.11
笔记本内存 – – GR1333S364L9S/4G
GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1333S364L9S/4G
笔记本内存 – – GR1333S364L9S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1333S364L9S/4G
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PL122   17 二 11/12 54.19
笔记本内存 – – PSD34G160081S
Patriot Signature Line - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD34G160081S
笔记本内存 – – PSD34G160081S Patriot Signature Line - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD34G160081S
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PL122   1 二 11/12 57.79
笔记本内存 – – MMG2491/4GB
CoreParts - DDR2 - kit - 4 GB: 2 x 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
代码：
MMG2491/4GB
笔记本内存 – – MMG2491/4GB CoreParts - DDR2 - kit - 4 GB: 2 x 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
代码：
MMG2491/4GB
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PL337   2 二 11/12 58.75
笔记本内存 – – JM3200HSH-4G
Transcend JetRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM3200HSH-4G
笔记本内存 – – JM3200HSH-4G Transcend JetRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM3200HSH-4G
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PL569   40 二 11/12 59.84
DE712   55 四 11/21 202.51
笔记本内存 – – CMSA4GX3M1A1066C7
CORSAIR Mac Memory - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - CL7 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSA4GX3M1A1066C7
笔记本内存 – – CMSA4GX3M1A1066C7 CORSAIR Mac Memory - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - CL7 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSA4GX3M1A1066C7
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PL111   6 二 11/12 60.81
笔记本内存 – – GR2400S464L17S/4G
GOODRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR2400S464L17S/4G
笔记本内存 – – GR2400S464L17S/4G GOODRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR2400S464L17S/4G
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PL160   18 二 11/12 60.92
PL309   10 三 11/13 68.89
DE712   11 四 11/21 197.65
笔记本内存 – – GR2666S464L19S/4G
GOODRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21328 - CL19 - 1.2 V
代码：
GR2666S464L19S/4G
笔记本内存 – – GR2666S464L19S/4G GOODRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21328 - CL19 - 1.2 V
代码：
GR2666S464L19S/4G
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PL160   13 二 11/12 60.92
PL122   18 二 11/12 68.82
笔记本内存 – – LD4AS008G-B3200GSST
Lexar - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
LD4AS008G-B3200GSST
笔记本内存 – – LD4AS008G-B3200GSST Lexar - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
LD4AS008G-B3200GSST
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PL111   30+ 二 11/12 62.19
PL122   2 二 11/12 70.01
LT164   20 三 11/13 84.29
DE712   86 四 11/21 226.83
笔记本内存 – – KVR16LS11S6/2
Kingston ValueRAM - DDR3L - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR16LS11S6/2
笔记本内存 – – KVR16LS11S6/2 Kingston ValueRAM - DDR3L - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR16LS11S6/2
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PL569   16 二 11/12 65.66
PL309   4 三 11/13 71.15
PL642   12 二 11/19 73.23
DE712   2 四 11/21 216.33
笔记本内存 – – SP008GBSFU320X02
SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP008GBSFU320X02
笔记本内存 – – SP008GBSFU320X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP008GBSFU320X02
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PL111   12 二 11/12 68.20
PL160   1 二 11/12 74.24
PL122   30 二 11/12 77.11
LT164   20 三 11/13 90.55
DE712   17 四 11/21 181.01
笔记本内存 – – GR1333S364L98G
GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1333S364L98G
笔记本内存 – – GR1333S364L98G GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1333S364L98G
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PL111   30+ 二 11/12 68.41
DE712   4 四 11/21 243.97
笔记本内存 – – GR1600S364L11/8G
GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S364L11/8G
笔记本内存 – – GR1600S364L11/8G GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S364L11/8G
库存 数量 预计配送 价格
PL111   18 二 11/12 68.41
PL122   14 二 11/12 73.59
DE712   8 四 11/21 252.32
笔记本内存 – – SP004GBSFU266X02
SILICON POWER - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP004GBSFU266X02
笔记本内存 – – SP004GBSFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP004GBSFU266X02
库存 数量 预计配送 价格
LT164   8 三 11/13 69.62
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